资讯
存储新境界！金泰克DDR5内存系列产品正式发布！(2021-04-09)
可扩展到8.4Gbps，预取数据能力从DDR4的8n上升为 16n，最高速率可达6400Mbps。
低能耗：
采用最新工艺DDR5的VPP降低到 1.8V，VDDQ和VDD降低到1.1V，功耗......
南芯科技推出完整 LPDDR5/5X和LPDDR4X存储器电源解决方案(2023-08-15)
：
● VDD2的输入电压范围为3.1V至28
● 低静态电流
● LPDDR5内存电源解决方案兼容 LPDDR5X和LPDDR4X......
导入行业领先技术，金泰克DDR5内存蓄势待发(2021-10-12)
可扩展到8.4Gbps，预取数据能力从DDR4的8n上升为 16n。
低能耗：
采用最新工艺DDR5的VPP降低到 1.8V，VDDQ和VDD降低到1.1V，功耗整体下降，性能提升了85%。这是......
金泰克速虎T4 DDR5内存正式发售：大容量 高频率 低功耗(2021-10-25)
速提升46.57%，写入提升了108.2%。
低功耗 电压降低8%
据了解，采用最新工艺DDR5的VPP降低到 1.8V，VDDQ和VDD降低到1.1V，功耗整体下降，性能提升了85%。这是几代DDR......
什么是拉电流和灌电流？(2024-05-07)
但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。
电源设计€€时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调......
DDR硬件设计要点(2024-01-25)
但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。
有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压......
金泰克发布笔记本DDR5内存 超频可到5600MHz(2021-11-10)
容量大、频率高外，笔记本DDR5内存相比DDR4内存功耗也降低了。采用最新工艺DDR5的VPP降低到1.8V，VDDQ和VDD降低到1.1V，功耗整体下降，性能提升了85%。这是几代DDR电压......
深度分析汽车存储市场与产业：美光几乎垄断高端市场(2023-08-10)
通道的，带宽比LPDDR5还高。LPDDR4X与LPDDR4的区别在于Vddq，Vddq是DRAM I/O缓冲的电压，基本上与核心电压VDD合二为一了，电压越低意味着可以有更快的速率和更低的功耗。为了......
汽车存储器的种类和功能是什么(2024-04-30)
通道的，带宽比LPDDR5还高。LPDDR4X与LPDDR4的区别在于Vddq，Vddq是DRAM I/O缓冲的电压，基本上与核心电压VDD合二为一了，电压越低意味着可以有更快的速率和更低的功耗。为了......
SDRAM调试总结(2024-07-31)
能
CAS# ：列地址选通脉冲
RAS# ：行地址选通脉冲
VSS、VSSQ ：地
VDD、VDDQ ：电源
2.3 内部框图
2.4 基本概念
初始化完成之后，想要对一个L-BANK的阵......
LPDDR5 8GB放量起跳，三大原厂厉兵秣马备产能(2020-02-11)
减少数据传输操作的命令来降低整体系统功耗，前者可以将单个阵脚的数据直接复制到其它针脚，后者则减少了SoC和RAM传递数据时的耗电。
另外，LPDDR5还引入了链路ECC纠错，信号电压250mV，Vddq/Vdd2电压还是1.1V。
常程......
佰维推出全新LPDDR5产品，助力移动智能终端升级迭代(2022-11-16)
VDD2又分为VDD2H和VDD2L。相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V。通过动态电压调节 （DVFS）功能，LPDDR5可在低速工作时切换至更低电压......
佰维推出全新LPDDR5产品，助力移动智能终端升级迭代(2022-11-16 15:06)
VDD2又分为VDD2H和VDD2L。相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V。通过动态电压调节 （DVFS）功能，LPDDR5可在低速工作时切换至更低电压......
佰维推出 LPDDR5 + UFS3.1 集成产品 uMCP，可节约 55％ 手(2023-10-11)
佰维推出 LPDDR5 + UFS3.1 集成产品 uMCP，可节约 55％ 手;IT之家 10 月 11 日消息，国产厂商宣布推出 uMCP 系列产品，将内存和闪存集成到一个模块中，容量达 8GB......
佰维推出全新LPDDR5产品，助力移动智能终端升级迭代(2022-11-16)
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LPDDR5内部有三组电压，VDD1/VDD2/VDDQ，其中VDD2又分为VDD2H和VDD2L。相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至......
