技术咨询
代买器件
商务客服
研发客服据浦口经开区消息，9月1日，南京市浦口区重大项目建设推进动员会暨桑德斯硅基芯片研发生产项目开工仪式举行。
消息显示，桑德斯硅基芯片研发生产项目位于浦口经济开发区，总投资30亿元，计划建设2.5万平方米的生产厂房和配套设施，未来将研发、生产大功率半导体硅基芯片、器件等产品。
该项目投资主体为桑德斯微电子器件（南京）有限公司，专业从事大功率半导体芯片和器件的研发、设计、制造、销售，是三星、LG的一级供应商，也是波音、空客、特斯拉和通用电气的重要供应商，拥有27项专利。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关文章
多个芯片概念股涨停！涉及第三代半导体等领域(2022-02-23)
多个芯片概念股涨停！涉及第三代半导体等领域;2月23日上午，媒体报道当日芯片板块强势拉升，芯源微、北方华创、安集科技、江丰电子等多个半导体概念股涨停，涉及半导体设备、第三......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。
硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构 图源：复旦大学
研究团队利用硅基集成电路的标准后端工艺，将二硫化钼(MoS2)三维堆叠在传统的硅基芯片上，形成p......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。
△硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构
研究团队利用硅基集成电路的标准后端工艺，将二硫化钼(MoS2)三维堆叠在传统的硅基芯片......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
二维异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸......
总投资30亿元 桑德斯硅基芯片研发生产项目开工(2022-09-02)
总投资30亿元 桑德斯硅基芯片研发生产项目开工;据浦口经开区消息，9月1日，南京市浦口区重大项目建设推进动员会暨桑德斯硅基芯片研发生产项目开工仪式举行。
消息显示，桑德斯硅基芯片......
预计到2028年，1nm工厂的耗电量就相当于所有代工2.3%的用电量(2022-12-30)
封装技术。
对于硅基芯片来说，1nm可能会是这条路线的终点，但是对于人类芯片来说，1nm绝对不会是终点的。
首先、硅基芯片未来会面临很大的发展限制。
一直以来芯片的材料都是以硅材料为主，但是随着芯片......
用于量子芯片的光刻机、刻蚀机，EDA，我们都研发成功了(2023-01-09)
用于量子芯片的光刻机、刻蚀机，EDA，我们都研发成功了;众所周知，目前的硅基芯片已经快要发展到极限了，台积电、三星目前已经实现了3nm的量产，而科学家们预测硅基芯片的物理极限是1nm。本文......
1nm 的芯片会有吗? 1nm制造工艺是什么概念？(2022-12-15)
化钼器件更胜一筹。
对于硅基芯片来说，1nm可能会是这条路线的终点，但是对于人类芯片来说，1nm绝对不会是终点的。
首先、硅基芯片未来会面临很大的发展限制。
一直以来芯片......
尖端技术突破：全球第一座“氮化镓芯片”生产基地(2023-01-17)
氮化镓晶圆的量产。据悉这是全球第一座“氮化镓”生产基地。目前中企已经掌握了成熟的技术，一旦氮化镓被用于制造芯片，相比于硅基芯片功率将直接提升900倍。
中国......
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能(2022-12-12)
有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管 (CFET) 技术价值凸显，但全硅基 CFET 的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。
据介绍，这种硅基二维互补叠层晶体管利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片......