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可能也会有损失，晶圆厂用这一台光刻机，大多是生产14nm及以上工艺的芯片，很少去生产14nm以下的工艺，因为良率低，成本高，没什么竞争力。 ......
至今无法进入大陆市场，不过DUV光刻机还勉强能进来，即便如此，这对我国芯片产业也非常重要，在国内科研人员的努力之下，我国成功突破了14nm工艺芯片的量产。或许有人不知道，14nm是半导体制程工艺中的一个分水岭，能进......
是可以进行多次曝光的。 理论上NXT:1980Di依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，晶圆厂用这一台光刻机，大多是生产14nm及以上工艺的芯片，很少去生产14nm以下......
:1980Di依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，晶圆厂用这一台光刻机，大多是生产14nm及以上工艺的芯片，很少去生产14nm以下的工艺，因为良率低，成本高，没什么竞争力。 ......
ASML高端DUV光刻机可以出口：支持7nm; ASML在最新的声明中指出，这些新的出口管制措施侧重于先进的芯片制造技术，包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统。 ASML强调，新的出口管制措施并不针对所有浸润式光刻......
内存生产设备，将产能提升到每月7万片晶圆。 在这些设备中，最重要的就是EUV光刻机了，三星从14nm级别的内存芯片开始引入EUV光刻机，EUV光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而......
没有提到具体的名单，但是台积电、三星、Intel这三家是没跑的，他们的逻辑工艺现在都是要用到EUV光刻机的。 还有2家应该是内存芯片厂商了，三星这部分已经在14nm DRAM内存......
ASML：支持7nm高端DUV光刻机仍可出口; 近日，在其官网发表声明称，该公司未来出口其先进的浸润式DUV光刻系统(即TWINSCAN NXT:2000i及后续浸润式系统)时，将需......
上可以支持 7nm 工艺。 大多数晶圆厂使用 1980Di 光刻机，主要生产 14nm 及以上工艺芯片，很少使用其生产 7nm 芯片。 ......
:1980Di依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，晶圆厂用这一台光刻机，大多是生产14nm及以上工艺的芯片，很少去生产14nm以下的工艺，因为良率低，成本高，没什么竞争力。 ......
350nm，俄罗斯光刻机制造完成;5月25日消息，据外媒报道称，俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里-什帕克指出，该设备可确保生产350nm（0.35μm......
Holding N.V. 为半导体业的全球领先供应商之一，向全球芯片制造商提供硬件、软件及服务。 AMSL在光刻机市场占有高达80%的市场份额。此次与中芯国际签订购买单的阿斯麦上海是 ASML......
本次官方禁令范围内。 1980Di是ASML现有效率比较低的光刻机，支持NA1.35光学器件、分辨率可以达到<38nm，理论上可以支持7nm工艺。 大多数晶圆厂使用1980Di，主要生产14nm及以上工艺芯片，很少......
在新北市林口工一产业园区内新建厂区，扩大产能。 说起芯片产业，就不得不提起ASML。作为全球最大的光刻机厂商，无论是用于14nm及以上的DUV光刻机，还是用于10nm及以下的EUV光刻机，ASML都是......
nm，理论上可以支持 7nm 工艺。大多数晶圆厂使用 1980Di 光刻机主要生产 14nm 及以上工艺芯片，很少使用其生产 7nm 芯片。 然而 ASML 官方......
国产光刻机获重大突破，ASML如何应对？;      中国科学院院士、中国科学院党组书记白春礼于4月13日访问长春光机所，调研EUV光源等技术，高度肯定光电关键核心技术攻关成果。国产光刻机......
华为海思芯片代工受阻后，曾提出过通过芯片的分层叠加工艺，可以实现14nm工艺达到7nm的芯片集成度。思路和美光在DRAM上的思路有异曲同工之妙：设计芯片的焦点不再是紧盯光刻机的蚀刻纤细程度，而是......
俄罗斯首台光刻机，真的制造成功了;2022年，俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所 (IPF RAS)  宣布，正在开发俄罗斯首套半导体光刻设备，并对外夸下海口：这套光刻机能够使用7nm生产......
