存储器定时描述存储器模块的定时信息。内存频率以赫兹或每秒周期为单位,而内存定时以周期为单位。指示现代同步动态随机存取存储器(SDRAM)定时的四个参数是CL、TRCD、TRP和TRAS,以时钟周期为单位。CL是CAS延迟-从没有活动行的DRAM中读取第一位内存的时间。RAS到CAS是读/写的一个潜在延迟。要将时钟周期转换为时间度量,需要知道内存的频率。以MHz或1000000Hz为单位列出。例如,3200MHz内存的时钟频率为每秒320000000个周期。然而,现代内存是DDR(双倍数据速率),这意味着数据在每个时钟的上升沿和下降沿传输。因此,广告频率是实际时钟频率的两倍。这就是为什么在BIOS中将内存设置为3200MHz时,CPU-Z将显示1600MHz。内存计时直接影响系统性能,因为系统性能取决于内存的使用速度。更紧的定时导致更好的性能,但在较高频率下可能不稳定。AnandTech使用Haswell CPU和dGPU DDR3-2400 C11套件进行测试时,如果在同一系统中同时添加两个套件,则C11套件可能无法稳定在2400 C11。如果一个套件有很大的余量,那么这是可能的,但这并不能保证。

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