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200层以上！三星第八代V-NAND闪存要来了？;6月8日韩媒消息，三星执行副总裁兼闪存负责人Jaihyuk Song介绍了三星闪存芯片业务最新进展。 Jaihyuk Song透露，三星......
DS Techopia计划将NAND闪存芯片所需材料扩产50%;据韩媒TheElec 4月4日消息，韩国NAND闪存芯片材料供应商DS Techopia计划在第三季度将其用于生产NAND闪存芯片......
本身也将在 2017 年推出 32 层堆叠的 3D NAND 闪存。虽然，这样的技术相较韩国三星、日本东芝等国际大厂来说仍有落差，但总是为中国闪存市场跨出第一步。 在中国发展半导体产业的规划中，储存芯片......
NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓; 【导读】据The Chosun Daily报道，韩国芯片制造商三星电子和SK海力士以及日本的铠侠一直在提高NAND闪存芯片的产量。这一......
NAND闪存芯片进入革新时代;近日，美光和SK海力士相继官宣，其NAND闪存芯片对堆叠层数突破200层限制。 其中，美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片......
SSD上涨！业界发出预警;经过去年的多次减产及调价，过去一段时间里SSD的价格不知不觉中已经涨了不少，显然NAND闪存芯片制造商已经从中获益，至少财务上比起去年同期要好很多，而且......
全球两大存储厂新消息！;近日，三星、铠侠两大存储厂公布新消息：三星量产第9代V-NAND、铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样。 三星开始量产第9代V-NAND 4月23日，三星......
全球两大存储厂新消息！;近日，、两大厂公布新消息：量产第9代V-NAND、新一代UFS 4.0闪存芯片出样。本文引用地址：开始量产第9代V-NAND 4月23日，三星电子宣布，其1Tb TLC第9代......
在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3D NAND闪存芯片。据了解，目前三星西安工厂已成为世界上最大的NAND制造基地，约占了三星NAND总产量的40......
消息被放出之后，部分厂家已经停止出货，而群联、美光等厂商暂停接单，不过仍在持续供货。对此，业内人士预判，NAND闪存价格大概率会上涨。 值得注意的是，在西部数据、铠侠闪存芯片被污染事件之前，市调......
NAND闪存芯片（K9F1208U0A）两大部分组成。当要访问NAND闪存芯片中的数据时，必须通过NAND闪存控制器发送命令才能完成。所以， NAND闪存相当于S3C2410的一个外设，而不......
西安三星半导体12英寸闪存芯片二期项目建成投产，西安三星半导体闪存芯片产能占全世界芯片产能的比重超过10%。 资料显示，西安三星半导体作为全球重要的半导体生产基地主要从事高端存储芯片的生产、研发、销售......
元器件采购成本逐步上涨。相较此前的价格低点，国内有存储器下游龙头企业，NAND闪存芯片采购成本上涨近20%，DRAM内存芯片采购成本上涨约30......
具有如下特征： 280 层 1Tb 4b / cell 3D-NAND 闪存： ——280 层：指该闪存芯片由 280 层存储单元垂直堆叠而成，从而提高了存储密度。 ——1Tb：指该闪存芯片......
开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂，占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3D NAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。 据《首尔经济新闻》报道，三星......
关键闪存芯片紧缺，SSD价格即将「飞涨」？; 【导读】据Tom's Hardware报道，由于关键闪存芯片紧缺，SSD的价格将在本季度晚些时候「飞涨」，尤其......
NAND闪存芯片，不过为确保量产芯片质量，该计划有可能会被推迟至今年下半年。 对此，1月13日，长江存储官方微信号发布声明进行回应。 近日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”或......
一种竭泽而渔的商业模式。 上文提到，现在各大闪存芯片厂商正在加紧量产3D NAND，这也是全球闪存芯片厂商必争的制高点。美光、东芝/西部数据（WD SanDisk）、SK海力士，甚至英特尔也加入到3D NAND。但大......
供应商处理过剩库存的压力越来越大。   图源：DIGITIMES 消息人士指出，NAND 闪存芯片供应商现在面临四到五个月的库存。今年下半年，芯片价格将迅速下降，季度价格降幅达到近 20%。 消息人士称，NAND......
英特尔、三星可继续运营在华的NAND芯片业务？;10月11日，英特尔表示，公司已从美国商务部获得为期一年的授权，继续运营其位于中国大连的NAND闪存芯片业务。 据了解，目前，由于......
消息称存储厂商考虑提价; 【导读】综合台湾电子时报、韩国经济日报5月22日报道，继国内存储芯片龙头的NAND闪存正式开始涨价3-5％后，有消息称三星电子、SK海力士等NAND闪存芯片......
2.7亿美元。 闪存芯片产能紧缺最快或在4月出现 针对该起突发事故，市调机构集邦咨询（TrendForce）已经重修了2022年Q1的 NAND闪存价格，之前该机构预估2022年Q1-Q2均价......
-MMC（JEDEC版本5.1）和UFS（JEDEC版本2.1）提供了强大的集成控制器技术，可提供显著的读写速度改进。 与原来的NAND闪存解决方案相比，e-MMC和UFS将NAND闪存和控制器芯片......
三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存，用于AI服务器; 【导读】全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片，以在人工智能（AI）热潮......
三星即将量产290层V-NAND闪存; 【导读】据韩国业界消息，三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片，这是继236层第八代V......
