资讯
英飞凌科技推出一款天线调谐专用开关(2014-06-26)
新一代智能手机和其他便携式设备等空间受限的应用而言至关重要。此外，该系列进一步降低电流消耗，延长此类设备的待机和工作时间。
采用英飞凌射频CMOS开关技术的天线调谐专用开关有利于开发尺寸更小、频率范围更宽的智能手机天线。该系......
终究还是“被弃”，最大SiC衬底制造商Wolfspeed出售射频业务(2023-08-28)
运营业务的一个单独部分。
出售变收购。在上述交易终止一年后，交易双方“互换”了角色，这次是由Cree来收购英飞凌相关业务。
次年3 月 6 日，Cree宣布以约 3.45 欧元(现金和循环信贷额度借款)收购了英飞凌射频......
OPPO发布自研蓝牙音频SoC芯片：马里亚纳Y(2022-12-15)
升级为全景声的全新效果。
在工艺制程上，马里亚纳MariSilicon Y率先应用了N6RF射频工艺制程。N6RF是迄今为止最先进的射频工艺制造技术，相比于目前主流射频芯片采用的16nm工艺，N6RF技术领先2代，帮助射频晶体管......
英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件(2024-11-21 09:36)
G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及......
英飞凌新一代CoolGaN 晶体管技术，满足消费类和工业应用的需求(2025-01-17)
英飞凌新一代CoolGaN 晶体管技术，满足消费类和工业应用的需求;
【导读】英飞凌于近日宣布不再支持第一代（G1）CoolGaN™技术用于新设计，此举曾引发外界对其硅基氮化镓（GiT......
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管(2024-07-15)
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管;
【导读】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码......
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管(2024-07-11)
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管;全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出......
英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列(2024-07-09)
英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列;【2024年7月9日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导......
Guerrilla RF宣布收购Gallium GaN技术(2024-07-04)
器件产品线并实现商业化。
Guerrilla RF官方经销商Telcom International的一位员工表示，公司计划向韩国市场供应Guerrilla RF的射频晶体管，并将......
英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列(2024-07-10)
英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列;
【导读】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中......
英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布，电压覆盖700V！(2024-12-09 10:26)
四种工作模式。通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本• CoolGaN™ BDS 40V：基于英飞凌......
纬湃科技采用英飞凌CoolGaN™晶体管， 打造功率密度领先的DC-DC转换器(2024-08-16)
纬湃科技采用英飞凌CoolGaN™晶体管， 打造功率密度领先的DC-DC转换器;【2024年8月16日，德国慕尼黑讯】直流-直流（DC-DC）转换器在电动汽车和混合动力汽车中都是必不可少的，用于......
纬湃科技采用英飞凌CoolGaN™晶体管，打造功率密度领先的DC-DC转换器(2024-11-12 15:31:54)
纬湃科技采用英飞凌CoolGaN™晶体管，打造功率密度领先的DC-DC转换器;
直流-直流(DC-DC)转换器在电动汽车和混合动力汽车中都是必不可少的，用于......
带晶体管的高动态范围混频器电路分享(2023-05-31)
缓冲。T1的输入阻抗可以忽略不计，因此只需将源与P1匹配即可。运算放大器由晶体管 T3 至 T8 组成，包括优质射频晶体管已用于差分放大器 T3-T4-T5。这些晶体管在更大带宽的AF类型......
最新GaN 射频功率 IC 提升了 5G 网络性能介绍(2022-12-09)
5G 应用中的一个重要因素，其中为安装预留的空间非常有限。
英飞凌的IGO60R070D1是一款全新的 CoolGaN 600-V e
模式功率晶体管，可提......
英飞凌携手Worksport利用氮化镓降低便携式发电站的重量和成本(2024-03-11)
功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。此外，英飞凌还将帮助Worksport优化电路和布局设计，进一......
英飞凌携手Worksport利用氮化镓降低便携式发电站的重量和成本(2024-03-11)
利用氮化镓（GaN）降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功......
英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率(2024-10-21)
）技术与AWL-E创新的兆赫级电容耦合谐振式功率传输系统相结合，实现了行业领先的无线功率效率。英飞凌的GaN晶体管技术具有极高的效率和功率密度，而且可在极高的开关频率下工作。这使AWL-E能够......
英飞凌携手Worksport利用氮化镓降低便携式发电站的重量和成本(2024-03-11)
-A提高效能和功率密度。在采用晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。此外，英飞凌还将帮助优化电路和布局设计，进一步缩小尺寸并提高功率密度。本文引用地址：Worksport首席......
