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不服跑个分!苹果处理器为啥秒杀安卓全家?(2016-10-11)
持有Imagination公司的8.48%股份,可能独占Series8XT系列,这可比联发科HelioX25所谓的独占靠谱多了。
关键词一:晶体管数量
相比小白消费者热衷的CPU核心数,苹果更加在意处理器晶体管......
摩尔定律“60岁高龄” 仍是半导体行业的驱动力(2023-03-27)
说:“摩尔定律实现的主要方式是让晶体管变小。较小的晶体管速度更快,能效更高,(直到最近)也更便宜,因此这是一种全方位的胜利。人们会把摩尔定律与计算机性能随时间推移而增强的定律相混淆,但实际上摩尔定律讲的只是芯片上的晶体管数量......
手机厂商:今年再不上5nm,出门都不好意思打招呼(2021-01-25)
则内置了118亿个晶体管,晶体管数量相较7nm芯片增加了近40%。在性能数据方面,5nm工艺带来的提升也很明显。相较上一代旗舰芯片,骁龙888的CPU整体性能提升25%,GPU的图......
苹果正式发布M4:AI飙升两倍多!其他相当牙膏(2024-05-08)
的升级版,只有性能提升较多,工艺、CPU、GPU、内存上则是略有提升。本文引用地址:
M4的制造工艺从第一代3nm N3B升级为第二代3nm N3E,相信良品率更高,成本也更容易控制,而且晶体管数量......
摩尔定律将继续影响电子信息产业的发展(2023-03-28)
集成超过31亿颗晶体管,性价比得到极大提升。
英特尔微处理器晶体管数量变化
为了集成更多的晶体管数量,全球半导体公司一直在提升工艺技术水平,从1971年10µm,到今天的16/14nm,而10nm工艺......
让单个设备包含1万亿个晶体管,英特尔会怎么做?(2022-03-28)
1965年,英特尔的联合创始人戈登·摩尔预测,单个芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番,而成本只会有极小的增加。该预测被称为摩尔定律,如图1所示。单个设备上的晶体管或组件越多,在单......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术,预计突破1纳米制程瓶颈(2021-12-14)
以垂直方式堆栈,并让电流也垂直流通,使晶体管数量密度再次提高,更大幅提高电源使用效率,并突破1纳米制程的瓶颈。
相较传统将晶体管以水平放置,垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管数量......
5nm手机芯片功耗过高,先进制程只是噱头?(2021-02-10)
因为集成电路芯片在发展初期,是一种需要尽快普及和应用的商业化产品,成本是其大规模应用和推广时要面对的主要问题。每隔一段时间,单位面积的晶体管数量倍增,带来的直接效应就是成本显著降低。这推......
“自我实现的预言”摩尔定律,如何继续引领创新(2024-07-05)
些事情尚未广为人知…….
1. 戈登·摩尔完善过摩尔定律的定义
在1965年的文章中,戈登·摩尔提出,在未来十年内,芯片上的晶体管数量将每年翻一番。1965-1975年半......
英特尔再谈摩尔定律:周期放缓但并未死亡(2023-12-25)
英特尔再谈摩尔定律:周期放缓但并未死亡;摩尔定律由英特尔联合创办人兼执行长高登. 摩尔(Gordon Moore)于1970年首次提出,称随着新制程密度不断提高,芯片的晶体管数量将每两年翻一倍,但由......
苹果A16芯片到底有多厉害? 骁龙8gen2和苹果A16对比介绍(2022-12-04)
点,看来晶体管数量增加6%的体积膨胀,并没有被4nm工艺稀释掉。
A16的CPU核心组成是Everest大核+Sawtooth小核,其中Everest比A15上的Avalanche大了些,布局......
目标不止2025!英特尔公布“赶超三星台积电”战略:3D堆叠晶体管(2021-12-13)
相当于一个开关,代表数字逻辑体系的“1”或“0”状态。英特尔在这次大会上公布的一项可能是最重要的研究成果,正好展示了一种相互堆叠晶体管的新技术。
英特尔技术团队表示,通过晶体管堆叠技术,可以使得在单位尺寸内整合的晶体管数量......
iPhone 8采用7nm工艺还是10nm工艺?高品质是方向(2016-10-20)
后者的 7nm 工艺就可以被应用在芯片上。
在衡量处理器芯片的时候,工艺制程是没有争议的重要指标,毕竟这意味着同等面积下芯片可以容纳的晶体管数量。iPhone 7 所搭载的 A10......
