C16 RAM在对RAM数据的请求与其执行之间具有18个时钟周期的延迟或等待时间。C18 RAM在对RAM数据的请求与其执行之间具有16个时钟周期的延迟或等待时间。异步RAM的内存计时以纳秒为单位，但同步RAM的时钟周期由CPU时钟控制其外部引脚接口的操作。这意味着时钟频率也会影响C16 RAM模块的速度。。。比C16 RAM更长的周期，这意味着按照来自存储器控制器的指令执行从RAM到CPU的数据传输需要更长的时间。C18的性能比C16慢，因为…的数量增加。C16将比C18执行得更快，因为它比C18具有更少的延迟时钟周期。在讨论C16 RAM时，我们的意思是RAM模块的CAS延迟为16，也称为CAS16、CAS 16计时或CL16。性能方面，C15将比C16执行得更快，因为它只有15个时钟周期，直到CPU调用后执行该操作。相比之下，C16在CPU向RAM发送请求和执行该操作之间将有16个时钟周期。如果比较两个具有相同CAS延迟的模块，则有必要查看哪个模块的频率较高，因为较短的周期时间（较高的频率）意味着较短的延迟。
延伸阅读
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- 内存c12时序
- 内部网络变压器
- 逻辑 - FIFO内存
- 内存连接器 - PC卡 - 适配器
- 内存连接器 - PC卡插槽
资讯
内存科普：深入浅出，带你深入了解内存各项参数，附科赋CJR颗粒内存超频实战(2020-12-25)
是所谓的超频。调整完成后按下F10保存修改，重启电脑。
学弟尝试了上更高的频率，频率能上去，但是时序太高了，导致内存的延迟超过80ns。最终还是建议超3466MHz，最终时序为C16-19......
基于STK4241V的音频放大器电路图(2023-10-30)
/0.25WR8，R19–4.7K/0.5KR2，R5，R21，R23–56K/0.125W
C7，C17–3pF陶瓷C2，C20–470pF陶瓷
50VC6，C16–1nF100VC11，C12......
基于FET的100W功率音频放大器电路图(2024-04-22)
将电源组件（T1、C15和C16）加倍，因为立体声功率放大器消耗的能量是单声道放大器的2倍。
那么，这里是100W以上功率音频放大器电路的PCB设计。
......
性能更上一层楼！朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测(2022-07-15)
推出了基于长鑫A-Die颗粒的绝影RGB DDR4-4266内存，时序CL18-22-22-42，电压1.35V。
朗科绝影RGB DDR4 4266MHz内存的时序和电压已经足够低了，在这......
游戏内存怎么选？科赋BOLT X电竞内存超频测试(2020-12-22)
游戏内存怎么选？科赋BOLT X电竞内存超频测试;前言
电脑内存只看容量？容量当然重要，但只是选择内存的第一步。虽然普通的办公电脑对于内存的主频和时序的要求并不高，但是......
s3c2440裸机-内存控制器(三-2、norflash编程之适配访问时序)(2023-08-09)
s3c2440裸机-内存控制器(三-2、norflash编程之适配访问时序);前面我们了解了norFlash的特性和原理，那么cpu是如何和nor进行通信的呢？下面开始详细介绍。
1.内存......
超频神条 科赋CRAS X RGB DDR4-4000MHz内存评测(2020-12-10)
RGB DDR4-4000MHz内存套装提供三种时序与运行速度，分别为2600MHz 18-18-18-42 @1.20V、2666MHz 19-19-19-43@1.20V、4000MHz 19-25......
常见的PLC系统BUG有哪些？(2024-01-15)
不准确。为了减少时序问题，确保正确设置定时器和计数器、使用合适的采样频率，并进行时序测试和验证。
（4）内存溢出：
PLC系统中的内存......
芝奇推出 DDR5-6000 CL30 64GB (32GBx2) 超大容量豪华内存套装(2022-03-30)
专业内容创作者新世代DDR5豪华内存的不二首选。
高速度、低时序、大容量再进化 - DDR5-6000 CL30 64GB (32GBx2)
随着新一代平台的问世以及用户对大容量需求与日俱增，芝奇......
芝奇推出DDR5-6400 CL32 32GB (2x16GB) 超低延迟极速内存套装(2022-01-28)
芝奇推出DDR5-6400 CL32 32GB (2x16GB) 超低延迟极速内存套装;
2022年01月27日 – 世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际全新推出DDR5-6400......
LCD实验学习笔记（六）：存储控制器(2023-06-15)
控制BANK0到BANK5 的时序，用默认值0x0700即可。
BANKCON6和BANKCON7：两个BANK接到内存上，除[14:0]控制时序外，[16:15]用于设置内存类型。根据内存......
