资讯
正确选择MOSFET以优化电源效率(2023-03-27)
恰当分配 HS-FET 和 LS-FET 的内阻以获得最佳效率，这对电源工程师来说是一项挑战。
MOSFET的结构和损耗组成
MOSFET 的选择关乎效率，设计人员需要在其传导损耗和开关损耗......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。
对导通损耗的影响
无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极电压用得越高，导通损耗越小。因为......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识;高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高......
如何在大功率应用中减少损耗、提高能效并扩大温度范围(2023-10-07)
和重量的器件。 Semiconductor 的第四代 SiC MOSFET 具有更高的电压耐受水平、更低的传导和开关损耗以及更小的尺寸，可降低损耗。SiC 是一种 WBG 半导体，与 Si MOSFET 技术相比，在高......
示波器测量mosfet功率损耗(2023-01-03)
示波器测量mosfet功率损耗;文章《MOSFET管芯温度估算》中已经详细分析了mosfet的损耗类型，其中最主要的功率损耗就是开关损耗与导通损耗，我们今天就好好讲讲开关损耗与导通损耗......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
MOSFET开关损耗简介;本文将通过解释功耗的重要来源来帮助您优化开关模式调节器和驱动器电路。本文引用地址：的工作可以分为两种基本模式：线性和开关。在线性模式中，晶体......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
产生拖尾电流，拖尾电流是造成IGBT关断损耗的大的主要原因。SiC MOSFET是单极性器件，只有电子参与导电，关断时没有拖尾电流使得SiC MOSFET关断损耗大大低于IGBT。
开通损耗
IGBT开通......
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算(2023-10-20)
源中某一个30A单相的设计实例，进一步阐明这些概念。
计算MOSFET的耗散功率
为了确定一个MOSFET是否适合于某特定应用，你必须计算一下其功率耗散，它主要包含阻性和开关损耗两部分：
PDDEVICE......
使用PWM输出方式驱动有刷直流电机 : 损耗和注意事项(2023-04-11)
。
●施加电压期间的功耗
（a）图显示了施加电压时的开关（MOSFET）状态。由于电流流过两个MOSFET导通的路径，因此这里的损耗为导通的MOSFET的导通电阻之和×电流的平方。
●电流......
PFC电路：栅极电阻的更改(2023-03-16)
MOSFET SCT2450KE的损耗抑制在5W以下时，作为噪声对策可以将栅极电阻RG提高到多高。
图1：仿真电路“A-5. PFC CCM 2-Phase Vin=200V Iin=5A”
栅极电阻与损耗......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
二极管续流，当完成了对结电容的充放电之后，再打开MOSFET以降低器件的损耗。本文引用地址：
细心的工程师可能就会发现一个有趣的问题，我们这里拿IPW60R024CFD7举例说明，假设死区时刻，流过......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-08-31)
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装;中国上海，2023年8月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
电路
(2)：因二极管反向恢复引起的MOSFET 开关波形：
九、功率MOSFET的功率损耗......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
化硅MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLECS仿真软件建立两者的热模型,进行系统性仿真,得到效率和结温间的对比结果｡最后通过电机对拖实验得出控制器应用碳化硅MOSFET时的效率,验证......
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器(2024-06-20)
容会对MOSFET的开关速率产生不利影响。共源共栅结构所实现的改进同样提升了密度，因为它们使得开关频率可以高于传统硅基器件的实用水平。尽管ZVS避免了开通损耗，但仍然存在死区时间；在此期间没有功率输出。这种......
东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线，有助于工业设备的高效化和小型化(2024-01-25)
（典型值）[5]的低开通损耗。有助于减少设备的功率损耗和减小冷却设备的尺寸。
东芝的iXPLV封装MOSFET模块产品线有三款产品，其中包括现有产品MG800FXF2YMS3（3300......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
-IGBT技术。尽管碳化硅（SiC）器件价格高昂，并且所需的栅极驱动器原理更复杂，比如利用有源米勒钳位抑制寄生元件开通，但是该类器件的损耗大幅降低。因此，对于快速开关器件来说，SiC T-MOSFET......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
更有效地利用有限的电池电量，就需要减少用电元器件的功率损耗。
针对这种需求，开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的MOSFET已逐渐成为业界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的优势，通过灵活运用其IC......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
驱动等电路设计。
不过，这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善，特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低，这些半导体开关的应用范围越来越广。结果，市场......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
，大大降低了在以往分立器件的工艺中会增加的布线电阻，开发出功率损耗更低的小型功率MOSFET。
新产品采用融入了ROHM自有IC工艺......