英特尔 CEO:摩尔定律的节奏正在放缓至三年,但仍未消亡(2023-12-25)
格近日在麻省理工学院的演讲中表示,以现在的发展速度,晶体管数量接近每三年翻一番,实际上已经落后于摩尔定律的速度了。
若按照原本的摩尔定律,集成电路上可容纳的晶体管数量每隔 18 个月-2 年就会翻一番,即是“处理......
5nm手机芯片功耗过高 先进制程只是噱头?(2021-02-03)
人们对芯片性能的追求已经超过了经济成本的范畴。“在芯片发展的早期,人们面对的是一个经济问题。这是因为集成电路芯片在发展初期,是一种需要尽快普及和应用的商业化产品,成本是其大规模应用和推广时要面对的主要问题。每隔一段时间,单位面积的晶体管数量......
AI芯片晶体管数量突破4万亿个(2024-03-14)
AI芯片晶体管数量突破4万亿个;据财联社3月14日报道,美国加州半导体公司Cerebras Systems发布了一项重大消息,其第三代晶圆级AI加速芯片“WSE-3”(Wafer Scale......
主宰半导体世界的摩尔定律这回真的走到终点了?(2017-08-17)
每12个月增加一倍左右。此外,每个价格最低的芯片的晶体管数量每12个月翻一番。在1965年,这意味着50个晶体管的芯片成本最低;而摩尔当时预测,到1970年,将上升到每个芯片1000个元件,每个晶体管......
摩尔定律的支持与争论:摩尔定律仍然还存在吗?(2022-12-15)
提出,主要说的是芯片上的晶体管数量。摩尔称,芯片上的晶体管数量每隔一年就会翻一番,从而增强处理能力。要想增加芯片上的晶体管数量,晶体管必须做得更小,这就要求提高制造技术。
现在,两家......
台积电董事长刘德音预测:未来 15 年每瓦 GPU 性能提升 1000 倍,GP(2024-03-29)
1000 亿的晶体管,已经达到了光刻机处理的极限。若想继续增加晶体管数量,就需要采用多芯片,并通过 2.5D、3D 技术进行集成,来完成计算任务。
目前,已有的 CoWoS 或 SoIC 等先......
摩尔定律没有死去,而是一直在推进:看英特尔如何延续摩尔定律(2024-06-26)
导体发展的早期,戈登·摩尔便准确预测了,芯片的算力将大幅增长,而相对成本将呈指数级下降。在这篇文章中,他提出,在未来十年内,芯片上的晶体管数量将每年翻一番。1965-1975年半......
中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望(2023-04-03 13:37)
中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望;摩尔定律失效,芯片性能提升遇瓶颈在探讨Chiplet(小芯片)之前,摩尔定律是绕不开的话题。戈登·摩尔先生在1965 年提出了摩尔定律:每年单位面积内的晶体管数量......
中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望 摩尔定律失效,芯片性能提升遇瓶颈(2023-04-03)
讨Chiplet(小芯片)之前,摩尔定律是绕不开的话题。戈登•摩尔先生在1965 年提出了摩尔定律:每年单位面积内的晶体管数量会增加一倍,性能也会提升一倍。这意味着,在相同价格的基础上,能获得的晶体管数量翻倍。不过......
中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望摩尔定律失效,芯片性能提升遇瓶颈(2023-04-03)
中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望摩尔定律失效,芯片性能提升遇瓶颈;在探讨Chiplet(小芯片)之前,摩尔定律是绕不开的话题。戈登·摩尔先生在1965 年提出了摩尔定律:每年单位面积内的晶体管数量......
中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望(2023-03-30)
中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望;摩尔定律失效,芯片性能提升遇瓶颈
在探讨Chiplet(小芯片)之前,摩尔定律是绕不开的话题。戈登·摩尔先生在1965 年提出了摩尔定律:每年单位面积内的晶体管数量......
中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望(2023-04-03)
出了摩尔定律:每年单位面积内的晶体管数量会增加一倍,性能也会提升一倍。这意味着,在相同价格的基础上,能获得的晶体管数量翻倍。不过,摩尔先生在十年后的1975年,把定律的周期修正为24个月。至此,摩尔......
重磅!台积电公布首个“埃级”制程技术(2024-04-26)
% 至 10%,或在相同频率和晶体管数量下,功耗降低 15% 至 20%。
......
英伟达GPU弱爆了!世界第一AI芯片升级4万亿晶体管、90万核心(2024-03-14)
能再大太多了。
晶体管数量继续增加达到惊人的4万亿个,AI核心数量进一步增加到90万个,缓存容量达到44GB,外部搭配内存容量可选1.5TB、12TB、1200TB。
乍一看,核心数量、缓存容量增加的不多,但性......
