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国内首个用于量子芯片生产的激光退火仪研制成功;据合肥日报报道，国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪（以下简称“激光退火仪”）已研制成功，可解......
两家国产企业半导体设备有新进展;瑶光半导体激光退火设备顺利验收 据瑶光半导体官微消息，近日，瑶光半导体激光退火设备顺利通过验收。 source:瑶光半导体 该设......
瑶光半导体宣布自研的SiC激光退火设备交付;9月26日，瑶光半导体公司（下文简称“瑶光半导体”）公众号发文称，公司自研的首批SiC激光退火设备ES500-2量产下线，并举行了交付仪式。 SiC......
中国科研团队研制成功“量子芯片激光手术刀”; 3日从安徽省量子计算工程研究中心获悉，中国首个专用于量子芯片生产的激光退火仪研制成功，该设备可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素，像“手术......
激光退火仪在国内首条量子芯片生产线上投入使用;记者日前从安徽省量子计算工程研究中心获悉，国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS—100激光退火仪已研制成功，可解......
现量子比特电阻快速精准测量，它的应用，可以缩短量子芯片的研发周期，提高量子芯片良品率，目前安徽省量子计算工程研究中心已研发出了NDPT-100无损探针仪。 而“刻蚀机”叫做“激光退火仪”，它是与“无损......
指标满足产品规范，项目成功通线...详情请点击 5 国内半导体设备再突破 据合肥日报报道，国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪（简称“激光退火仪”）已研......
金属膜层刻蚀机、化学气相沉积设备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备等。 封面图片来源：拍信网......
精科成立于2012年5月，主营业务为集成电路制造装备及关键零部件的研发和产业化。目前产品包括光刻机双工件台及其衍生产品超精密运动平台、激光退火设备、晶圆键合设备、晶圆传输系统、主被动隔振器、静电......
结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保......
月，进入晶圆制造领域，产学研合作引进激光退火项目。 产品方面，莱普科技已推出IGBT晶圆激光退火、SiC晶圆激光退火、激光诱导结晶设备、激光诱导外延生长设备等众多产品，主要应用于晶圆制造、先进......
从 50-100 µOhm-cm2 降低至 5 µOhm-cm2。 Soitec 声称的降低背面接触电阻率的值源自 2022 年向 ICSCRM 的演示。他们发现，未经激光退火的SmartSiC 衬底的接触电阻率比经过激光退火......
A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极......
2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5......
的超导24比特 据介绍，位于安徽合肥的这条生产线于2022年1月投入运营，在这一年的时间里，陆续导入24台生产相关的工艺设备，孵化出了3套自研的量子芯片专用设备（见此前报道我国首台用于量子芯片生产的激光退火......
飞秒激光器等。碳化硅领域，大族半导体主要带来SiC 晶锭激光切片设备、SiC激光退火设备等产品。据悉，大族半导体主研应用于硅、SiC、砷化镓、GaN等材料的加工工艺，并一......
全切机，并首次公开展出工业级多波段脉冲激光器、100W飞秒激光器等。碳化硅领域，大族半导体主要带来SiC 晶锭激光切片设备、SiC激光退火设备等产品。据悉，大族半导体主研应用于硅、SiC、砷化镓、GaN......
首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪研制成功。2022年底，华为公布的超导量子芯片专利，此项技术可有效降低量子比特之间的串扰难题，大幅提升量子芯片的良率，这是......
需求主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。近几年是国产设备厂商的黄金发展3年，我国上述设备在近几年得到较快发展。 在碳......
，但无需雷射退火制程，适合用于大尺寸的OLED背板。 p-Si材料的制备方法很多，其中主要包括低压化学气相沉积（LP-CVD）、小晶粒p-Si激光退火、区熔再结晶方法即微区熔炼、低压分子束磊晶（LP......
器，包括盘式激光器、光纤激光器和DSSP激光器，以及晶圆切割、退火和太阳能电池加工应用。能够处理更高功率（高达100W）和短脉冲（≥500飞秒），从而可实现冷激光加工并最大限度地减少热影响区（HAZ......
栅型场效应管）组成的复合型功率半导体器件，由于其能够提高用电效率和质量，应用潜力很大，在新能源汽车、轨道交通、电力传输中不可或缺。 华虹宏力拥有背面薄片、背面高能离子注入、背面激光退火......
