资讯
预计到2028年，1nm工厂的耗电量就相当于所有代工2.3%的用电量(2022-12-30)
封装技术。
对于硅基芯片来说，1nm可能会是这条路线的终点，但是对于人类芯片来说，1nm绝对不会是终点的。
首先、硅基芯片未来会面临很大的发展限制。
一直以来芯片的材料都是以硅材料为主，但是随着芯片......
用于量子芯片的光刻机、刻蚀机，EDA，我们都研发成功了(2023-01-09)
用于量子芯片的光刻机、刻蚀机，EDA，我们都研发成功了;众所周知，目前的硅基芯片已经快要发展到极限了，台积电、三星目前已经实现了3nm的量产，而科学家们预测硅基芯片的物理极限是1nm。本文......
尖端技术突破：全球第一座“氮化镓芯片”生产基地(2023-01-17)
氮化镓晶圆的量产。据悉这是全球第一座“氮化镓”生产基地。目前中企已经掌握了成熟的技术，一旦氮化镓被用于制造芯片，相比于硅基芯片功率将直接提升900倍。
中国......
未来三年内投资 1000 亿美元扩大其芯片制造能力，并计划在 2025 年生产 2nm芯片(2022-12-07)
3nm之后的工艺必备的条件。
对于硅基芯片来说，1nm可能会是这条路线的终点，但是对于人类芯片来说，1nm绝对不会是终点的。
首先、硅基芯片未来会面临很大的发展限制。
一直以来芯片的......
ST在SiC和GaN的发展简况(2023-10-16)
面临的技术挑战
在制造方面，充分发挥宽带隙半导体的潜力面临接二连三的挑战，其中包括提高晶圆良率，降低缺陷率和成本，以及通过严格的测试验证芯片的长期可靠性。设计人员必须仔细评估寄生参数和热特性，同时......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。在相......
硅光子迎爆发机遇，国内首条光子芯片产线即将开工，能不能实现弯道超车？(2022-11-07)
机等电子设备，一旦使用时间长，或者运行大型程序，就会出现发热甚至是发烫的情况，然后出现卡顿、性能下降，这些都是传统硅基芯片的缺点。
并且，受限于摩尔定律，硅基芯片的......
1nm 的芯片会有吗? 1nm制造工艺是什么概念？(2022-12-15)
化钼器件更胜一筹。
对于硅基芯片来说，1nm可能会是这条路线的终点，但是对于人类芯片来说，1nm绝对不会是终点的。
首先、硅基芯片未来会面临很大的发展限制。
一直以来芯片的......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸......
兴洋科技年产1200吨芯片用电子级高新硅基材料项目计划9月开工(2021-08-12)
兴洋科技年产1200吨芯片用电子级高新硅基材料项目计划9月开工;据准格尔旗发布8月11日消息，内蒙古兴洋科技有限公司在准格尔经济开发区投资1.2亿元建设的年产1200吨芯片电子级高新硅基......
总投资30亿元 桑德斯硅基芯片研发生产项目开工(2022-09-02)
总投资30亿元 桑德斯硅基芯片研发生产项目开工;据浦口经开区消息，9月1日，南京市浦口区重大项目建设推进动员会暨桑德斯硅基芯片研发生产项目开工仪式举行。
消息显示，桑德斯硅基芯片......
Linear推出原边电流模式PWM控制器LT3753(2014-05-07)
级版本保证工作在 -40ºC 至 150ºC 的工作结温范围。而 LT3753 MP 级版本则保证工作在 -55ºC 至 150ºC 的工作结温范围。千片批购价为每片 3.19 美元。如需更多信息，请登......
Linear推出高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器LTC4440A-5(2013-10-09)
沟道 MOSFET
·具迟滞的 TTL/CMOS 兼容输入
·输入门限不受电源电压影响
·欠压闭锁
·耐热增强型 8 引线 MSOP 封装
·I 级版本：-40ºC 至 125ºC 工作结温......
基于TAE32F5300主控芯片的1KW GaN图腾柱PFC+LLC数字控制电源方案(2024-05-13)
LQFP64、LQFP48、WQFN40、QFN32四种封装形式。全系列内置75KB容量FLASH程序存储器，16KB容量数据FLASH存储器，16KB系统SRAM+8KB算法SRAM，工作结温范围为-40......