QORVO GAN-ON-SIC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽(2017-06-29)
-on-SiC晶体管的唯一供应商。电压更高的晶体管具有多种关键优势,其中包括更大的输出功率,更小的电流损耗,更高的可靠性;系统设计中要求的此类晶体管数量也更少。另外,宽带匹配可以提高能效,从而......
摩尔定律是否走到尽头?半导体巨头CEO观点出现严重分歧(2022-09-30)
态系合作,摩尔定律10年内仍有效。
摩尔定律是由英特尔联合创办人Gordon Moore 1960年代提出,芯片晶体管数量每隔一年就会翻倍成长,增强运算能力。想增加晶体管数,必须做得更小,就要......
AMD Zen4 IO内核首次揭秘,902亿晶体管(2023-03-07)
毫米,大约33.7亿个晶体管。
霄龙的则达到了24.8×15.6=386.88平方毫米,长度多出一倍,宽度多出三分之二,整体大了几乎2.3倍,晶体管数量则有大约110亿个,也是多了将近2.3......
Sondrel 完成数十亿 5 纳米晶体管芯片设计(2024-01-24 09:32)
通常会同时进行几个这样的超大型芯片设计,因为我们拥有 130 多名工程师,可以利用内部的技术资源组建设计每个阶段所需的团队。我们正在利用所有这些技能,在 3 纳米工艺下进行更复杂的设计,其中晶体管数量将超过 1,000 亿个......
Sondrel 完成数十亿 5 纳米晶体管芯片设计(2024-01-23)
通常会同时进行几个这样的超大型芯片设计,因为我们拥有 130 多名工程师,可以利用内部的技术资源组建设计每个阶段所需的团队。我们正在利用所有这些技能,在 3 纳米工艺下进行更复杂的设计,其中晶体管数量将超过 1,000 亿个。
有关......
什么是摩尔定律?摩尔定律陷入瓶颈期(2022-12-22)
间,半导体行业一直遵循着摩尔定律发展,芯片做的越做越小,单位面积的晶体管数量越来越多,功耗越来越低,价格也越来越便宜。
但现在,半导体制程工艺逼近极限,自从芯片进入5nm时代,相比于此前40nm到......
关于图像传感器的像素误区(2023-06-20)
) 上的晶体管数量每两年增加一倍。为了将两倍数量的晶体管放置在单个器件上,缩小晶体管是主要实现方式。这种趋势已经持续了数十年,但近年晶体管数量增长速度有所减缓。晶体管密度增大还导致单位晶体管......
IEDM2022:延续摩尔定律,英特尔底层创新不断(2022-12-09)
。
从一个到一万亿个,晶体管数量的增长将进一步印证摩尔定律的预言。而为了延续摩尔定律,英特尔提出了RibbonFET以及PowerVia两大突破性技术,以及High-NA光刻等,以达成这一雄伟目标。
在......
“争议”摩尔定律,英特尔反驳英伟达“结束论”(2023-03-28)
片(die)面积不变(即升级架构,不增加晶体管数量)、良率不变的情况下,未来苹果A17处理器如果采用3nm制程,成本将上涨到154美元/颗,成为iPhone第一大成本零部件,而5nm的A15处理......
AMD祭出“史上最复杂芯片”:狂塞1460亿个晶体管 采用Chiplet技术(2023-01-09)
尔的服务器GPU Ponte Vecchio集成了1000亿个晶体管,英伟达新核弹H100的晶体管数量则为800亿。
值得注意的是,Instinct MI300采用......
刘鹤主持召开会议 专题讨论面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术(2021-05-17)
议还专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。
据了解,摩尔定律是指通过芯片工艺的演进,每18个月芯片上可容纳的晶体管数量翻一番,达到提成芯片性能和降低成本的目的。近年来,随着芯片工艺不断演进,硅的......
消息称英伟达 RTX 5090 核心数比前代多 50%、综合性能提升 70%(2023-09-21)
台积电的 3nm(N3)节点上制造,晶体管数量将超过 150 亿,密度接近 3 亿 / mm²,核心时钟将超过 3 Ghz,总线密度将达到 512 bits。......
四张图看懂晶体管现状(2022-11-29)
寸并不是工程师一直在改进的唯一特征。
1947年,只有一个晶体管。根据 TechInsight 的预测,半导体行业今年有望生产近 20 亿万亿 (1021) 台设备。这比 2017 年之前所有年份累计制造的晶体管数量还要多。在这......