)
为提供全球超频玩家 DDR5 超频内存的高速效能体验，芝奇资深研发团队坚持不懈探索速度再推升的可能性，并同时尝试将时序压至更低，本次成功突破瓶颈推出 DDR5-6800 CL32-45-45-108......
I2C—读写EEPROM 实验(2023-02-15)
EEPROM 发送了两个数据，但为何第一个数据被解释为EEPROM 的内存地址？这是由EEPROM 的自己定义的单字节写入时序，见图 24-14。
图 24-14 EEPROM 单字节写入时序(摘自......
AUTOSAR CP的复杂驱动是什么(2024-02-03)
杂的微控制器外设、外部设备通信收发器、ASIC等，以满足特殊的功能和时序要求。此外，CDD还可以用于实现增强的服务/协议或封装非AUTOSAR系统的传统功能。CDD的实现可能与应用、微控制器和ECU......
通用微处理器(ARM)与DSP的接口设计方案(2023-02-03)
能描述如表1。
表1 HCNTL0/1功能描述
HPI寄存器共占用了256KB的内存空间，对应的16进制地址范围是：0X01880000～0X018BFFFF。其中，HPIC的起......
自制AT89C51编程器,at89c51 programmer(2023-03-20)
为初学者试验提供了一个廉价的平台。为了满足广大单片机爱好者动手的需要，本人利用半个月的时间，参考国外资料，实际设计制作成功一款简单的AT89C51/52/55单片机编程器。由于单片机编程时序不同，这一......
干货！大神自制51编程器(2023-05-05)
满足广大单片机爱好者动手的需要，本人利用半个月的时间，参考国外资料，实际设计制作成功一款简单的AT89C51/52/55单片机编程器。由于单片机编程时序不同，这一款编程器仅仅支持ATMEL公司......
芝奇推出Trident Z5 DDR5-6800极速内存套装(2021-10-28)
(2x16GB) 极速内存套装。此顶级规格专为最新第12代Intel@CoreTM 处理器及 Z690主板量身打造，再度将DDR5超频速度推向新高，而时序方面也维持在极低的CL38，充分展示出芝奇高速DDR5......
存储器厂商威刚发布XPG Lancer DDR5-5200内存(2021-10-27)
正式发布了旗下XPG Lancer DDR5内存系列，频率做到了52M00MHz，单条容量16GB，但未透露时序，估计不是CL36就是CL40。
它还搭载了经典XPG风格的散热马甲，金属材质，并支持RGB灯效......
新思科技推出黄金签核ECO解决方案，加速先进工艺芯片设计收敛路径(2022-10-18)
——与多种技术相结合，实现更快的ECO收敛时间，同时兼顾高容量和PrimeTime®黄金签核精度。与传统的ECO流程相比，早期客户采用PrimeClosure解决方案实现了时序提高45%、功耗降低10......
8051内部ROM(2023-10-20)
存储器)一般用于存放程序执行过程中产生的大量的临时数据，相当于PC的内存。8051单片机的内部RAM：容 量： 128字节地址范围： 00H~7FH8051的CPU-Central......
MCU如何在扩展的SDRAM上运行程序？(2023-03-13)
MCU如何在扩展的SDRAM上运行程序？;在使用MCU的嵌入式系统设计中，当程序或者数据内存占用太大而无法放入片上闪存或SRAM时，开发者通常考虑使用SDRAM。
别问我为什么你的MCU不支......
spi协议时序图和四种模式实际应用详解(2022-12-16)
spi协议时序图和四种模式实际应用详解;上个章节我们讲解了spi接口定义，今天我们更加深入讲解下spi协议时序图和spi四种模式的用法。
刚开始接触单片机开发时，最怕就是看时序图，对于......
从零造单片机，需要哪些知识？(2022-12-09)
，算术逻辑单元）、内存、寄存器、总线等部分。而普通意义的单片机还包含GPIO、串口（UART）、DMA、协处理器、ADDA等。
前置：计算机组成原理、微机原理。
流水线：
前置：数字逻辑电路、集成......
金泰克速虎系列X4新品震撼发布，创新技术打造匠心品质(2021-06-30)
联保，免却售后维保烦忧
在保障稳定性的基础上，相比一般的内存，X4的时序被进一步升级和优化，最低时序可达16，速度更快，性能更强。
此外，这款X4产品......
