资讯
基于S3C2410开发板的U-BOOT移植解决方案(2023-01-11)
闪存设备就是为了满足这种需求而迅速发展起来的。目前关于U-BOOT的移植解决方案主要面向的是微处理器中的NOR 闪存，如果能在微处理器上的NAND 闪存中实现U-BOOT的启动，则会......
美光宣布 3D NAND 闪存年底前大量投产(2016-12-16)
美光宣布 3D NAND 闪存年底前大量投产;
半导......
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层，削减非旗舰库存(2023-08-30)
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层，削减非旗舰库存;
【导读】据etnews报道，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取......
闪存制造商正在研发7级单元的3D NAND闪存？(2022-06-17)
闪存制造商正在研发7级单元的3D NAND闪存？;据《PC watch》6月15日报道，铠侠目前正在开发7级单元的3D NAND闪存，暂时只能在实验室的低温条件下实现。目前铠侠并未为7级单元的3D......
缺货！涨价！存储厂商纷纷抢滩3D NAND闪存和SSD(2016-12-16)
缺货！涨价！存储厂商纷纷抢滩3D NAND闪存和SSD;
版权声明：本文由半导体行业观察整理自网络内容，如需转载，请与我们联系，谢谢。
今年的存储器市场异常火爆，特别......
SK海力士打响300层NAND第一枪，NAND闪存格局要变天？(2023-08-18)
SK海力士打响300层NAND第一枪，NAND闪存格局要变天？;
【导读】SK海力士今年8月展示全球最高层321层NAND闪存样品之后，业界关注其他存储厂商何时推出300层以上NAND......
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存(2022-08-03)
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存;· 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产
· 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存......
突发！三星计划NAND闪存涨价20%(2024-03-13)
突发！三星计划NAND闪存涨价20%;
【导读】据朝鲜日报报道，三星电子计划将NAND闪存价格提高20%，该公司决定与大客户重新谈判，以获得公平的价格，并将NAND闪存......
NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓(2024-06-19)
NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓;
【导读】据The Chosun Daily报道，韩国芯片制造商三星电子和SK海力士以及日本的铠侠一直在提高NAND闪存芯片的产量。这一......
NAND闪存三十五年，看得见与看不见的“江湖春秋”(2022-10-19)
NAND闪存三十五年，看得见与看不见的“江湖春秋”;存储器的抹除流程使人想起相机的闪光灯，于是闪存被命名为“Flash”。
1975年，全球第一台数码相机诞生，它的制造者叫做——柯达。作为......
SK海力士展示全球首款321层NAND闪存，计划2025年量产(2023-08-16)
SK海力士展示全球首款321层NAND闪存，计划2025年量产;
【导读】SK海力士宣布，在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次......
外媒：三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存(2022-02-10)
外媒：三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存;据businesskorea报道，三星电子将在2022年底推出200层以上的第8代NAND闪存。
businesskorea引述......
闪存颗粒到底是何物？浅析闪存及制程(2017-02-13)
颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
那么，到底什么是闪存颗？2D NAND和3D NAND之间又有哪些区别和联系？下面，我们......
华邦SpiStack 助力更精准高效的OTA更新，推动汽车及物联网发展(2021-12-23)
在稳定的通信环境下快速完成新版本固件的下载。因此，OTA管理器更适宜配备大容量且能进行快速写入的NAND闪存。在过去，车辆网关使用NOR闪存来存储启动代码及其为其他ECU所下载的新版本固件，以实现安全的OTA固件更新。而采用NOR+NAND组合闪存......
SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品(2023-08-09)
SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品;·SK海力士在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存......
200层以上！三星第八代V-NAND闪存要来了？(2021-06-09)
200层以上！三星第八代V-NAND闪存要来了？;6月8日韩媒消息，三星执行副总裁兼闪存负责人Jaihyuk Song介绍了三星闪存芯片业务最新进展。
Jaihyuk Song透露，三星......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-05)
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！;闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂对于层数的追求永不止步，根据......
消息称 SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存，有望明年上半年量产(2022-08-17)
消息称 SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存，有望明年上半年量产;据外媒 THELEC 今日报道，半导体业界人士透露，SK 海力士计划最早明年上半年量产采用 238......
涨价停不下来？浅析SSD涨价的背后原因(2016-10-27)
颗粒的制造又被以上六家公司所垄断，那么此轮固态价格的上涨，必然就和以上六家公司有关了。
下面，我们就简单的说说，此轮固态硬盘等存储产品价格上涨的第一大原因，即2D NAND(NAND可以简单理解为闪存颗粒)生产线被3D NAND......
NAND闪存复苏缓慢，三星、海力士继续削减！(2023-08-19)
NAND闪存复苏缓慢，三星、海力士继续削减！;
【导读】NAND闪存需求的缓慢复苏使包括三星电子和SK海力士在内的半导体行业陷入困境。这是因为人工智能（AI）行业的增长导致DRAM盈利......