RTP快速退火炉提高SiC晶体生长质量;SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺，其中，离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤，以满足SiC器件耐高压、大电......
品质因数1.3GHz超导加速模组研发上取得了重大突破和创新成果，在国际上率先实现了中温退火高品质因数超导腔模组技术路线，具有完全自主知识产权，使我国高品质因数超导加速器技术走在了国际前沿。 1.3GHz......
率器件领域，该公司形成了完整的技术和产品布局，积累了丰富的研发和 生产经验，建立了国内领先的工艺平台。在 IGBT方面，该公司具备深沟槽刻蚀、 超薄减薄工艺、高能注入、平坦化工艺、激光退火、双面......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
研究创新地使用了表面活化键合法（SAB），以纳米非晶硅为介质在室温下达成了氮化镓—金刚石键合，系统揭示了退火中键合结构的界面行为及其影响热导和热应力的机理，发现了纳米非晶硅层在退火......
One合作中采用的方法就是创建一个由单个原子组成的阵列，并将这些原子作为量子位使用。然而，其挑战在于每个原子的定位必须十分精准。因此，凯泽斯劳滕理工大学使用了激光，并将每个原子都有效地锁定在激光......
三代半导体的主要代表材料之一，具有宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强以及卓越的击穿电场等特性，可在高温和高电压下进行长时间运作，被广泛应用于LED、激光器、太阳能电池、无线通讯、快充、工业......
等功率器 件工艺平台的背面加工工艺(如超薄片减薄、背面离子注入、背面激光退火、背 面金属、背面光刻等)方面拥有自研专利技术，帮助产品优化电学性能。 　　与国际龙头企业存在差距的风险 　　在招......
拉斯是一家高效光伏电池片核心工艺设备及解决方案提供商，主营业务为光伏电池片制造所需高性能热制程、镀膜及配套自动化设备的研发、生产与销售，并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务。 拉普拉斯半导体分立器件设备产品包括碳化硅基半导体器件用超高温氧化炉和碳化硅基半导体器件用超高温退火......
于1988 年，总部位于美国加州费力蒙特，是世界著名半导体制造设备供应商之一。 据介绍，屹唐半导体主要为全球半导体芯片制造厂商提供干法去胶、干法刻蚀、快速热处理、毫秒级快速退火......
寻找解决方案的 QAOA 或量子退火等算法。这使他们能够为 "模拟 "量子计算构建优化的硬件。设计的一个关键方面是对（紫外）激光的动态控制，为此需要对不同的射频信号进行全面控制。这正是 Spectrum......
年度展开高层人事调整，原华亚科总经理牟瑞德（Rod）预定农历春节后转调日本，另调派一位新加坡籍华人来台接任。另外，前华亚科总经理梅国勋（Scott Meikle）自美光退休后，正式加入紫光集团，担任高级顾问，为近......
8英寸SiC领域现强强联合！;据报道，近日，新加坡科学技术研究局 (A * STAR) 下属研究机构微电子研究所 (IME) 与德国扩散及退火设备供应商centrotherm......
我们将原子很好地注入在金刚石基板的表面之下，并将它们就地退火。在这之前，研究团队必须在几微米的金刚石基板上，从大约 1000 个随机出现的缺陷中搜到发射原子（emitter atoms），这是非常复杂费事的。” 　　一旦......
度半导体键合机•  激光打标机•  划片机•  注塑机•  切筋/成型设备•  退火炉•  烤炉•  激光打标机•  电镀设备•  半导体封装载板02 论坛议题•  系统级封装技术的现状及挑战•  Mini......
溶液中，这些阻转异构体间均可快速相互转化，而在固态加热条件下，只有Syn-阻转异构体能单向转化为Anti-阻转异构体，反之则不能。Anti-阻转异构体的OFET器件性能受其薄膜热退火温度的影响较小，而Syn......
完美的再现性（reproductivity），长生命周期，不错的激光可控性。 这三人有一个共同观点：量子计算的黄金时代即将到来。它将利用量子力学，为电脑运算带来指数级得巨幅加速。持同样观点的不仅仅有他们。科技......