英飞凌推出全新CoolGaN Drive产品系列，包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥(2024-08-14 15:29)
英飞凌推出全新CoolGaN Drive产品系列，包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥;消费电子和工业应用领域正呈现出便携化、电气化、轻量化等多样化的发展趋势。而这些趋势都需要紧凑高效的设计，同时......
降本25%！GaN进军汽车、医疗等市场(2024-02-22)
系统可集成到皮卡车上，由太阳能电池板或墙上插座充电。该公司表示，通过使用英飞凌的氮化镓场效应晶体管取代电源转换器中以前的硅开关，并以更高的开关频率运行晶体管，可以将电池系统的重量减轻33%，系统......
英飞凌对英诺赛科提起追加诉讼，并向美国国际贸易委员会起诉(2024-07-29)
述诉讼所涉的四项相同专利提出法律索赔。
英飞凌正在寻求美国专利侵权永久禁令，以保护其拥有的氮化镓（GaN）技术不受侵犯。这些专利涵盖了GaN功率半导体的核心技术，包括提高英飞凌专有GaN功率晶体管......
英飞凌对英诺赛科提出专利侵权诉讼(2024-03-14)
的上述专利，这些产品包括应用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子产品的氮化镓晶体管，以及在汽车、工业和商业应用中使用的相关产品。
英飞凌电源与传感系统事业部总裁Adam White表示......
英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率(2024-10-21)
了行业领先的无线功率效率。英飞凌的GaN晶体管技术具有极高的效率和功率密度，而且可在极高的开关频率下工作。这使AWL-E能够延长系统使用寿命、减少停机时间和运营成本，并提高产品的易用性。汽车......
英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率(2024-10-21 15:15)
了行业领先的无线功率效率。英飞凌的GaN晶体管技术具有极高的效率和功率密度，而且可在极高的开关频率下工作。这使AWL-E能够延长系统使用寿命、减少停机时间和运营成本，并提高产品的易用性。汽车......
实用指南：开关电源设计中，GaN晶体管的PCB布局(2024-10-06 10:36:03)
实用指南：开关电源设计中，GaN晶体管的PCB布局;
作者：Eric Persson，Francesco Di Domenico，英飞凌......
英飞凌携手Worksport利用氮化镓降低便携式发电站的重量和成本(2024-03-11 16:20)
效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。此外，英飞凌还将帮助Worksport优化电路和布局设计，进一步缩小尺寸并提高功率密度。
Worksport COR......
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率(2024-06-25 11:20)
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率;随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须......
英飞凌实现GaN技术突破——单片高压CoolGaN BDS大幅简化双向开关设计GaN(2024-07-24)
用了贴片封装的形式，从而将快速材料的特性发挥的更好。其中在高压领域，英飞凌推出了全新CoolGaN™ 晶体管 700 V G4产品系列，与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管......
统的150mΩ GaN晶体管相比，CoolGaN™ Smart Sense产品在RDSs(on) （例如 350 mΩ）更高的情况下，能以更低的成本提供类似的效率和热性能。此外，这些器件与英飞凌......
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率(2024-06-25)
表示：“英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC™ MOSFET 400 V G2等先......
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率(2024-06-26)
Kuncic 表示：“英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC™ MOSFET 400 V G2等先......
英飞凌推出全新CoolGaN™ Drive产品系列， 包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥(2024-08-14)
英飞凌推出全新CoolGaN™ Drive产品系列， 包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥;【2024年8月14日 ，德国慕尼黑讯】消费电子和工业应用领域正呈现出便携化、电气化、轻量......
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管(2024-07-11)
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管;【2024年7月11日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新CoolGaN™晶体管......
调频广播电路(2023-07-20)
个 NPN 射频晶体管。最初它是开路的。只有当基极获得所需的截止电压时，它才开始导通。晶体管的基极通过一个 0.22uF 的电容器与可变电阻器的基极相连。发射极引脚接地。集电极连接至电容电路。晶体管......
10月新品推荐：MCU、Retimer、MEMS麦克、GaN HEMT(2022-10-31)
应用需要节能、稳健和高性价比的电池充电方案。为了满足这一需求，英飞凌科技推出了适用于反激式拓扑结构的ICC80QSG单级脉冲宽度调制（PWM）控制器，进一步扩展了英飞凌旗下AC-DC控制器IC的产......
