资讯
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
企业需求全部依赖进口。
近年来，格恩半导体集中优势资源力量，凭借在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
技术来源于中科院上海光机所技术研发团队，主要从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作。
03北京铭镓半导体
铭镓半导体成立于2020年，是国内专业从事氧化镓材料......
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产(2023-12-11)
具有很好的稳定性和工艺重复性。
2023年，中科重仪在苏州吴江区建立了国内首条采用国产化MOCVD设备生产的8英寸硅基氮化镓外延产线，单条产线年产能达5000片。投入运营后，将实现氮化镓材料综合生产......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸相单晶衬底生长技术的产业化公司。
总体来看，我国仍以数十家科研院所为主要研发力量，此外，部分企业（铭镓半导体、镓族科技、富加......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
的产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作，产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。
据称，富加镓业是国内目前唯一一家同时具备6英寸单晶生长及外延的公司，开工......
重点发展氮化镓，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用(2023-11-23)
开展大规模量产化工程问题研究，提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
消息称，本次启用的英诺赛科（苏州）全球研发中心建筑面积3.5万平方米，将围绕“新一代信息功能材料及功率器件”和“战略型新兴产业”需求，重点发展第三代宽禁带半导体氮化镓材料......
这家氮化镓材料研发商完成数亿元C轮融资 将加开建设第二家FAB厂(2021-12-07)
这家氮化镓材料研发商完成数亿元C轮融资 将加开建设第二家FAB厂;据势能资本消息，近日，江苏能华微电子科技发展有限公司（以下简称“江苏能华微电子”）完成数亿元C轮融资。
势能资本消息称，本轮......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
化铟产品则在射频、光电子、移动通信、数据通信等多项领域的广泛应用。
集邦咨询半导体分析师龚瑞骄透露，高端磷化铟和砷化镓材料主要用于光通信、激光器、探测器以及射频器件等领域。
纵观国内市场，虽然......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
家指出，大尺寸低缺陷氧化镓单晶的制备方法以及高表面质量氧化镓晶片的超精密加工技术是实现氧化镓半导体器件工业应用的主要瓶颈。虽然氧化镓应用前景已经被多领域广泛看好，但未来氧化镓材料需要在高质量、低缺陷、大尺寸单晶方面的生产......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
应用于无线通讯，占比到达49%。氮化镓材料耐高温、高压及承受更大电流的优势使得射频器件应用在5G基站中更加合适。随着国内5G基站覆盖率不断上升，对氮化镓......
英诺赛科通过港交所聆讯(2024-12-11)
的评估企业，包括申请人的各种材料，合规性，确定公司是否具备上市条件等。聆讯是一个重要的阶段，通常通过聆讯就代表着招股日不远了。
资料显示，英诺赛科成立于2017年，是国内氮化镓IDM企业。招股......
最新回应！事关“芯片新粮食”出口管制(2023-07-04)
、高温及抗辐照等微电子器件研制中占有主要地位；
半绝缘砷化镓材料主要用于雷达、卫星电视广播、微波及毫米波通信、无线通信（以手机为代表）及光纤通信等领域；
氮化镓作为典型的第三代半导体材料，是目前世界上最先进的半导体材料......
Transphorm表示氮化镓供应链来源安全，生产可以稳定持续(2023-07-07)
期一宣布，将限制对半导体制造至关重要的镓和锗相关材料的出口。这些法规包括了氮化镓 (GaN) 晶圆材料。
作为高压 GaN 功率半导体制造商，Transphorm 依靠三甲基镓 (TMGa) 生产......
电子新材料产业园项目封顶，将新建20余条第三代半导体材料应用等生产线(2023-08-15)
产业园项目是市、区重点项目，总占地面积88亩，计划建设10万平方米生产厂房及技术研发大楼等辅助设施，新建20余条第三代半导体材料应用、封装测试等生产线。主要生产半导体氮化镓、碳化硅、砷化镓......
博世创业投资公司投资致能科技，加速第三代半导体布局(2022-09-14)
在功率领域的技术潜力，”博世创投投资合伙人及中国区业务负责人孙晓光表示，“对致能科技的投资将进一步丰富我们在第三代半导体领域的布局。”氮化镓材料的BFOM（Baliga Figure of Merit，系用于评价功率半导体材料......