MAX38801数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:00)
超出额定规格范围时关断稳压器，以防器件损坏。如果发生输出过压(OVP)事件，将停止调节电压。状态引脚用于指示输出电压在范围内并且输出电压处于稳定状态。该器件具有模拟输出，可配置为报告输出电流或结温，精度分别为±5%和±8°C......
AMD Zen底层架构大揭秘，有望挑战Intel(2017-02-10)
单独控制每个CPU核心的电压(以及频率)，还有RDL(电压分布层)、RVDD、VDD(核心电压控制)、VDDM(缓存电压控制)等等，二级、三级缓存也都是单独供电，同时加入了大量先进的频率、电压、温度......
PCIe5开启企业级存储创新之路，江苏华存电子携全系列产品亮相2022存储产业趋势峰会(2021-11-10)
成熟的硬件和固件设计团队发挥自有优势，能够针对不同用户需求，提供理想的定制化服务。
嵌入式存储产品
华存电子将在本次峰会展出自有技术研发而成的eMMC5.1，内存容量范围涵盖16GB/32GB/64GB......
HI3531的DDR3配置流程(2023-09-06)
SDRAM 进行上电操作时，需要遵循JEDEC 标准。即先提供VDD，然后提供VDDQ，最后提供VREF 和VTT。 该初始化过程需要在系统进入NORMAL 模式后进行。在DDRC 32bit 模式......
高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南(2022-12-23)
时，由VBS对该自举电容充电，此时，VBS电源浮动，自举二极管处于反向偏置，轨电压(下桥开关关断，上桥开关导通)和IC电源电压VDD，被隔离开。
图2 自举式电源电路
自举......
布局PCIe Gen5企业级存储，江苏华存电子谈市场竞争与挑战(2021-11-16)
目前存储市场鲜有PCIe Gen5产品，不过值得期待的是，已有不少厂商为此蓄力，国内存储厂商江苏华存电子（以下简称”华存电子”）就是其中之一。
近日，围绕PCIe Gen5存储控制芯片进展、企业......
新一代DDR5 DIMM的五大亮点(2021-04-20)
。在新增判决反馈均衡器（DFE）等新功能后，DDR5可实现更高的I/O速度。
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更低的电压带来更低的功耗
DDR5内存的第二大改良是工作电压（VDD）有所下降，进而......
金泰克闪耀CITE2021，用创新实力展望新蓝图(2021-04-12)
传输更纯净；全新的PMIC电源架构，采用VDD/VDDQ/VPP/VDDSPD/VIO供电，稳定更省电；内置纠错码ECC，读写更稳定；自研高速PCB板，速率稳定有保障；四大......
stm32引脚的VCC与VDD如何连接(2023-08-31)
stm32引脚的VCC与VDD如何连接;stm32单片机作为一种常见的嵌入式设备，是许多电子设备和系统中必不可少的一部分。而在单片机的设计和应用中，电源电压是一个非常重要的参数，其中VCC和VDD......
一种基于STM32的最小系统及串口通信的实现(2023-09-01)
有的模拟电路部分供电，包括ADC模块、复位电路等，即使不使用ADC功能，也需要连接VDDA。建议VDD和VDDA使用同一个电源供电。VDD与VDDA之间的电压差不能超300mV。VDD与VDDA应该......
STM32供电方案一览(2024-01-31)
，也需要连接VDDA，强烈建议VDD和VDDA使用同一个电源供电。比如因为连接着复位电路，如果不连，芯片无法下载代码。
VREF+、VREF-
REF=referencee，VREF表示ADC的外部参考电压......
应用笔记|STM32U575/585 MCU 硬件开发入门(2024-09-18)
VCORE 和 VDD 供电。
• VDDUSB = 3.0 V 至 3.6 VVDDUSB 为外部独立电源，为 USB 收发器供电。VDDUSB 电压电平独立于 VDD 电压。不使用 USB 时......
应用笔记 | STM32U575/585 MCU 硬件开发入门(2024-09-19)
电容。
– Flash 由 VCORE 和 VDD 供电。
• VDDUSB = 3.0 V 至 3.6 V
VDDUSB 为外部独立电源，为 USB 收发器供电。VDDUSB 电压电平独立于 VDD 电压。不使......
STM32U575/585 MCU硬件开发入门(2024-05-17)
VCORE 和 VDD 供电。
• VDDUSB = 3.0 V 至 3.6 V
VDDUSB 为外部独立电源，为 USB 收发器供电。VDDUSB 电压电平独立于 VDD 电压。不使用 USB 时......