存储市场吹响EUV光刻机集结号;AI浪潮下，存储市场DRAM芯片正朝着更小、更快、更好的方向发展，EUV光刻机担当重任。三大DRAM原厂中有两家已经引进EUV光刻机生产DRAM芯片，美光......
DUV光刻机遭进一步限制，中国仍有破局之路; 【导读】针对近期荷兰、日本加入对华半导体设备出口管制的动向，知名行业分析师Dylan Patel认为，三方所达成的合作意向依然非常初步，本质......
ASML一直都在向中国客户供应光刻机，其中就包含了NXT:2000i和更先进的DUV型号的产品，但先进的7nm、14nm等先进的光刻机，ASML依然不能给中国客户出售。 与此同时，中国企业也在加紧储备被限制的光刻机......
电和三星均采用了ASML的EUV光刻机，台积电将于2017年第一季度采用ASML的光刻机，部分用于7nm芯片制造，部分用于2020年以后的5nm芯片制造；三星则计划在2017年第二季度采用ASML的......
胶层上。光刻加工过程开始后，通过控制光刻机的曝光和开关操作，可以将光束根据掩膜上的图案进行分割和定位，使得光束只照射到需要曝光的区域，从而将芯片上的图案转移到光刻胶层上，实施芯片光刻......
上海新阳：1400光刻机安装调试基本完毕;4月12日，上海新阳在投资者互动平台表示，公司与中芯北方搭建的1400光刻机安装调试基本完毕。 另外，上海新阳表示，公司研发费用投入超2亿元，且主要系光刻......
台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？;5月26日，举办“2024年技术论坛台北站”的活动，CEO魏哲家罕见的没有出席，原因是其秘密前往荷兰访问位于埃因霍温的总部，以及......
松博士也明确说中芯国际可以不用EUV的光刻机实现7nm工艺（当然后面5nm/ 3nm还是要用的）。 从TSMC的历史经验来看，第一代7nm（低功耗的N7）没用EUV，后面一些衍生版本才用到——而且......
集成电路产业链的总体分为四大块：设计、IP和EDA技术架构、装备材料、芯片制造。 吴汉明指出，“放眼中国的集成电路产业链建设，光刻机、检测等装备是主要需要攻关的方向。” 最近......
技术实现更小的特征尺寸，半导体制程引入了多重pattern技术。光刻机在28nm的时候只需要一次的光刻曝光就可以实现了。 但到了22nm/20nm，单次曝光有时候就不能给临界层提供足够的分辨率。芯片......
胶的价值量也将会发生巨大的变化（单位价值量：ArF>KrF>I>G）。 其中，ArF光刻胶的制造难度是最高的，这也是14nm/7nm芯片制造过程中不可或缺的原材料。 芯片的工艺也分等级，平板电脑、汽车......
～14nm）以下，就有可能需要用到EUV光刻机。届时，存储器厂商订的EUV设备将有大的爆发。 据悉，三星电子目前已经尝试将EUV应用于1z DRAM的生产当中。2020年8月，三星......
胶配套高纯显影液的规模化生产线，包括合成、纯化、分析、灌装等工艺的配套生产装置及分析检测设备；另外还将建设国内首个先进光刻胶分析测试中心，包含浸没式光刻机、涂胶显影一体机和 CD-SEM 等关......
全球光刻机市场竞争加剧，ASML财报引发关注...; 近日，ASML发布最新三季度财报后，股价创26年来最大跌幅引起市场极大关注。在此期间，尼康和佳能陆续发布的光刻机......
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国; 11月6日消息，据彭博社报道，佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10......
-14nm工艺设备国产化率达30%，实现浸没式光刻机国产化。在经济上，启动了国家集成电路基金二期，计划针对集成电路行业注入2,000亿元资金。 在此背景下，众鸿半导体项目在临港产业区的新动态，受惠......