模式可同时供应SMT服务与面板组装，获苹果青睐，再加上竞争对手欧菲光退出，因此让苹果决定拉高业成在供应链的应用比重。 茂林–KY受惠MacBook Pro键盘改回剪刀脚设计；晶技则是取代石英元件厂Seiko......
AlGaN层预置裂纹，实现器件结构层与GaN层的应力解耦，得到表面无裂纹的深紫外LED晶圆，同时预置裂纹可有效缓冲剥离过程中的局部应力。该技术路线充分利用了Ga金属滴在激光剥离过程中为液态的优点，采用......
用于晶圆的精密切割、准分子激光在半导体光刻及退火中的应用、激光精密打标用于半导体芯片及器件的标识、激光技术在钻通孔中的应用、激光技术用于半导体晶圆清洗、不同激光......
联半导体与临港集团下属临港产业区公司在活动现场正式签署租赁协议。 根据协议，新上联半导体将租赁临港产业区厂房，推进落地半导体制造快速热氧化/快速热退火/等离子氮化 (ISSG RTO/RTA/DPN) 设备项目。消息称，项目......
型半导体NiO由于禁带宽度大及可控掺杂的特点，是目前较好的选择。 该课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础，设计了结终端扩展结构（JTE），并优化退火工艺，成功......
水牛城大学研究团队也开发了算法库DeepFake-O-Meter，其能从不同角度分析视频内容，找出“深度伪造”内容。 大片段DNA嵌入再接再厉 美国斯坦福大学正在探索单链退火蛋白（SSAP），其能......
预键合芯片;将预键合芯片进行热压键合，退火处理，得到混合键合样品对。 本发明实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。 据悉，该专利于2023年10月27日申......
一提的是，去年5月，季华恒一自主研发的高温离子注入设备交付客户，可兼容4至8英寸碳化硅晶片的离子注入工艺；同年12月碳化硅激光退火设备再次交付新订单。 明年7月将投产，长飞先进200亿元......
热处理、毫秒级快速退火等设备及应用方案，主要客户涵盖全球主要芯片制造厂商。 此外，据了解，2016年5月，屹唐半导体成功收购了总部位于美国硅谷的半导体设备公司Mattson Technology, Inc......
，2021年5月28日整体变更设立股份公司，法定代表人陈猛，主要从事大尺寸集成电路级别硅片的研发、生产和销售，主要产品包括200mm的抛光片、氩气退火片和外延片、300mm的抛光片等，系中......
比例研究一直是具有挑战性的。铝（Al）是最佳的候选受体，但是注入Al的4H-SiC在1400℃退火时电激活率小于10%，需要1600℃退火才能接近100%激活。 与p-type掺杂......

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;徐州隆汇机械厂;;在线电热短路退火工艺――“自动流水线镀锌” 经拉丝机拉出的铁丝直接进入电热短路退火设备，在一根铁丝上带三种不同电压，退火、镀锌一次完成，无酸洗，无氢电镀，无环境污染。本工艺退火
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;张家港市金鹿电子设备厂;;高频焊机,高频感应加热机,高频机,热处理设备,中频机,淬火设备,高频炉,中频炉,高频加热机,高频淬火,高频焊接,退火设备,退火炉,高频电源,退火机,高频感应加热设备
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;西安华达炉业有限公司;;大型台车炉、退火炉、BAB退火炉生产线、箱式电阻炉、DX气体发生器、氨分解发生器、氢气炉、钎焊炉、网带炉、真空炉、步进炉 、井式炉、电弧炉
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奉化市华热电炉厂
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苏州松然机电设备有限公司
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有关的CAD/CAM软件和设备。公司主要产品“电脑控制硅钢带曲线开料机”、“电脑控制通用型铁芯卷绕机”、“退火炉电脑温控系统”及“氮化炉电脑温控系统”在行业内处于领先水平并获得了用户的肯定。产品
江苏晟辉炉业有限公司
;江苏晟辉炉业有限公司;;我公司是集开发、设计、制造、安装、调试、售后服务于一体的生产罩式退火炉、氨分解设备、高能等离子喷涂设备及配套设备的专业厂家，已有几十年的发展历史。产品广泛应用于带钢、线材