多个氮化镓企业受资本热捧！晶湛半导体获歌尔微电子加持(2022-03-04)
半导体透露，本次B+轮战略融资将主要用于公司总部和研发中心建设，项目达产后晶湛半导体将建成国际一流、国内首屈一指的氮化镓电力电子、射频电子以及微显示材料研发生产基地，推动公司进入新的发展阶段。
已向......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
方面的研发进展也频传捷报。
北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
领域知名企业FLOSFIA将大规模生产使用氧化镓材料的功率半导体替代硅基半导体，作为行业国际领军企业，该公司充满信心地预计，2025年氧化镓功率器件市场规模将开始超过氮化镓，2030年达......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
将投资建设半导体激光雷达及传感器件产业化项目，引进激光雷达、半导体激光器、光收发器件等自动化生产、检测及辅助系统等设备，主要产品为激光雷达及传感器件，项目预计今年6月底开工建设，建设期18个月。而砷化镓正是可以制造出高效的激光发射器的重要材料......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技(2022-08-11)
国际一流品牌。氮矽科技主要研发基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的芯片，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供，并通过国内首款独立研发与制作的GaN Power......
格恩半导体规模量产氮化镓激光芯片(2023-08-29)
在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。
目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓激光器结构设计、外延生长、芯片制造、封装......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
接与碳化硅器件竞争。
氧化镓目前主要是中日美三国在进行研究。晶圆主要是中日在进行生产。2014年日本用倒模法生长了4英寸的晶圆，2016年推出了6英寸，随后又实现了4英寸氧化镓材料的突破及产业化。美国、德国、法国等也在加紧氧化镓......
该合同，NSTXL将委托Transphorm生产先进的氮化镓外延片。公司能够有机会为该项目做出贡献，彰显出Transphorm在先进氮化镓材料领域的知识产权、知识和专长，以及其MOCVD制造......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
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国内氧化镓......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
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国内氧化镓......
晶湛半导体完成数亿元C轮融资，美团、歌尔微电子现身投资方(2022-12-14)
增资由蔚来资本、美团龙珠领投，华兴资本旗下华兴新经济基金、欣柯资本等跟投，老股东歌尔微电子、三七互娱等继续加码。
近年来，氮化镓材料不仅在电力电子和新型显示等领域的应用呈现出爆发式增长。晶湛......
2025年，全球SiC/GaN功率半导体市场将增至52.9亿美元(2022-05-06)
，“缺芯”是整个中国汽车行业的关键词。中国企业正在全力推进第三代半导体产业化。
集邦咨询研究显示，从2022年应用市场看，碳化硅材料67%用于汽车，26%用于工业，其余用于消费和其他领域。氮化镓材料......
氮化镓激光芯片厂商镓锐芯光完成天使轮融资(2024-09-04)
资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司与中科院苏州纳米所成立了“氮化镓激光器联合实验室”，拓展氮化镓材料的蓝绿激光方向应用。
与此同时，长光华芯与相关技术团队合资成立了镓锐芯光，共同开展氮化镓激光芯片的研发与生产......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓......
中科半导体氮化镓外延片及单晶衬底材料研发生产项目落户赣州经开区(2021-08-23)
目。
图片来源：赣州经济技术开发区招商引资
此次签约项目包括深圳市中科半导体科技有限公司（以下简称“中科半导体”）氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料的研发生产项目，主要生产2-4寸氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料......
韩媒：DB HiTek将采用碳基GaN技术改进8英寸半导体工艺(2022-01-10)
韩媒：DB HiTek将采用碳基GaN技术改进8英寸半导体工艺;据韩媒etNews报道，韩国晶圆代工厂商DB HiTek通过在硅晶圆片上制作由氮化镓材料制成的薄膜来生产半导体晶圆。该技......
除了功率和射频，化合物半导体还有哪些发展契机？(2021-03-29)
领域“半导体照明”和“第三代半导体材料”重点专项。目前国内已形成完整的LED产业链，LED产能稳居世界前列。
LED衬底主要包括蓝宝石衬底(Al2O3)和砷化镓衬底(GaAs)，蓝宝石衬底主要生产......
最高30亿元，Q1化合物半导体领域融资事件汇总(2022-04-11)
产业第一梯队的国产半导体企业代表，是硅基氮化镓领域全球龙头，生产基地主要位于珠海和苏州两地。
目前，英诺赛科通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料......
氮化镓外延厂瑞典企业SweGaN宣布已开始出货(2024-08-15)
术升级。SweGaN获得专利的QuanFINE无缓冲区碳化硅基氮化镓材料非常适合满足新技术的苛刻要求，尤其是在器件效率和热管理方面。材料适用于电信新标准5G Advanced，以及......
自力更生！韩国研发出替代氮化镓的新材料(2020-03-09)
自力更生！韩国研发出替代氮化镓的新材料;据Business Korea报道，韩国科学技术研究院(KIST)在3月8日宣布，一个科研小组已经成功开发出一种新的化合物，可以替代用于生产蓝光LED的氮化镓材料......
第三代半导体项目遍地开花(2024-03-04)
，建设4/6英寸第三代化合物半导体氮化镓GaN和碳化硅SiC生产线，主要生产功率半导体器件及耐高压新能源汽车逆变器，以满足多元化市场需求。二期工程计划2026年下半年开工建设，预计2028年上......