发展到什么水平了,能否自主可控? 什么是计算光刻?为何如此重要? 计算光刻虽然不被大家所熟知,但和它密切相关的光刻机可谓家喻户晓。光刻机被誉为半导体工业皇冠上的明珠,而光刻......
资金链断、光刻机抵押、国内重点千亿级芯片项目恐“烂尾”;政府工作报告公布弘芯半导体停摆危机 近日，武汉市东西湖区政府一份《上半年东西湖区投资建设领域经济运行分析》报告，正式......
国新规来看，主要限制的是16/14nm及以下先进制程芯片的制造，因此可能会限制主要应用于先进制程的浸没式光刻机的部分型号的对华出口，而部分主要应用于成熟制程的浸没式光刻机......
发和量产上都需要企业的长期技术积累。此外在产品送样前，光刻胶生产商还需要购置光刻机用于内部配方测试，根据验证结果调整配方。 根据曝光波长的不同，光刻胶可以分为g线、i线、KrF、ArF以及EUV光刻胶5大类别，其中g线、i线一......
俄罗斯绕过制裁 为35年前的光刻机续命; 9月9日消息，据国外媒体报道称，俄罗斯近日绕过了制裁，为本国存在了35年的续命。 报道中提到，尽管......
量存储芯片等在短期将无法扩产，中长期可能将不得不转用DUV干法光刻机，从而芯片的制造成本上升，导致市场竞争力下降。 不过从最新消息来看，主要限制对华出口的还是16/14nm及以下先进制程芯片的制造，可能......
成本几十万元，俄罗斯自研光刻机又突破了？;假期期间，俄媒CNews报道称，圣彼得堡已开发出两个用于生产微电子纳米结构的装置，可能解决俄罗斯在微电子领域方向的主权问题，包括两个设备，一个是在基板上进行无掩模的光刻......
年来，芯片制造技术进步放慢，摩尔定律出现失效的客观现象，对于苦苦追赶西方的中国半导体产业来说是可是一大利多。摩尔定律失效，一方面既有技术因素——先进光刻机、刻蚀机等设备以及先进芯片制造技术研发技术难度大、资金......
、等离子冲洗、热处理等步骤，因此会导致光刻栅长和实际栅长不一致的情况。 另外，同样的制程工艺下，实际栅长也会不一样，比如虽然三星也推出了14nm制程工艺的芯片，但其芯片的实际栅长和Intel的14nm制程......
年来，芯片制造技术进步放慢，摩尔定律出现失效的客观现象，对于苦苦追赶西方的中国半导体产业来说是可是一大利多。摩尔定律失效，一方面既有技术因素——先进光刻机、刻蚀机等设备以及先进芯片制造技术研发技术难度大、资金......
中国14nm及以下的芯片制造设备。美媒传出消息，称正在向荷兰方面施压，要求ASML停止向中国芯片企业出售用于成熟芯片制程的DUV等主流需求光刻机。不过，这次ASML反应不一样了，直接表示了拒绝态度。 全球......
基于EUV光刻机，三星宣布率先量产12nm DRAM; 【导读】近日据BusinessKorea消息，三星电子已开始量产12纳米级的16Gb DDR5 DRAM，成为......
抛光、清洗、检测、外延等；第二个阶段是芯片制造、封测，即从整块晶圆到单颗芯片的过程。 这两个阶段涉及多种设备，如单晶炉、氧化炉、PVD/CVD、光刻机、涂胶显影机、检测设备、清洗设备、干法刻蚀机、湿制......
中科院中紫外光刻设备研制成功，国产光刻机有望突破; 来源：内容来自 中科院网站 ，谢谢。 近日，一种新型的中紫外直接光刻机......
今天的平版印刷技术，28nm的cycle time大约为40天，14nm/10nm为60天，7nm则增加到80到85天。如果5nm仍使用今天的技术，不用极紫外光刻的话，则会达到100天。 为了使事情复杂化，晶圆......
实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。   半导体制造领域，光刻机是昂贵且关键的设备，而纳米压印设备被多家日本半导体设备厂商视作替代光刻机的“下一代设备”，担负......

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