消息指SK海力士加速NAND研发，400+层闪存2025年末量产就绪(2024-08-01)
消息指SK海力士加速NAND研发，400+层闪存2025年末量产就绪; 8 月 1 日消息，韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末......
外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心(2022-08-18)
外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心;据外媒《BusinessKorea》8月17日报道，三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，该中......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-06)
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！;
【导读】闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂......
铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务(2024-04-07)
铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务;4 月 7 日消息，据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日......
全球NAND闪存市场竞争局势白热化(2022-05-20)
全球NAND闪存市场竞争局势白热化;5月16日，爱思开海力士·英特尔DMTM半导体（大连）有限公司非易失性存储器项目在大连保税区正式开工。
据介绍，该项目是辽宁省、大连......
三星加大NAND闪存减产力度，预计年底达50%(2023-09-13)
三星加大NAND闪存减产力度，预计年底达50%;
【导读】据电子时报报道，业内人士透露，三星电子已加大NAND闪存减产力度，预计到2023年底减产幅度将达到50%。今年下半年以来，三星......
238层4D NAND已量产，进入智能手机产品验证(2023-06-12)
和大数据分析。对于 5G 智能手机，更大的容量可以更快地启动和切换多个应用，实现更快的移动体验和更快的多任务处理。
近日，SK海力士宣布已开始量产238层4D NAND闪存，并正......
SK海力士宣布量产238层4D NAND闪存(2023-06-08)
SK海力士宣布量产238层4D NAND闪存;
【导读】SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）8日宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正......
长江存储发布严正声明，回应产能传闻(2021-01-13)
NAND闪存芯片，不过为确保量产芯片质量，该计划有可能会被推迟至今年下半年。
对此，1月13日，长江存储官方微信号发布声明进行回应。
近日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”或......
超高写入速度的QspiNAND：汽车OTA升级新选择(2020-12-28)
据完整性和长期数据保留的能力成为程序代码存储的常规选择。但在最近的电子工程研究发表及技术会议上，考虑使用串行NAND闪存替代SPI NOR的相关讨论，引起了广泛关注。
近日，宝马集团宣布将对全球逾75万辆......
Yole：NAND闪存及控制器的市场趋势(2023-01-12)
Yole：NAND闪存及控制器的市场趋势;
【导读】据欧洲知名半导体分析机构Yole发布的报告显示，2020年起，NAND闪存市场发展趋势保持稳定增长，2021年，NAND闪存......
美光官宣，业界首款232层NAND量产(2022-07-27)
。
美光方面，232层NAND不是该公司闪存技术迭代的终点，今年5月美光曝光的技术路线图显示，232层之后美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。
△美光闪存技术路线
美光......
2021年准备迎接存储器成长周期，各厂商摩拳擦掌(2020-12-23)
存储器大厂美光则是在2020年初宣布，已经开始向客户出样最新DDR5存储器，以第3代10纳米级1z纳米制程打造，性能提升85%。
而除了DDR5的DRAM竞争之外，存储器厂商也在NAND Flash快闪存......
斥资90亿美元！SK hynix官宣收购英特尔闪存业务(2020-10-20)
士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。
据了解，此次SK hynix将收购所有英特尔NAND闪存业务，包括NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务，以及其在中国大连的NAND闪存......
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存(2024-11-21)
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存;· 开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存，将于明年上半年开始供应
· 采用“3-Plug”工艺技术突破堆叠极限，与上一代相比，性能......
NAND闪存，迎新局(2024-09-14)
NAND闪存，迎新局;2024年的存储市场风云变幻，整体上传出很多好声音，合约价格上涨、原厂营收明显增长、技术多点突破...在此之下，存储大厂的每一步布局都是在枕戈待旦，同时NAND闪存......
机构称三星晶圆代工业务Q3营收55.8亿美元 首次超过NAND闪存业务(2022-12-14)
机构称三星晶圆代工业务Q3营收55.8亿美元 首次超过NAND闪存业务;据国外媒体报道，7nm及5nm制程工艺量产时间稍晚、3nm制程工艺率先量产的三星电子，是台......
紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存(2022-08-17)
紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存;据 BusinessKorea 报道，三星电子将在今年内发布 236 层 NAND 闪存产品。此外，它还......
全球两大存储厂新消息！(2024-04-25)
全球两大存储厂新消息！;近日，三星、铠侠两大存储厂公布新消息：三星量产第9代V-NAND、铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样。
三星开始量产第9代V-NAND
4月23日，三星......
全球两大存储厂新消息！(2024-04-25)
全球两大存储厂新消息！;近日，、两大厂公布新消息：量产第9代V-NAND、新一代UFS 4.0闪存芯片出样。本文引用地址：开始量产第9代V-NAND
4月23日，三星电子宣布，其1Tb TLC第9代......