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡(2023-06-21)
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡;6月20日，同济大学第四代半导体氧化镓材料项目落地江苏省无锡市高新区。
据“无锡高新区在线”介绍，同济大学第四代半导体氧化镓材料......
年产4万片！碳化硅基氮化镓晶圆厂，出货(2024-08-14)
行业正大力推动从5G到5G Advanced的技术升级。SweGaN获得专利的QuanFINE无缓冲区碳化硅基氮化镓材料非常适合满足新技术的苛刻要求，尤其是在器件效率和热管理方面。材料适用于电信新标准5G......
氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约(2023-07-07)
电子器件及其模块的研制进程，力争快速实现产品工程化。
公开资料显示，第三代半导体氮化镓材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得......
氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约(2023-07-07)
电子器件及其模块的研制进程，力争快速实现产品工程化。
公开资料显示，第三代半导体氮化镓材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得......
3家半导体企业签约金桥综保区：安集微电子、中微半导体扩产，芯跃半导体新入驻(2021-08-02)
领域的隐形冠军安集微电子、打破国外刻蚀机技术封锁的中微半导体将在金桥综保区扩产。此外，主攻第三代氮化镓材料及5G射频器件的芯跃半导体等企业将新入驻金桥综保区。
据介绍，金桥综保区去年4月揭牌，是浦......
新兴市场加速渗透，氮化镓产业链存在哪些挑战？(2022-08-23)
新兴市场加速渗透，氮化镓产业链存在哪些挑战？;以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体被视为后摩尔时代材料创新的关键角色，凭借高温、高耐压及承受大电流等多方面显著优势，氮化镓材料......
第三代半导体项目遍地开花(2024-03-04)
。建设期1.5年，预计2025年7月试生产。
二期工程计划投资20亿元，建设4/6英寸第三代化合物半导体氮化镓GaN和碳化硅SiC生产线，主要生产功率半导体器件及耐高压新能源汽车逆变器，以满......
国家第三代半导体技术创新中心新启动共建8家联合研发中心(2022-06-28)
，面向关键技术攻关方向，国家第三代半导体技术创新中心新启动共建8家联合研发中心，包括氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心、硅基氮化镓材料......
第三代半导体外延代工获青睐，这家公司完成超3亿元A轮融资(2022-03-08)
外延代工服务。
今年1月媒体报道，百识电子半导体项目签约江苏扬州，该项目总投资8亿元，主要生产第三代半导体外延片。
得益于材料的优异性能，第三......
募资10.03亿元 中图半导体叩响科创板大门(2021-03-26)
12月，是一家面向蓝宝石上氮化镓（GaN on Sapphire）半导体技术的专业衬底材料供应商。目前，该公司主要产品包括2至6英寸图形化蓝宝石衬底（PSS）、图形化复合材料衬底（MMS），主要......
中试能力1000片/年，广州又一氮化镓项目要开建了(2021-10-15)
平台及测试分析平台。
根据此前资料，广州第三代半导体创新中心建设项目于2020年底签约落地广州黄埔，将聚焦大尺寸氮化镓材料外延生长、氮化镓微波毫米波器件与集成电路、氮化镓......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产(2023-03-24 14:10)
飓芯科技有限责任公司（以下简称“广西飓芯科技”）董事长、北京大学教授胡晓东，副市长汤振国，广西飓芯科技总经理宗华，市政府秘书长刘伯臣共同见证。
2021年，第三代半导体写入“十四五”规划，并被提升至国家战略高度，作为第三代半导体中最有代表性的氮化镓材料......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
晶圆衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。
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4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
据晶片测试分析，其结......
相关企业
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
;源丰电子（深圳）有限公司;;我司主要生产各类电器配套的电子开关、插座、新型电子元器件，原材料主要来源于韩国、台湾。共同合作，互利双赢是本公司一贯宗旨。
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
;上海恒业实业有限公司;;主要经营国内外各大钢厂电镀锡板卷马口铁硅钢片矽钢片电工钢材料主要有宝钢太平洋统一中日达新日铁等厂家材料，提供产品分条代办运输等服务。
及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
;宜兴市宏诚耐火材料有限公司;;宜兴市宏诚耐火材料有限公司，位于风景秀丽的太湖，闻名中外的陶都--宜兴紫砂村。本厂生产耐火材料和特种陶瓷产品，耐火材料主要生产粉末冶金电炉的配套耐火材料
;深圳市素阳电子有限公司;;深圳市素阳电容器有限公司成立于1995年6月，是国内主要的薄膜电容器生产厂家之一。公司集科研开发、生产、销售于一体，引进当今国际顶尖薄膜电容器生产设备，形成
;深圳市素阳电器有限公司;;深圳市素阳电容器有限公司成立于1995年9月，是国内主要的薄膜电容器生产厂家之一。公司集科研开发、生产、销售于一体，引进当今国际顶尖薄膜电容器生产设备，形成