英伟达系列芯片设计的高阶自动驾驶系统启动时序流程(2024-01-26)
机制如下：
①当系统无错误时，标准的电源时序会通过特定的 I/O 端或总线（CAN/Flexray/Ethernet PHYs） 唤醒整个系统。这也包含启动所有 SC7 断电域，然后是支持从内存......
spi协议时序图和四种模式实际应用详解(2023-12-19)
spi协议时序图和四种模式实际应用详解;大家好，我是无际。本文引用地址：上个章节我们讲解了定义，今天我们更加深入讲解下spi协议和spi四种模式的用法。
刚开始接触单片机开发时，最怕就是看，对于......
STM32驱动LCD的原理介绍(2024-01-31)
~D15、WR、RD、CS、RST和BL等，其中真正在操作LCD的时候需要用到的就只有：
CS
WR
RS
D0~D15
RD
其操作时序和SRAM的控制完全类似，唯一不同就是TFTLCD有RS信号......
玩家的顶尖选择 - DDR4-4800 CL17-19-19-39 16GB (8GBx2)
为提供超频玩家更强效能的内存选择，芝奇研发团队不断挑战高频率与低时序兼俱的最佳可能性，今天......
嘉合劲威首批DDR5内存条量产下线(2021-04-26)
嘉合劲威首批DDR5内存条量产下线;近日，嘉合劲威首批DDR5内存条在深圳坪山工厂量产下线。
如今DDR正在向更快、更高效的新一代产品迭代。嘉合劲威作为全球排名前四的内存......
STM32是如何驱动LCD的？(2024-01-18)
、WR、RD、CS、RST和BL等，其中真正在操作LCD的时候需要用到的就只有：
CS
WR
RS
D0~D15
RD
其操作时序和SRAM的控制完全类似，唯一不同就是TFTLCD有RS信号，但是......
深度解析STM32驱动LCD原理(2024-03-07)
、WR、RD、CS、RST和BL等，其中真正在操作LCD的时候需要用到的就只有：
CS
WR
RS
D0~D15
RD
其操作时序和SRAM的控制完全类似，唯一不同就是TFTLCD有RS信号，但是......
TDengine发布时序数据库分析报告，与InfluxDB、TimescaleDB展开对比测试(2023-02-22 15:10)
和 InfluxDB。在整个查询过程中，TDengine 内存也始终维持在一个相对平稳的状态。关于 TDengineTDengine 是由涛思数据完全自主开发的一款开源、高性能、云原生的时序......
创意电子推出5nm HBM3 IP 已通过8.4 Gbps流片验证(2023-09-13)
供应商制定了积极的路线图，将传输率和内存大小从HBM3提高到HBM3E/P，并在HBM4上进一步将信号总线宽度加倍。但是，基本DRAM时序参数没有改变，并且HBM控制器变得越来越复杂，以提高总线利用率。
创意电子的HBM3控制......
新思科技推出突破性ECO解决方案PrimeClosure，助力设计效率提升10倍(2022-10-14)
黄金签核精度。与传统的ECO流程相比，早期客户采用PrimeClosure解决方案实现了时序提高45%、功耗降低10%、ECO迭代次数减少50%、设计效率提升10倍。Socionext全球......
金泰克T4 DDR5高阶版正式上市，可超频至6000MHz(2022-09-08)
经过严苛筛选，出厂前都经过严格的测试，具有优秀的超频性能。时序方面做了特别优化，具体时序为CL38-38-38-78，对高带宽要求的玩家更为友好。此外，自带ECC纠错功能，可以及时发现和纠正内存......
C51_单片机开发_XBYTE的使用(2024-04-15)
不用你管，当然你必须要满足时序工作一下摘自网友博客文章：
如何理解#define XBYTE ((unsigned char volatile xdata *
8051 特有的内存型态 code 以......
存储控制器FSMC与触摸屏介绍(2024-02-22)
存储控制器FSMC与触摸屏介绍;一、FSMC外扩内存SRAM
FSMC(Flexible Static Memory Controller，灵活的静态存储控制器)是STM32系列......
详解基于VLT的新型DRAM(2017-01-01)
数组感测；读取操作只涉及在锁存感测数据与DDR缓存器之间传输数据，以及读取DDR缓存器的数值。
根据所需的操作序列不同，有些DDR的时序可能极其复杂。但如果相邻读取操作发生在不同内存......
南芯科技推出完整 LPDDR5/5X和LPDDR4X存储器电源解决方案(2023-08-15)
南芯科技推出完整 LPDDR5/5X和LPDDR4X存储器电源解决方案;
【导读】LPDDR 全称为Low Power Double Data Rate，简称低功耗内存，是美国JEDEC......
RGB补完计划之机箱里最靓的仔，科赋CRAS X RGB(2020-12-28)
我不是幻觉，主板自动调到CL20的样子……
后边……受限于AMD2600这款CPU的性能，在我没给CPU超外频，又是保持默认时序和电压的情况下，内存果然继续提就翻车了.