西部数据、铠侠闪存芯片被污染事件后续：部分厂家停止接单，SSD成本价上涨？(2022-02-14)
其日本两家工厂停工。铠侠预计传统2D闪存的出货不会受影响，而3D NAND闪存是主要受影响的产品。目前这两家公司也尚不清楚，工厂中断的影响会有多严重，同时也未给出何时恢复生产的声明。
据铠侠透露，自2022年1月下......
SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存(2023-06-08 11:30)
SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存;• 开始量产并同时与全球智能手机客户公司进行验证• 以业界最高层、超小型产品，确保最高水平的成本和品质竞争力• "以NAND技术......
2017 年中国将推自主生产 32 层堆叠 3D NAND 闪存(2016-10-22)
2017 年中国将推自主生产 32 层堆叠 3D NAND 闪存;
半导体行业观察随着当前智能手机、SSD......
NAND闪存芯片进入革新时代(2022-08-05)
NAND闪存芯片进入革新时代;近日，美光和SK海力士相继官宣，其NAND闪存芯片对堆叠层数突破200层限制。
其中，美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的......
SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产(2024-11-21)
SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产;
11月21日消息，今天SK海力士官方宣布，已开始量产全球首款321层1TB TLC 4D NAND闪存。
SK海力士表示，公司从2023......
消息称 NAND 闪存价格今年下半年进一步下跌，季度降幅达近 20%(2022-08-24)
消息称 NAND 闪存价格今年下半年进一步下跌，季度降幅达近 20%;据 DIGITIMES 报道，业内人士透露，NAND 闪存的价格将在 2022 年下半年进一步下降，因为......
减产策略奏效，三星短期内将持续调涨NAND Flash价格(2023-11-07)
减产策略奏效，三星短期内将持续调涨NAND Flash价格;
【导读】据台媒《科技新报》报道，存储大厂三星在2023年第二季起就开始削减DRAM芯片和NAND Flash闪存的产量，以应......
SSD容量“狂飙”！(2023-04-04)
司表示，到2025-2026年，公司将推出300TB NVMe SSD。他们计划使用定制的SSD主控搭配3D NAND闪存，用于FlashArray系统，并在定制的FlashBlade操作......
NAND闪存价格将在2023年第一季度下跌(2022-10-30)
NAND闪存价格将在2023年第一季度下跌;
【导读】据Digitimes报道，业内人士表示，随着对数据中心和企业存储的需求开始减弱，NAND闪存价格在2022年第四季度仍将大幅下跌，存储......
DS Techopia计划将NAND闪存芯片所需材料扩产50%(2022-04-08)
DS Techopia计划将NAND闪存芯片所需材料扩产50%;据韩媒TheElec 4月4日消息，韩国NAND闪存芯片材料供应商DS Techopia计划在第三季度将其用于生产NAND闪存......
相关企业
;深圳市比亚泰科技有限公司;;长期求购NAND Flash，闪存芯片
;W25X40CL;W25Q40C;W25D40;W25Q80D;W25D80 W25Q16DV;W25Q32F;W25Q64F;W25Q128F;W25Q256F 串口式（SPI）NAND型闪存: 1Gb
;深圳市福田区三源达电子商行;;本公司专业经营：闪存芯片, NAND FLASH ,K9F全系列,HY27UF全系列``````主要经营的品牌有：ＨＹＮＩＸ，ＳＡＭＳＵＮＧ，ＭＩＣＲＯＮ，ＩＮＴＥＬ
;恒达创新科技;;台湾力晶中国区总代理是一家从事NAND FLASH（闪存）为主导产品，公司本着成心为本，精诚创业的精神理念，坚持“以人为本”的管理思想，努力为客户打造一个安全稳固的后盾
;深圳市轩特电子有限公司;;轩特电子，专营原装正品 Micron 全系列★ Forté?系列串行闪存Forté? M25P：适用于代码存储的串行闪存常备型号：M25P10，M25P20，M25P40
;深圳市南方星电子有限责任公司;;南方星电子有限公司多年从事IC产品的代理服务。专业代理韩国现代（HYNIX）MEMEORY和FLASH、三星(SAMSUNG)、INTEL，镁光、东芝等NAND
器 IC eMMC F-RAM NAND闪存 NOR闪存 NVRAM 可擦除可编程ROM 电可擦除可编程只读存储器 动态随机存取存储器 托管型NAND 存储器 存储器 IC 开发工具 存储
;深圳优讯微科技有限公司;;我司主要经营内存/闪存 DRAM、SDRAM、NAND FLASH、EMMC、EMCP 等系列存储芯片，以及停产/偏冷门IC。产品广泛用于：通讯、网络、安防、车载、导航
日本的物流和基础设施问题导致硅供应中断，不仅会影响NAND闪存、DRAM、微控制器、标准逻辑、LCD面板和LCD元件，而且会影响分立器件等产品，如MOSFET、双极晶体管和小信号晶体管。 本文来自维库电子市场网 http
Samsung三星 Hynix现代 MTK联发科 等系列手机套片 EMMC存储器 MCP存储器 NAND闪存 DDR内存