【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）扩大其产品线，开始量产第3代碳化硅（SiC）1700 V、额定漏极电流（DC）为250 A且适用于工业设备的碳化硅MOSFET模块“MG250V2YMS3”。

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）扩大其产品线，开始量产第3代碳化硅（SiC）1700 V、额定漏极电流（DC）为250 A且适用于工业设备的碳化硅MOSFET模块“MG250V2YMS3”。 

新产品MG250V2YMS3的漏源导通电压（检测端子）低至0.8 V（典型值）[1]，可实现低导通损耗。它还具有低开关损耗，其中开通损耗低至18 mJ（典型值）[2]，关断损耗低至11 mJ（典型值）[2]。这有助于减小设备的功率损耗以及散热装置的尺寸。

MG250V2YMS3的杂散电感低至12 nH（典型值），可执行高速开关操作。此外，其可在开关操作时抑制浪涌电压。因此，其可用于高频隔离DC-DC转换器。

东芝2-153A1A封装的碳化硅MOSFET模块的产品线由现有的四款产品组成，分别为MG250YD2YMS3（2200 V/250 A）、MG400V2YMS3（1700 V/400 A）和MG600Q2YMS3（1200 V/600 A），包括新产品。其产品选型范围更广。

未来东芝将继续满足对高效率和减小工业设备尺寸的需求。

注：
[1]测试条件：ID＝250 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C
[2]测试条件：VDD＝900 V，ID＝250  A，Tch＝150 °C

应用

工业设备

• 铁路车辆的逆变器和转换器

• 铁路车辆的辅助电源

• 可再生能源发电系统

• 工业设备的电机控制设备

• 高频DC-DC转换器等

• 
  

特性

• 低漏极-源极导通电压（检测端子）：
  VDS(on)sense＝0.8 V（典型值）（ID＝250 A, VGS＝+20 V, Tch＝25 °C）
  

• 低开通损耗：
  Eon＝18 mJ（典型值）（VDD＝900 V, ID＝250 A, Tch＝150 °C）
  

• 低关断损耗：
  Eoff＝11 mJ（典型值）（VDD＝900 V, ID＝250 A, Tch＝150 °C）
  

• 低杂散电感：
  LsPN＝12 nH（典型值）

• 
  

主要规格

（除非另有规定，Tc＝25 °C）

内部电路

应用电路示例

免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。

推荐阅读：