中国芯片“B计划”曝光！(2023-02-03)
细，显然量子芯片才是未来的方向。
其次，量子芯片的生产原理和硅基芯片不同，完全可以避开光刻机的限制。最近美国唆使荷兰对我国禁售光刻机，就是因为目前的纳米芯片技术对光刻机有依赖，而靠......
硅光子重大突破！我国首次成功点亮硅基芯片内部激光光源(2024-10-08)
硅光子重大突破！我国首次成功点亮硅基芯片内部激光光源;
10月7日消息，近日，湖北九峰山实验室再次在硅光子集成领域取得里程碑式突破性进展。
2024年9月，实验室成功点亮集成到硅基......
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能(2022-12-12)
有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管 (CFET) 技术价值凸显，但全硅基 CFET 的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。
据介绍，这种硅基二维互补叠层晶体管利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片......
中国半导体性单壁碳纳米管获突破，产率大幅提高(2023-04-13)
中国半导体性单壁碳纳米管获突破，产率大幅提高;
4月13日消息，当前的硅基芯片在10nm工艺之后面临更大的困难，学术界一直在研发碳基芯片取代硅基芯片，碳纳米管被称为10nm以下最强候选，我国......
国内光芯片以国产替代为目标，政策支持促进产业发展(2022-12-22)
行业作为化合物半导体这个新兴的半导体赛道里的一个分支，随着光学应用的快速发展，将会成为高速增长的明日之星。
光芯片是光电子领域核心元器件，相对于传统的硅基芯片——第一代半导体，光电芯片......
超1300亿元，英特尔宣布新建2座晶圆厂(2021-03-24)
圆厂将为英特尔现有产品和客户不断扩大的需求提供支持，并为代工客户提供所承诺的产能。
据悉，新建项目计划投资约200亿美元，预计将创造3,000多个高技术、高薪酬的长期工作岗位，以及3,000多个......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术(2023-10-09)
二维异质集成叠层晶体管。该技术将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，绕过 EUV 光刻工艺，实现了晶圆级异质 CFET 技术。
该团队利用硅基集成电路的成熟后端工艺，将二硫化钼 (MoS2) 三维堆叠在传统的硅基芯片......
功率半导体巨头拓展中国“朋友圈” 国产碳化硅商业化按下“加速键”(2023-05-16)
能总裁周晓阳近期功率及化合物半导体论坛活动时指出，但一段时期内碳化硅在汽车主驱上的供不应求是没有办法解决的，因此需要考虑使用部分硅基IGBT来替代碳化硅，或者采取混合模块，或者提升碳化硅芯片的功率密度，或者进行封装创新、电驱......
ADI 推出紧凑型 5V、10A 同步 Silent Switcher 2 降压型稳压器(2018-11-06)
比操作提供了低压差性能。工作频率可同步至一个外部时钟。LTC3310S 的总体基准电压精度在 –40°C 至 125°C 的工作结温范围内为 ±1%。其他特点包括指示输出处于稳压状态的电源良好信号、精准使能门限、输出......
ADI 推出紧凑型 5V、10A 同步 Silent Switcher 2 降压型稳压器(2018-11-06)
比操作提供了低压差性能。工作频率可同步至一个外部时钟。LTC3310S 的总体基准电压精度在 –40°C 至 125°C 的工作结温范围内为 ±1%。其他特点包括指示输出处于稳压状态的电源良好信号、精准使能门限、输出......
晶睿电子获创东方独家投资，资金将用于晶睿电子一期工厂建设及设备采购(2022-02-26)
厂建设及设备采购。
消息介绍称，晶睿电子2020年成立于浙江丽水，主营业务为4至12英寸高性能硅外延片、4至8英寸面向智能感知系统应用的特种硅片、硅基GaN及SiC外延片的......
105V、2．3A 同步降压型稳压器，以超低 EMI／EMC 辐射提供 96% 效率(2017-07-18)
从外部进行优化。LTC7103 采用具高压引脚间隔的耐热性能增强型 5mm x 6mm QFN-36 (26) 封装。工业温度级版本 LTC7103IUHE 经过测试，确保在 –40°C 至 125°C 工作结温......
新能源汽车电机控制器技术及趋势(2024-02-09)
能力未必能保护好电机控制器，现实工况很复杂。
01
IGBT结温估算现实意义
结温是判定IGBT处于安全运行的重要条件，IGBT的工作结温限制着控制器的最大输出能力。
IGBT过热损坏影响严重，有很......
