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闪存设备就是为了满足这种需求而迅速发展起来的。目前关于U-BOOT的移植解决方案主要面向的是微处理器中的NOR 闪存，如果能在微处理器上的NAND 闪存中实现U-BOOT的启动，则会......
美光宣布 3D NAND 闪存年底前大量投产; 半导......
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层，削减非旗舰库存; 【导读】据etnews报道，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取......
闪存制造商正在研发7级单元的3D NAND闪存？;据《PC watch》6月15日报道，铠侠目前正在开发7级单元的3D NAND闪存，暂时只能在实验室的低温条件下实现。目前铠侠并未为7级单元的3D......
缺货！涨价！存储厂商纷纷抢滩3D NAND闪存和SSD; 版权声明：本文由半导体行业观察整理自网络内容，如需转载，请与我们联系，谢谢。 今年的存储器市场异常火爆，特别......
SK海力士打响300层NAND第一枪，NAND闪存格局要变天？; 【导读】SK海力士今年8月展示全球最高层321层NAND闪存样品之后，业界关注其他存储厂商何时推出300层以上NAND......
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存;· 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产 · 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存......
突发！三星计划NAND闪存涨价20%; 【导读】据朝鲜日报报道，三星电子计划将NAND闪存价格提高20%，该公司决定与大客户重新谈判，以获得公平的价格，并将NAND闪存......
NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓; 【导读】据The Chosun Daily报道，韩国芯片制造商三星电子和SK海力士以及日本的铠侠一直在提高NAND闪存芯片的产量。这一......
叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成，将使得三星处于NAND Flash技术的领先位置，将有......
NAND闪存三十五年，看得见与看不见的“江湖春秋”;存储器的抹除流程使人想起相机的闪光灯，于是闪存被命名为“Flash”。 1975年，全球第一台数码相机诞生，它的制造者叫做——柯达。作为......
SK海力士展示全球首款321层NAND闪存，计划2025年量产; 【导读】SK海力士宣布，在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次......
外媒：三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存;据businesskorea报道，三星电子将在2022年底推出200层以上的第8代NAND闪存。 businesskorea引述......
颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。 那么，到底什么是闪存颗？2D NAND和3D NAND之间又有哪些区别和联系？下面，我们......
在稳定的通信环境下快速完成新版本固件的下载。因此，OTA管理器更适宜配备大容量且能进行快速写入的NAND闪存。在过去，车辆网关使用NOR闪存来存储启动代码及其为其他ECU所下载的新版本固件，以实现安全的OTA固件更新。而采用NOR+NAND组合闪存......
SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品;·SK海力士在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存......
200层以上！三星第八代V-NAND闪存要来了？;6月8日韩媒消息，三星执行副总裁兼闪存负责人Jaihyuk Song介绍了三星闪存芯片业务最新进展。 Jaihyuk Song透露，三星......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！;闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂对于层数的追求永不止步，根据......
消息称 SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存，有望明年上半年量产;据外媒 THELEC 今日报道，半导体业界人士透露，SK 海力士计划最早明年上半年量产采用 238......
颗粒的制造又被以上六家公司所垄断，那么此轮固态价格的上涨，必然就和以上六家公司有关了。 下面，我们就简单的说说，此轮固态硬盘等存储产品价格上涨的第一大原因，即2D NAND(NAND可以简单理解为闪存颗粒)生产线被3D NAND......
NAND闪存复苏缓慢，三星、海力士继续削减！; 【导读】NAND闪存需求的缓慢复苏使包括三星电子和SK海力士在内的半导体行业陷入困境。这是因为人工智能（AI）行业的增长导致DRAM盈利......
消息指SK海力士加速NAND研发，400+层闪存2025年末量产就绪; 8 月 1 日消息，韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末......
JEDEC带来增强型NAND闪存接口标准;JEDEC固态存储协会宣布，推出JESD230G：NAND闪存接口互操作性标准。其引入了4800 MT/s的速率，相比于2011年发布的第一版JESD230......
外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心;据外媒《BusinessKorea》8月17日报道，三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，该中......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！; 【导读】闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂......
铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务;4 月 7 日消息，据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日......
全球NAND闪存市场竞争局势白热化;5月16日，爱思开海力士·英特尔DMTM半导体（大连）有限公司非易失性存储器项目在大连保税区正式开工。 据介绍，该项目是辽宁省、大连......