Littelfuse推出高性能超级结X4－Class 200V功率MOSFET，提供更高效率和可靠性(2024-11-19 10:03)
空间利用率。”超级结X4级功率MOSFET具有以下主要性能优势：• 低传导损耗• 最少的并行连接工作量• 驱动器设计简化，驱动器损耗最小• 简化的热设计• 功率密度增加为什么对于看重极小导通损耗......
三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品(2024-11-15)
电机的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅*SiC-MOSFET，与传统的平面栅**SiC-MOSFET相比，其功率损耗降低了约50%。特有的制造技术，如抑制功率损耗和导通电阻波动的栅极氧化膜工艺，让新款芯片更加耐久稳定，有助......
ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30)
品牌，该品牌的MOSFET产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率(2023-04-20)
器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法(2022-12-05)
英飞凌的 CoolMOSTM C7器件）时，RDSon 则会偏移1.67 倍。这表明针对基于SiC 的 MOSFET器件，工作温度对于功率损耗的影响要小得多，因而可以采用高得多的工作温度。因此，基于 SiC 的......
应对人工智能数据中心的电力挑战(2024-06-24)
和功率密度是两个重要概念，二者相辅相成。我们必须尽可能高效地将来自电网的能量转换为有用功率，减少损耗。为此，电源拓扑不断演变，业界开发了同步整流等技术，并在整流器中采用 MOSFET 取代了损耗......
应对人工智能数据中心的电力挑战(2024-06-24)
必须尽可能高效地将来自电网的能量转换为有用功率，减少损耗。为此，电源拓扑不断演变，业界开发了同步整流等技术，并在整流器中采用 MOSFET 取代了损耗较大的二极管。
改进拓扑结构只成功了一半。为了优化能效，还必......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01 15:49)
易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的MOSFET已逐渐成为业界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的优势，通过灵活运用其IC工艺，大大降低了在以往分立器件的工艺中会增加的布线电阻，开发出功率损耗......
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30 15:01)
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”;有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降低功率损耗......
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率(2023-04-20)
要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗......
应对人工智能数据中心的电力挑战(2024-06-24)
，电源拓扑不断演变，业界开发了同步整流等技术，并在整流器中采用 MOSFET 取代了损耗较大的二极管。
改进拓扑结构只成功了一半。为了优化能效，还必须尽可能提高所有元器件的能效，尤其......
东芝在SiC和GaN的技术产品创新(2023-10-17)
构
3 的SiC MOSFET和GaN的解决方案
● 第三代SiC MOSFET 解决方案
东芝的新型SiC MOSFET 具有低导通电阻，显著降低了开关损耗，现在已经开发出具有低导通电阻、开关损耗......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化(2023-08-29)
MOSFET芯片MG250YD2YMS3开关损耗进行比较（2300V Si模块的性能值是东芝根据2023年3月或之前发表的论文做出的预估）。
......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET——TWxxxZxxxC系列(2023-08-31)
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET——TWxxxZxxxC系列;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L......
不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。
＜术语解说＞
*1......
超共源共栅简史(2023-03-29)
使用额外的低压阻断肖特基二极管来阻止电流流向 MOSFET 体二极管，但这会进一步增加成本，提高导电损耗。并联 MOSFET 可解决导电损耗问题，但这会使动态损耗更高，让电流监测变复杂，且额定电压仍会受限。
SiC 半导......
瑞森半导体超小内阻20mΩ和TO-220F封装70mΩ的超结MOS新品上市(2023-08-08)
内阻为30mΩ左右。瑞森半导体基于丰富的超结MOS开发经验，开发出实测耐压为600V，导通电阻典型值20mΩ的超结（SJ）MOSFET，导通电阻减少了33% ，提高了开关性能，进一步降低功率损耗，可以......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸、超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
。
相比Pch MOSFET，其漏源间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。
*2) 晶圆级芯片尺寸封装
一种在整片晶圆上形成引脚并进行布线等，然后再切割得到单个成品芯片的超小型封装形式。与将......
