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，并计划在在日本京都举行的今年 VLSI 技术与电路研讨会上披露更多相关信息。 三星的 Sf3 制造技术预计将采用该公司的第二代多桥通道场效应晶体管(MBCFET)，这种......
）的节点。 三星代工的3GAE工艺技术是该公司首次使用 GAA 晶体管 ，三星将其称之为“多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET)”，即纳米片（nanosheets）水平层制成的沟道......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代; 【导读】日前，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
动车的交流电电动机的输出控制。 传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管......
方案优化了三星2nm工艺，改善了面积、性能和能效。按照计划，三星在明年量产2nm芯片，据了解，三星2nm优化了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，还引入了独特的外延和集成工艺，与现有的FinFET相比，新工艺显著提升了晶体管......
PD标准。这款控制器内置N沟道场效应晶体管（NFET）栅极驱动，具有故障保护和压摆率控制等功能。此外，它还搭载了一颗主频高达48 MHz的32位Arm® Cortex®-M0 Plus 处理器，并且......
-C和PD标准。这款控制器内置N沟道场效应晶体管（NFET）栅极驱动，具有故障保护和压摆率控制等功能。此外，它还搭载了一颗主频高达48 MHz的32位Arm® Cortex®-M0 Plus处理器，并且......
品可以支持双口/单口 USB Type-C，并且支持最新的USB Type-C和PD标准。这款控制器内置N沟道场效应晶体管（NFET）栅极驱动，具有故障保护和压摆率控制等功能。此外，它还搭载了一颗主频高达48......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
研究实现了三方面技术革新： 首先，采用高载流子热速度（更小有效质量）的三层硒化铟作沟道，实现了目前场效应晶体管的最高值； 第二，解决了二维材料表面生长超薄氧化层的难题，制备出2.6纳米......
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻......
转换效率和功率密度是设计成功的关键。本文引用地址： 为了满足这些要求，开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件，因为......
品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极沟槽能为栅极提供多少保护，使其免受高电场的影响？ 图2：罗姆的第3代碳化硅金氧半场效晶体管（来源......
局将栅极密度增加了约1.3倍。 然而，在罗姆最新的第4代产品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极沟槽能为栅极提供多少保护，使其......
的六边形布局，该布局将栅极密度增加了约1.3倍。 然而，在罗姆最新的第4代产品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
窥三星目前发展。 报道指出，GAAFET其实有两种，一种是使用纳米线做为电子电晶体鳍片的常见GAAFET，另外一种则是以纳米片形式出现的较厚鳍片多桥通道场效应电子电晶体MBCFET。两种都在栅极材料所在侧面围绕沟道......
二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付1000多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
制备的银转移电极MoS2背栅场效应晶体管阵列照片；（b）10×10晶体管阵列开关比统计结果；（c）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管转移特性；（d）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管输出特性曲线。  封面......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案; 【导读】宜普电源转换公司（EPC）和立锜科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管; 宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;转换公司（EPC）和科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204......
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息，7月21日，合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应晶体管......
置为同步半桥、全桥拓扑或降压、升压和降压-升压拓扑。LTC7890/1同步降压控制器是一款高性能DC-DC器件，通过高达100V的输入电压驱动N沟道同步GaN场效应晶体管 (FET) 功率级。这些......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管......
生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
的进一步微缩； RibbonFET晶体管与FinFET晶体管（鳍式场效应晶体管）的对比示意图 •性能提升：栅极的全面环绕增强了对电流的控制，无论在何种电压下，都能提供更强的驱动电流，让晶体管开关的速度更快，从而提升晶体管......
节点实现突破 近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（对应于5纳米技术节点），p型和n型器件的亚阈值摆幅（subthreshold swing......
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
; Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管......
-Around）架构，今年公布SF3（3纳米GAP）第二代3纳米制程，使用第二代多桥通道场效应晶体管（MBCFET），原有SF3E基础上性能最佳化，还有性能增强型SF3P（3GAP+），适合制造高性能芯片。到......
利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。 这种技术可以实现了晶圆级异质 CFET 技术。相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道......
Nexperia Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管......
领域首次报道的高温击穿特性。 ▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较 02增强型氧化镓场效应晶体管......
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计;宜普电源转换公司（EPC）宣布推出激光驱动器IC(EPC21601)，在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称场效晶体管。内部结构(以N-MOSFET为例)如下图所示。 MOSFET......
改善性能和功耗。 三星2022年6月宣布量产SF3E（3纳米GAA）后，导入全新GAA（Gate-All-Around）架构，今年公布SF3（3纳米GAP）第二代3纳米制程，使用第二代多桥通道场效应晶体管......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应......
品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年......
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应......
丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付1000多亿件产品，产品......
器件、显示器件、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管、IGBT、MOSFET、继电器与干簧管、开关、保险丝、晶振、连接器、各种......
术上，三星的SF3（现为SF2）使用了环栅(GAA)晶体管，该技术被三星称为多桥通道场效应晶体管(MBCFET)。然而，与英特尔的20A工艺技术相比，SF3（现为SF2）存在一个主要缺点，即不......

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