不过这套平台，尤其......
S3C2440开发板-LCD基础(源代码)(2023-01-30)
S3C2440开发板-LCD基础(源代码);首先了解TFT LCD的时序，每个VSYNC信号表示一帧数据的开始，每个HSYNC表示一行数据的开始，无论这些数据是否有效，每个VCLK表示......
Arm承认其Cortex M可被侧信道攻击但否认已被破解(2023-05-16)
隔离保护。
研究人员概述攻击利用了通过总线互连仲裁逻辑暴露的时序差异。当 MCU 内的两个总线主控器（例如 CPU 和直接内存访问 (DMA) ）发出事务以访问内存中的值时，总线互连无法同时处理两者。它优......
s3c2440裸机-LCD编程(二、LCD控制器)(2023-08-02)
等。除了控制信号，S3C2440还有视频数据端口，即VD [23：0]。通过设置REGBANK(寄存器组)，LCDCDMA会自动(无需CPU参与)把内存上FrameBuffer里的数据，通过......
DDR5-6400 CL36! 芝奇推出幻锋戟及炫锋戟系列DDR5内存(2021-10-14)
DDR5-6400 CL36! 芝奇推出幻锋戟及炫锋戟系列DDR5内存;10月13日，世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际发表全新Trident Z5旗舰系列DDR5内存，此系......
朗科旗舰级内存Z RGB DDR5再添新规格，频率高达8000MHz，即将量产上市 ！(2022-12-15)
朗科旗舰级内存Z RGB DDR5再添新规格，频率高达8000MHz，即将量产上市 ！;随着Intel和AMD对DDR5的全面支持，以及新平台兼容性的优化提升，市面上DDR5产品......
s3c2440裸机-nandflash编程（二. nand控制器和nand访问时序）(2023-08-02)
s3c2440裸机-nandflash编程（二. nand控制器和nand访问时序）;一.Steppingstone
我们知道nand没有独立地址线，cpu无法直接访问nand上的指令，所以nand......
十二、S3C2440 裸机 — SDRAM(2023-07-11)
)：同步动态随机存储器-内存条
同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；
动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失； 对比：SRAM（静态的-触发器）
随机......
iPhone 7 发布在即，SK 海力士内存供货出包、美光受惠(2016-10-18)
7 内存颗粒的采购而言，包含 6Gb、8Gb 颗粒，制程在 20/21 纳米，美光与 SK 海力士在去年年中才导入 20/21 纳米量产，据传 SK 海力士在两种颗粒供货都未获认证，然时序......
Rambus推出6400MT/s DDR5寄存时钟驱动器，进一步提升服务器内存性能(2023-02-22)
第三代6400 MT/s DDR5 RCD的数据传输速率和带宽提高了33%，使数据中心服务器的主内存性能达到了一个新的水平。该产品的延迟和功耗均达到业内领先水平，其经过优化的时序参数将提高RDIMM......
相关企业
出售！ MAX811TEUS+T D/C1615+， MAX97220AETE+T D/C16+， MAX8505EEE+T D/C16+， MAX5056BASA+T D/C16+ MAX5436EUB
;福州信诺工程有限公司;;品牌 型号 品名 订货号 ABB代理商开关面板 微断漏保 塑壳 断路器 ABB GSH201 AC-C16 漏电保护器 ABB GSH201 AC-C20 漏电
;广州辰胜化工科技有限公司;;广州辰胜化工科技有限公司 位于广东 广州市天河区，主营 聚异丁烯、C16-18醇、香精增溶剂、芦荟提取液、卡波940、十六醇、十八醇.、卡波940、十六醇. 等。公司
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;广东江山科技公司;;广东江山科技公司最新推出 DDR/SD内存分区检测仪（专业内存条级和专业内存条/内存芯片级二种内存检测产品）。 产品特长：检测准确，操作方便，100％准确度，扫描
T61 7663MT2 酷睿2双核T7800 内存2048MB 硬盘:160GB 14.1英寸 惊爆价:1300元 IBM X61t 7762DC1 酷睿2双核L7500 内存2048MB 硬盘
;洛阳惠能电器有限公司;;（www.lyhndq.com）时序控制器的作用是为每条指令按时间顺序提供控制信号。SXQ系列时序控制器是我公司研制的最新一代脉冲顺序控制装置，它采
;北京水金木公司;;北京水金木公司成立于2004年，主要从事计算机硬件的销售和维修维护，其销售的产品有个品牌电脑内存（SD内存、DDR内存、DDR2内存）硬盘（台式机、笔记本各种规格的应有尽有）光驱
;深圳联升达电子公司;;DRAM 内存芯片 内存条