MOS管的功耗如何计算？(2024-11-07 11:17:59)
MOS管的功耗如何计算？;
通常大家在计算MOSFET功率损耗时，都会采用简单的计算公式：P=Id*Id*Rds(on) ，但这只是MOSFET损耗的一部分，MOSFET的功耗包含几部分呢？
......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-08-31)
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装;电子元件及存储装置株式会社（“”）近日宣布，推出采用有助于的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC......
革新ZVS软开关技术，Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能(2024-07-25)
实现开关元件在无电压或极低电压状态下导通，从而极大程度地减少开关损耗，提高效率。
零电压开关技术依赖于开关器件（如MOSFET或IGBT）的特性，这些器件在导通时具有较低的电阻，而在关断时具有较高的电阻。在ZVS应用中，开关......
东芝扩展1700V碳化硅MOSFET模块的产品线，有助于工业设备的高效化和小型化(2024-04-02)
东芝扩展1700V碳化硅MOSFET模块的产品线，有助于工业设备的高效化和小型化;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）扩大其产品线，开始量产第3代碳化硅（SiC......
三菱电机开始提供集成SBD的SiC-MOSFET模块样品(2023-05-12)
MOSFET模块，采用内置SBD的SiC MOSFET芯片和优化的内部封装结构，能有效降低开关损耗，将很快开始提供样品。至此，三菱电机3.3kV LV100封装共包含4款SiC MOSFET模块和2款Si......
三菱电机开始提供集成SBD的SiC－MOSFET模块样品(2023-05-12 15:17)
率和高可靠性做出贡献，三菱电机开发了这款SiC MOSFET模块，采用内置SBD的SiC MOSFET芯片和优化的内部封装结构，能有效降低开关损耗，将很快开始提供样品。至此，三菱电机3.3kV LV100......
两个开关正激变换器(2023-07-31)
期间存储在漏感中的能量不必在电阻缓冲器或 MOSFET 本身中耗散。与单开关方法相比，这一优点减少了系统功率损耗并降低了系统噪声，因为通常与感应能量释放相关的振铃现在被钳位。因此，无需缓冲电路，转换器的 EMI 特征也大大降低。单开......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块(2023-08-29)
和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3开关损耗进行比较（2300V Si模块的性能值是东芝根据2023年3月或之前发表的论文做出的预估）。
关于......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
/dt和dv/dt，从而降低开关损耗。M3S产品分为13/22/30/40/70mΩ，适配TO247−3L/4L和D2PAK−7L分立封装。
表1. 分立封装中的1200V碳化硅MOSFET(工业......
ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(2023-07-19)
减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！
～通过替换现有的Si MOSFET，可将器件体积减少约99%，功率损耗减少约55%～
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-09-01 15:07)
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装;东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装......
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junct(2023-03-30)
于意大利语的音乐术语。
PrestoMOS™是ROHM自有的功率MOSFET品牌，该品牌的MOSFET产品不仅保持了高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗......
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;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。
;深圳市博宇达科技有限公司;;博宇达科技是一家专业的MOSFET代理商，成立于2006年。主要致力于电源类MOSFET及芯片的推广及应用，代理及分销品牌有TRUESEMI、KIA、STANSON
;深圳市卓佳利科技有限公司;;我公司主要代理分销国外知名品牌集成电路 1.ANALOG POWER INC 专业低压MOSFET全球领先厂商,品质通过SONY,TOYOTO标准,产品
;北京利隆达电子;;专业销售MOSFET,IGBT,IR全系列 主要经营销售IR的MOSFET,IGBT,型号有:IRF540N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830
;川霆科技有限公司;;川霆科技有限公司 位于 高雄市，主营 IC、MOSFET、MEMORY、IC、MOSFET、MEMORY 等。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原
;时间半导体;;MOSFET
: Development Power MOSFET - Sep.2002 : Certification MOSFET Patent - Mar. 2005 : Certification ISO
;深圳市亮州电子有限公司;;深圳市亮州电子有限公司主营低压MOSFET、MOSFET、场效应管、二三极管等。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原