三星下一代 3nm / 4nm 节点有望明年下半年量产(2023-11-03)
星表示 SF3 比 SF4(4LPP、4nm 级、低功耗)有重大改进:包括在相同功率和复杂性下性能提高 22%,或者在相同频率和晶体管数量下功耗降低 34%,以及逻辑面积减少 21%。
......
英伟达B200成本约6000美元,售价或高达4万美元!(2024-03-21)
。
在昨天的英伟达GTC 2024大会上,英伟达正式发布了全新一代AI加速芯片B200,基于台积电的N4P制程工艺,晶体管数量达到了2080亿个,是H100的800亿个晶体管两倍多,并且......
高达920亿晶体管!苹果发布M3系列PC芯片,采用3nm工艺(2023-11-02)
线程性能提升;
M3 Max芯片中的晶体管数量增加到920亿个,配备16核CPU,40核GPU,128GB统一内存,相比M1 Max,GPU性能最快达50%,CPU性能提升高达80%。
同时,M3......
英特尔宣布推出用于下一代先进封装的玻璃基板(2023-09-19)
基板是下一代半导体可行、且必不可少的下一步。
英特尔正致力于在2030年前将单一封装芯片中的晶体管数量上限提高至1万亿个,其包括玻璃基板在内的先进封装方面的持续创新,将有助于实现这一目标。
封面图片来源:拍信网......
还不会设计晶体管施密特触发器?不要错过(2024-06-21)
组装成本也会比较高,应该会有更好的解决方案。
晶体管施密特触发器改进电路
1、晶体管数量不变,电阻数量减少,有效地利用 PNP晶体管的增益
最初的晶体管电路实际上只是具有正反馈的长尾对,像这样画出来,并从......
黄仁勋才挺台积电将生产英伟达下代芯片,3纳米RTX5090规格曝光(2023-06-05)
为Ada Lovelace,而下一代英伟达RTX显卡系列,其代号为Blackwell,并表示这些GPU将在台积电的3纳米(N3)节点制程上生产,内含晶体管数量将超过150亿个,晶体管密度接近3亿/mm......
锐成芯微推出基于8nm工艺的PVT Sensor IP(2024-11-08 10:23)
临工艺、电压、温度(PVT)方面带来的挑战:先进制程芯片的工艺偏差、制造复杂性带来更多的不确定性;海量的晶体管数量和越来越小的晶体管尺寸或引起电压下降而影响信号、功耗和性能;散热也因晶体管数量......
豪赌先进制程,三星快台积电一步?(2022-06-29)
工艺节点将首次使用GAAFET架构,计划在2025年投产。作为全新的平台,N2 将广泛采用EUV极紫外光刻。新的环栅晶体管结构将大大降低漏电流并提高性能、降低功耗:同等功率和晶体管数量下性能提升10%到......
从三大半导体公司Chiplets(芯粒)方案看其神奇之处(2023-01-05)
体制造也正面临越来越严峻的挑战,目前晶体管数量翻倍速度已经延缓至30个月左右。于是,很多人就会禁不住怀疑,摩尔定律是否还能延续,甚至还有更激进的想法则是,摩尔定律已死。
不管......
先进制程现状:近闻“涨声”,远听“炮声”(2024-06-19)
年量产。与第一代N2工艺相较,N2P相同主频和晶体管数量的情况下,功耗可降低5%-10%,在相同功耗和晶体管数量的情况下,性能可提高5%-10%。表明晶体管架构已从平面FET演进至鳍片FET......
相关企业
模块、工业模块、对讲机、POS机、智能家居等多元化产品、公司常备大量全新原装库存,如高通骁龙410(MSM8916)、骁龙845(SDM845)、骁龙835(MSM8998)、骁龙660(SDM660
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:1.NPN硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件:小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管,晶体管,MOS管,压敏电阻,TVS管,整流管,稳压管,双晶体管,数字晶体管,镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想,急客户之所急的经营思路,快速,高效,灵活
类电子元器件,主要产品包括:高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商,公司位于华强北电子大厦。主要产品:稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
;瀚博(香港)集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管,晶体管,MOS管,TVS管,整流
;瀚博集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管,晶体管,MOS管,压敏电阻,TVS管
;安丘市中惠电子有限公司;;安丘市中惠电子有限公司,毗邻美丽的世界风筝都-潍坊,是国内生产半导体分离器件的专业厂家。主要生产高、低频大功率晶体管,高频小功率晶体管,高反压大功率晶体管、三极管、达琳顿晶体管