1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4(2023-10-12 15:05)
、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。
特征描述
提高工作结温 Tvj op
高直流电压稳定性
高短路能力，自限制短路电流
低开......
圣邦微电子推出18V/8A 高效同步降压转换器 SGM61184(2023-12-26 14:38)
欠压和过压指示（PG）；输入欠压闭锁、输入过压保护、打嗝模式限流功能、输出过压保护、过温保护；-45℃ 至 +150℃ 工作结温范围；符合环保理念的 TQFN-3.5×3.5-18AL 绿色......
圣邦微电子推出18V/8A 高效同步降压转换器 SGM61184(2023-12-26 14:38)
欠压和过压指示（PG）；输入欠压闭锁、输入过压保护、打嗝模式限流功能、输出过压保护、过温保护；-45℃ 至 +150℃ 工作结温范围；符合环保理念的 TQFN-3.5×3.5-18AL 绿色......
意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园(2024-06-07)
适用于电动汽车、快速充电基础设施、可再生能源和各种工业应用（包括数据中心）。然而，与硅基芯片相比，碳化硅芯片的制造难度更大，成本更高，在制造工艺的产业化过程中，还有许多挑战需要克服。
意法......
英飞凌推出基于TRENCHSTOP IGBT7 PrimePACK的兆瓦级T型三电平桥臂模块(2023-01-24)
● PrimePACK™ 3+封装
● TRENCHSTOP™ IGBT7芯片
● 过载时允许175°C Tvjop工作结温
● 模块......
晶能SiC半桥模块试制成功(2023-09-12 10:25)
环氧树脂转模塑封工艺，持续工作结温达175℃，在800V电池系统中输出电流有效值高达700Arms。此次SiC半桥模块是为应对新能源汽车主牵引驱动器的高功率密度、高可靠性等需求研发的重要产品。涵盖......
基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品(2023-05-12)
可靠性
第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。
● 更高工作结温......
基本半导体推出应用于新能源汽车的Pcore™2 DCM碳化硅MOSFET模块(2023-11-27)
通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。
采用沟槽型碳化硅MOSFET芯片的......
最新议程！| 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛(2021-04-13)
体材料国产替代研发进展
4、碳基、硅基优劣势对比
5、新形势下碳基材料与信息器件的发展趋势
6、碳基芯片发展现状及愿景、发展战略
7、科研成果如何指导半导体产业？
8、产业对碳基电子的投入现状、碳基......
圣邦微电子推出18V/8A 高效同步降压转换器 SGM61184(2023-12-29)
模式限流功能、输出过压保护、过温保护；
-45℃ 至 +150℃ 工作结温范围；
符合环保理念的 TQFN-3.5×3.5-18AL 绿色......
一起来聊聊赛米控丹佛斯的DCM系列(2024-04-22)
本身也被烧结在绝缘基板的铜表面上。粘结缓冲层和芯片的烧结都在单个工艺步骤中完成。
DBB为半导体芯片提供了电和热两方面的好处。铜线的欧姆损耗低于铝线；铜箔由于其大面积，增加了进入芯片的......
意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园(2024-06-07)
裸片和全碳化硅模块两大类，与传统硅半导体相比，碳化硅输出电流更高，静态漏电流更低，能效更高，特别适用于电动汽车、快速充电基础设施、可再生能源和各种工业应用（包括数据中心）。然而，与硅基芯片相比，碳化硅芯片的......
Linear推出2MHz DC/DC转换器LT3496的H级版本(2010-07-15)
个 500mA LED。该 H 级版本工作结温高达 150oC，相比之下，E 级和 I 级版本的最高结温为 125oC。E、I 和 H 级版本的所有电气性能规格都相同。H 级器件经过测试，保证......
国星光电推出4437系列接收器及2516系列发射器(2022-12-20)
封装
成功攻克超薄芯片封装壁垒，创新突破了硅基芯片封装产品尺寸局限，实现了大尺寸超薄硅基芯片封装的可量产；
■抗干扰，高敏......
光刻机已经落伍？硅光子将成中美新战场！(2024-02-01)
子是中国能弯道超车的技术：“光子芯片具有诸多技术优势，它运算速度更快，信息容量更大，将比目前的硅基芯片提升1000倍以上”。
据悉，目前中国中科鑫通微电子（SinTone）正筹建光子芯片生产线，总裁......