一款迷你音频放大器电路(2023-05-25)
需制作两个完全相同的电路。
你可以看到这个迷你音频放大器电路是如此简单和容易构建。该电路是完全使用晶体管而不是使用IC的系列电路之一。优点之一是采用晶体管，谐波失真相对低于带IC的放大电路。除了音频晶体管......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
OPPO发布自研旗舰蓝牙音频 SoC 芯片，马里亚纳MariSilicon Y(2022-12-14)
了全新的能效表现。N6RF是迄今为止最先进的射频工艺制造技术，相比于目前主流射频芯片采用的16nm工艺，N6RF技术领先2代，帮助射频晶体管能效提升66%，同时减小33%的射频晶体管尺寸。
通过......
OPPO发布自研旗舰蓝牙音频 SoC 芯片，马里亚纳®️ MariSilicon Y(2022-12-14)
芯片采用的16nm工艺，N6RF 技术领先2代，帮助射频晶体管能效提升66%，同时减小33%的射频晶体管尺寸。
通过行业领先工艺，马里亚纳®️ MariSilicon Y 在实......
电动汽车市场催生碳化硅新前景(2024-01-02)
器等。
半绝缘型碳化硅基射频器件是通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长外延层，制得碳化硅基外延片后进一步制成，包括HEMT（高电子迁移率晶体管）等氮化镓射频器件，主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据......
今年功率晶体管销售额可望达到245亿美元，增长11%(2022-10-12)
MOSFET、IGBT等功率晶体管为主流产品的power discrete，受到5G基础建设、消费性快充、车用电子、电动车等产品单位功率元件消耗量增加而需求急速增长。整体市场长期由国际IDM厂主导，如英飞凌......
英飞凌详细分享其芯片生产的全部碳足迹数据(2024-06-25)
英飞凌详细分享其芯片生产的全部碳足迹数据;英飞凌科技公司正在将电子芯片的碳足迹细分到组件级别，使工程师能够根据其对气候的影响来比较其产品。
在一年一度的PCIM上，英飞凌......
集成无源元件的电源管理集成电路(2023-02-08)
相对较小的变化也可能损坏CPU等精密部件中的精密晶体管，所以需使用稳压器电路提供稳定的恒电压。
许多消费类电子产品的输入电压为12 V（最新的服务器架构为48 V）。产品内部的最终“负载点”（PoL）的降......
集成无源元件的电源管理集成电路(2023-02-08)
稳压器”（IVR）受到了特别关注。鉴于相对较小的变化也可能损坏CPU等精密部件中的精密晶体管，所以需使用稳压器电路提供稳定的恒电压。
许多消费类电子产品的输入电压为12 V（最新的服务器架构为48 V......
英飞凌将以8.3亿美元的价格收购GaN Systems(2023-03-03)
英飞凌将以8.3亿美元的价格收购GaN Systems;据悉，GaN Systems是GaN功率半导体厂商，拥有广泛的晶体管产品组合，可满足当今最苛刻行业的需求，包括消费电子产品、数据......
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇(2022-12-23)
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇;与英飞凌曾共同研发了增强型GaN GIT功率器件，两家公司都具有GaN GIT功率器件的产品。对于其栅极驱动IC，如上期所介绍的，英飞凌对其GaN......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
）和英飞凌的典型平面结构和沟槽式设计。
沟槽式金氧半场效晶体管包括沟槽边缘形成并已被蚀刻在碳化硅表面的栅极。沟槽栅极用于制造低电阻器件，准确地说，是低比导通电阻（Ronsp，电阻x面积）。如能......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
设计示意图，图中显示了罗姆（第3代）和英飞凌的典型平面结构和沟槽式设计。
沟槽式金氧半场效晶体管包括沟槽边缘形成并已被蚀刻在碳化硅表面的栅极。沟槽栅极用于制造低电阻器件，准确......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
向拓扑结构限制了最终缩小范围。
图1：碳化硅金氧半场效晶体管设计示意图，图中显示了罗姆（第3代）和英飞凌的典型平面结构和沟槽式设计。
沟槽式金氧半场效晶体管包括沟槽边缘形成并已被蚀刻在碳化硅表面的栅极。沟槽......
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;深圳市忠芯电子商行;;专业各类高频率器件,射频器件,晶体管,微波管,模块,世界品牌集成电路。产品囊括三菱(MITSUBISHI),飞利浦(PHILIPS/NXP),摩托罗拉(MOTOROLA
;汕头市铭生电子商行;;公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，IGBT等系列晶体管，货源充足，现货供应。本公司以“品质第一、诚信为本”的经
;深圳市琴芯电子有限公司;;联系QQ:2303721985;半导体 无线和射频半导体 PIN 二极管 无线和射频集成电路 射频晶体管 分立半导体 二极管与整流器 分立半导体模块 晶体管 晶闸管 存储