三星加大NAND闪存减产力度，预计年底达50%; 【导读】据电子时报报道，业内人士透露，三星电子已加大NAND闪存减产力度，预计到2023年底减产幅度将达到50%。今年下半年以来，三星......
和大数据分析。对于 5G 智能手机，更大的容量可以更快地启动和切换多个应用，实现更快的移动体验和更快的多任务处理。 近日，SK海力士宣布已开始量产238层4D NAND闪存，并正......
SK海力士宣布量产238层4D NAND闪存; 【导读】SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）8日宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正......
NAND闪存芯片，不过为确保量产芯片质量，该计划有可能会被推迟至今年下半年。 对此，1月13日，长江存储官方微信号发布声明进行回应。 近日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”或......
Yole：NAND闪存及控制器的市场趋势; 【导读】据欧洲知名半导体分析机构Yole发布的报告显示，2020年起，NAND闪存市场发展趋势保持稳定增长，2021年，NAND闪存......
据完整性和长期数据保留的能力成为程序代码存储的常规选择。但在最近的电子工程研究发表及技术会议上，考虑使用串行NAND闪存替代SPI NOR的相关讨论，引起了广泛关注。 近日，宝马集团宣布将对全球逾75万辆......
。 美光方面，232层NAND不是该公司闪存技术迭代的终点，今年5月美光曝光的技术路线图显示，232层之后美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。 △美光闪存技术路线 美光......
存储器大厂美光则是在2020年初宣布，已经开始向客户出样最新DDR5存储器，以第3代10纳米级1z纳米制程打造，性能提升85%。 而除了DDR5的DRAM竞争之外，存储器厂商也在NAND Flash快闪存......
士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。 据了解，此次SK hynix将收购所有英特尔NAND闪存业务，包括NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务，以及其在中国大连的NAND闪存......
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存;· 开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存，将于明年上半年开始供应 · 采用“3-Plug”工艺技术突破堆叠极限，与上一代相比，性能......
NAND闪存，迎新局;2024年的存储市场风云变幻，整体上传出很多好声音，合约价格上涨、原厂营收明显增长、技术多点突破...在此之下，存储大厂的每一步布局都是在枕戈待旦，同时NAND闪存......
机构称三星晶圆代工业务Q3营收55.8亿美元 首次超过NAND闪存业务;据国外媒体报道，7nm及5nm制程工艺量产时间稍晚、3nm制程工艺率先量产的三星电子，是台......
紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存;据 BusinessKorea 报道，三星电子将在今年内发布 236 层 NAND 闪存产品。此外，它还......
全球两大存储厂新消息！;近日，三星、铠侠两大存储厂公布新消息：三星量产第9代V-NAND、铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样。 三星开始量产第9代V-NAND 4月23日，三星......
全球两大存储厂新消息！;近日，、两大厂公布新消息：量产第9代V-NAND、新一代UFS 4.0闪存芯片出样。本文引用地址：开始量产第9代V-NAND 4月23日，三星电子宣布，其1Tb TLC第9代......
其日本两家工厂停工。铠侠预计传统2D闪存的出货不会受影响，而3D NAND闪存是主要受影响的产品。目前这两家公司也尚不清楚，工厂中断的影响会有多严重，同时也未给出何时恢复生产的声明。 据铠侠透露，自2022年1月下......
SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存;• 开始量产并同时与全球智能手机客户公司进行验证• 以业界最高层、超小型产品，确保最高水平的成本和品质竞争力• "以NAND技术......
2017 年中国将推自主生产 32 层堆叠 3D NAND 闪存; 半导体行业观察随着当前智能手机、SSD......
NAND闪存芯片进入革新时代;近日，美光和SK海力士相继官宣，其NAND闪存芯片对堆叠层数突破200层限制。 其中，美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的......
NAND技术的开发，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。 业界认为，这一突破将使三星处于NAND闪存技术的前沿，并准备与其他存储厂商展开竞争。 三星......
SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产; 11月21日消息，今天SK海力士官方宣布，已开始量产全球首款321层1TB TLC 4D NAND闪存。 SK海力士表示，公司从2023......
消息称 NAND 闪存价格今年下半年进一步下跌，季度降幅达近 20%;据 DIGITIMES 报道，业内人士透露，NAND 闪存的价格将在 2022 年下半年进一步下降，因为......
减产策略奏效，三星短期内将持续调涨NAND Flash价格; 【导读】据台媒《科技新报》报道，存储大厂三星在2023年第二季起就开始削减DRAM芯片和NAND Flash闪存的产量，以应......

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