首轮融资数亿元，又一家功率半导体器件厂商获资本青睐(2022-03-30)
平面工艺等先进工艺，是生产单芯片工作电压从5V-600V的业内最齐全的器件制造商，在同类工艺比较中，里阳半导体相对同行产品低压漏电流更低，高压浪涌承受能力更强，且平面和台面芯片均可承受150℃结温并且拥有生产175......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
层顶部。
当RDrift值给定，结温是25⁰C时，SiC晶体管裸片实际面积是硅超结晶体管裸片面积的几分之一，如果使两个管子的芯片面积相同，那么SiC晶体管的性能要高出很多。另一个比较SiC和硅......
瑞森半导体（REASUNOS）诚邀参加2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
MOSFET系列已成功量产650V、1200V
、1700V，经过军工研究所实验室及CNAS实验室验证，产品兼容20V和18V驱动，显著改善单位面积导通电阻、开关损耗降低30%，可靠性提高，工作结温......
同步至一个外部时钟。LTC7150S在–40°C 至 125°C工作结温范围的总差分输出电压准确度为±1%。其他特点包括直接在负载进行差分远端VOUT采样、PHMODE 相位选择器引脚、准确的 1.2V RUN 引脚......
中国车用碳化硅功率模块的成长之路(2023-08-08)
保险项目等。
小结：随着新能源汽车的发展，以及国内芯片行业的崛起，我国将会在以碳化硅为代表的第三代半导体领域有很大的作为，不管是技术投入还是投资方面都有很大的建树，期待这个领域的长期发展。
......
瑞能半导体亮相2023慕尼黑上海电子展，加速升级创领功率器件新浪潮(2023-07-12)
以及新能源汽车应用的方方面面，更可以针对客户的需求提供定制化的解决方案。
在可控硅产品解决方案的展示中，瑞能着力聚焦可控硅平面设计工艺的优势，其具备最大的150℃的工作结温，低漏流和优秀的可靠性。值得......
Intel斥资200亿美元建芯片工厂 7nm处理器2023年问世(2021-09-23)
中的两座晶圆厂，一个是为未来的先进工艺产能做准备，一个是为晶圆代工服务的，该投资计划预计将创造3000多个高技术、高薪酬的长期工作岗位，以及3000多个建筑就业岗位和大约15000个当地长期工作......
相关企业
紧密合作，消化吸收国际先进的高端半导体芯片工艺技术并不断创新，目前已经成为国内硅基太阳能专用肖特基芯片市场的最大供应商，塑造了国内外肖特基芯片的
26条云母板生产线。 产品介绍： 耐热云母板厚度均匀，具有良好的电气性能和机械强度，白云母板的长期工作温度 为550℃；金云母板的长期工作温度为850℃；是一种新型的电热绝缘材料，适于
;LED芯片;;主要从事台湾;大陆品牌芯片的销售,货源稳定,可长期供货....
;深圳鑫宇晖电子有限公司;;本公司专业从事LED芯片的销售，为国内各种类型的封装工厂提供芯片。产品广泛运用于各种发光二极管食人鱼.背光源.显示屏.交通灯等高科技产品。方面公司本着“信誉第一.质量
的硅基板，实现单电极芯片做集成 4）45MIL大功率白光方片，成品可以做100LM以上 5）1W 660NM植物生长灯芯片.可以做到20－25LM 欢迎来电咨询；13602678929肖先生
）58MIL的硅基板，实现单电极芯片做集成 4）45MIL大功率白光方片，成品可以做100LM以上 5）1W 660NM植物生长灯芯片.可以做到20－25LM 欢迎来电咨询；13602678929肖先生
;深圳市昱邦光电有限公司;;深圳市昱邦光电有限公司是台湾光宏LED芯片的一级代理商，能长期稳定提供优质的LED芯片，期待与优质厂商共创辉煌！
;扬州赛米电子科技发展有限公司;;我公司半导体事业部专业从事制造半导体器件产品,主要产品有：肖特基芯片；单、双向可控硅；大功率晶闸管、整流管、模块系列产品。贸易部主要代理经营二极管、桥堆、CL
;深圳市广恒信电子科技有限公司;;我公司致力于REALTEK网络芯片的推广，长期备有现货紧密配合客户的生产需求！
;深圳市吉旺电子;;本公司是一家经销计算机组件、通讯元器件及工业控制器芯片的企业，主营主板南北桥芯片，显卡芯片。旗下产品包括南桥、北桥、显卡VGA芯片、网卡芯片、内存、显存系列芯片、网络服务器芯片