澜起科技率先试产DDR5第二子代RCD芯片(2022-05-09)
支持速率提升16.67%。该芯片采用双通道内存架构，支持1.1V VDD和1.0V VDDIO电压及多种节电模式，更为节能。除了在芯片层面提供业界领先的性能、能效比和可靠性以外，澜起科技的RCD02解决......
澜起科技率先试产DDR5第二子代RCD芯片(2022-05-09)
支持速率提升16.67%。该芯片采用双通道内存架构，支持1.1V VDD和1.0V VDDIO电压及多种节电模式，更为节能。除了在芯片层面提供业界领先的性能、能效比和可靠性以外，澜起科技的RCD02解决......
澜起科技率先试产DDR5第二子代RCD芯片(2022-05-09)
支持速率提升16.67%。该芯片采用双通道内存架构，支持1.1V VDD和1.0V VDDIO电压及多种节电模式，更为节能。除了在芯片层面提供业界领先的性能、能效比和可靠性以外，澜起科技的RCD02解决......
基于STM32芯片的电源监控器应用方案(2023-07-11)
的内部具有电源监控器用于检测 VDD的电压，以实现复位功能及掉电紧急处理功能，保证系统可靠地运行。
1. 上电复位与掉电复位（POR与 PDR）
当检测到 VDD 的电压低于阈值 VPOR及 VPDR 时，无需......
STM32的电源管理与低功耗控制设计(2024-04-19)
以降低FCLK频率。
《STM32中文参考手册_V10.pdf》
4.1电源
STM32的工作电压（VDD）为2.0～3.6V。通过内置的电压调节器提供所需的1.8V电源。 当主电源VDD掉电后，通过......
STM32F7X硬件电路设计解读(2024-04-29)
。当然，如果VDD跟VDDUSB、VDDSDMMC共用一个电压就不用考虑。
图6. STM32F7系列MCU的VDDUSB上电时序注意事项
接下来看VDDDSI、VCAPDSI、和VDD12DSI......
STM32G0技术详解 _ PWR(2023-03-03)
使能的，无论VDD斜率如何，只要MCU供电电压降到所选的阈值以下就能复位，可以通过选项字节BORR_LEV[1:0]和BORF_LEV[1:0]分别对上升沿和下降沿选择4种阈值。
除了standby和......
又一国产存储芯片发布！(2024-05-10)
速率高达4266Mbps，VDDQ电压低至0.6V，融入PASR(Partial Array Self-Refresh)休眠机制，相较上一代LPDDR3产品性能提升128%，功耗降低超过50%。
封面......
MCX A系列微处理器之供电系统(2024-06-21)
, 和IO供电。Core LDO会把VDD电压转化成Core电压， 从而给Core Domain供电。另外有VDD_ANA的供电引脚，给模拟模块ADC供电，还有VDD_USB供电引脚，给USB......
STM32F7 电源控制器（PWR）(2023-03-06)
的状态来进行配置，当这个引脚连接到VDD的时候，内部复位电路打开；当这个引脚连接到VSS的时候，内部复位电路关闭。
F7的备份域包括RTC和4KB的备份RAM以及给备份RAM供电的低功耗电压调节器。对于......
西安紫光国芯推出超低功耗LPDDR4x车规芯片(2022-08-26)
、T-Box、智能驾驶、DVR等领域。
据介绍，相较LPDDR3，该款LPDDR4x功耗降低30%。该款芯片采用25nm制程工艺制造，单颗容量2Gb、4Gb、8Gb，数据传输率3200Mbps，电压......
澜起科技在业界率先试产DDR5第三子代RCD芯片(2023-10-27 10:19)
芯片采用双通道架构，支持更高的存储效率和更低的访问延时；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO电压及多种节电模式，功耗显著降低；支持更高密度的DRAM，单模组最大容量可达256GB。澜起......
澜起科技在业界率先试产DDR5第三子代RCD芯片(2023-10-27 10:19)
芯片采用双通道架构，支持更高的存储效率和更低的访问延时；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO电压及多种节电模式，功耗显著降低；支持更高密度的DRAM，单模组最大容量可达256GB。澜起......
基于LDO的音频功放测试技术(LM4990为例)(2024-09-04)
条件：FSS9（VDD）=0V，K1、K2、K3断开，除VDD和GND脚外，其它脚拉出100uA电流，分别测试管脚1、2、3、4、5、8的电压VShort;
测试规范：-0.8 V 《VShor......