长江存储刚被列入实体清单，三星NAND Flash立马涨价10%; 【导读】12月21日消息，据中国台湾媒体DigiTimes报道称，随着国产NAND Flash闪存芯片......
三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存; 【导读】三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片......
将扩大我们的优质级业务的企业和数据中心的细分市场，以及在消费市场，同时继续加强我们的战略重点固态硬盘。” 三星新推出的256GB 3D V-NAND闪存双打常规128GB的NAND闪存芯片的密度。除了......
： * NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit）可分为SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple......
Memory Summit, FMS): 每年定期在美国加州圣克拉拉举办的全球闪存芯片领域最高级别研讨会。 * NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit）可分为SLC......
科技总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra（梅罗群）表示：“美光第二财季的强劲表现反映了快速改善的市场环境和持续稳健的执行力，我们在DRAM（内存芯片）和NAND（闪存芯片）领域具有技术领先优势，并在......
也与三星间建立起了合作关系，而且最近还与美光有所接触。然而，这种合作协议还仅停留在 NAND 闪存芯片交易层面，而非真正的战略性代工生产联盟。 至于，在 SK 海力士方面，原为一家主要 DRAM 供应......
相关闪存芯片供应不足，部分PCIe 5.0 SSD速度受限？;随着AMD锐龙7000系列发布，并首次支持PCIe 5.0，消费级PCIe 5.0 SSD引发市场关注。 与PCIe 4.0......
至讯创新量产512Mb工业级NAND闪存芯片;至讯创新科技（无锡）有限公司（简称：至讯创新）成功量产并发布512Mb高可靠性二维NAND工业级闪存芯片，实现了业内同等容量下最小的芯片......
版本的iPhone 7为例，这些零部件的成本加起来占到物料总成本（219.80美元）的四分之一以上。有报道称，三星将再次为下一代iPhone供应OLED显示屏和NAND闪存芯片。而提供DRAM芯片......
所官网截图 根据招股说明书，芯天下本次拟公开发行股份不超过3434.00万股，占发行后总股本的比例不低于25%，本次发行不涉及原股东公开发售股份。 资料显示，芯天下是一家专业从事代码型闪存芯片研发、设计......
级单元的MLC 3D NAND闪存出现以来，主控芯片变得越来越复杂，开发和制造成本也越来越高。即便闪存芯片的价格下降了，主控芯片的价格上涨也会抹掉成本优势。 当前，NAND闪存......
在第三季度重新实现了盈利，并预计随着生成型人工智能的繁荣而继续改善。尽管NAND闪存业务仍在亏损，但与今年第一季度和第二季度相比已经有了好转。 值得一提的是，内存芯片......
随着制程提升，存储密度增加，相邻存储单元格电荷干扰问题也就越严重，进而导致数据处理错误率提升以及使用寿命减少等问题。 为了突破这些瓶颈，闪存从平面走向立体，堆叠层数越来越高，闪存芯片......
设施投入数十亿巨资，中国也是韩国芯片的大客户。 据悉，三星电子大约 40% 的 NAND 闪存芯片在其位于中国西安的工厂生产，SK 海力士大约 40% 的 DRAM 芯片在无锡生产，20......
闪存领域新突破，至讯创新重磅展出19nm 2D SLC NAND产品;在7月11日慕尼黑上海电子展上，至讯创新科技（无锡）有限公司展出了基于19nm 2D SLC NAND闪存的全新量产产品，带来了存储行业在二维闪存芯片......
%以上用于研发。据报道，KS Pua 表示，虽然其一些竞争对手削减了研发支出，但它已将对未来产品的投资增加了 20%。 西部数据第四季度表现疲弱，因内存芯片复苏放缓 存储芯片......
导致数据处理错误率提升以及使用寿命减少等问题。 为了突破这些瓶颈，闪存从平面走向立体，堆叠层数越来越高，闪存芯片容量与性能也不断提升。 除了......
【会议预告】敖国锋：全球闪存芯片下半年价格趋势与竞争态势分析;全球半导体产业景气度持续下行，存储器领域同样受到低迷市场波及，DRAM与NAND Flash存储芯片价格持续下探，厂商积极清理库存，并调......
厂商的利润暴跌，最新传闻美国的西数与日本的铠侠谋划合并。 西数前几年收购了闪迪公司才进军了闪存芯片市场，铠侠的前身则是东芝半导体，后者不仅是NAND闪存的发明人，也是跟闪迪合资研发、生产的，只不......
闪存芯片，该芯片采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，新技术可以大大减小NAND闪存的芯片尺寸，有助于降低成本 据介绍，该系列具有低于1ms的6x9 QoS延迟，最大顺序读取速度达7GB......
是无限期地遭受亏损销售。 “预计NAND闪存芯片的价格跌幅将因美光、铠侠等主要制造商的供应削减而收窄，市场需求很可能在2023年第一季度触底。”消息......
系列产品采用232层3D NAND闪存芯片，该芯片采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，新技术可以大大减小NAND闪存的芯片尺寸，有助于降低成本 据美光介绍，该系列SSD具有低于1ms......
的 HBM3E 内存芯片。 三星电子在昨天的三星存储技术日中，展示了内存和闪存......
内存、闪存需求大涨，又要涨价了;这两年，DRAM内存芯片、NAND闪存芯片都需求疲软，导致价格持续处于地位，内存、SSD硬盘产品也越来越便宜。 不过，这种好日子似乎要结束了。 根据......

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