STM32F3 MCU最小BOM表及元器件参数选型(2023-08-21)
用ADC和DAC时，施加于VDDA的最低电压为2.4V）。VDDA电平必须一直大于等于VDD电平，且必须首先提供。
• VBAT = 1.65-3.6V：当VDD不存在时，作为RTC、32kHz外部......
PDR_ON出现的相关异常现象分析和解决方法介绍(2024-03-20)
后备寄存器/存储器，为RTC、LSE振荡器提供后备供电和维持其在掉电时工作。
在使用低电压电源的低功耗应用中，当VDD低至最低供电电压附近时，PDR_ON管脚需要进行合理配置。一般当VDD在1.7V......
非正弦周期信号的分解与合成(2022-12-26)
正弦波
② 按周期规律变化：
图1所示为常见的非正弦周期信号。(a)为半波整流电路的输出信号；(b)为示波器内的水平扫描电压；(c)为脉冲电路中的脉冲信号；(d)为三极管输出的交直流共存电......
使用动态电压和频率调节来节省系统电池电量需求(2023-07-28)
/delta VDD = 0 的事实。在这种方法中，Vopt 表示为方程 2。不幸的是，这种方法似乎并不适合电路实现，因为它包括一个参数n，该参数n对电源电压的依赖性是非线性的。NEC 设计......
STM32H5开发(3)----电源控制和RCC(2024-08-26)
: 9 I/Os (PA8, PA9, PA15, PB3:8)的外部供电电源（仅WLCSP25封装）VDD = 1.71 V ~ 3.6 V: GPIO，内部电压调制器，系统复位模块，电源......
MEMS麦克风电路介绍(2024-09-14)
耦合电容则在源设备（例如智能手机）中。电阻R1和R偏置形成分压器，MEMS麦克风将V偏置电压降至VDD引脚的供电电压。根据V偏置、R偏置和所需VDD电压的值，电阻R1可能需要非常小，如下例所示。要计......
SK海力士重磅消息：NAND Flash达到300层，“两王”之争谁是上风？(2023-03-23)
来看，单车DRAM和NAND Flash容量有着巨大的提升空间。
从国内市场状况来看，国内存储芯片需求庞大，市场规模超全球的1/3，但自给率不足5%。根据IDC数据，中国......
相关企业
;磊蕊源电子;;公司长期诚信高价收购库存电子呆料《集成电路/手机内配/MTK手机套片/GPS模块/FLASH字库/闪存/内存/存储器/中频/电源/功放/液晶屏/手机IC/内存IC/摄像IC/通讯IC
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;亿源电子（深圳）;;公司成立于2000年、长期诚信收购库存电子元件集成电路/手机内配/MTK套片/字库/闪存/内存/存储器/功放/模块/液晶屏/通讯IC/二三极管/接收管/SMD元件. 大量
呆料回收】【电子废料回收】【库存电子转卖回收】 【电子呆料收购】【处理积压电子】 【呆料电子收购】【购库存电子料】【电子元器件回收】【电子料处理】 【内存回收】 【回收IC】 【钽电容回收】 【电子
及各种IC，电池，充电器，耳机，内存卡，马达,MP3，MP4 暂存,U盘， 库存电子料！诚信服务，中介有酬！上门收货！好坏一单清！
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;深圳市海存电子有限公司;;海存电子专业经销SPANSION、INTEL的NOR FLASH（S29、AM29和JS28系列）和MICRON的SDRAM（MT48LC系列）, 只做原装货，在深
;金薇电子有限公司;;金薇电子成立于2000年。专业回收电子工厂库存电子料，秉承着专业为本，诚心为原则，帮助客户消化积压库存电子料，迅速回笼资金。。我们的业务分布在华南珠三角地区和华中。 主要
、咪头、肖特基、场效应管等等，回收工厂库存电子产品、电子料。收购U盘、MP3、MP4、MP5、内存卡、液晶屏、GPS、数码相框、数码相机、手机配件等等。（请百度或GOOGLE搜联系方式）回收各种IC。
、咪头、肖特基、场效应管等等，回收工厂库存电子产品、电子料。收购U盘、MP3、MP4、MP5、内存卡、液晶屏、GPS、数码相框、数码相机、手机配件等等。（请百度搜联系方式）回收各种IC。