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研发客服英飞凌科技股份公司于2024年7月23日在美国加利福尼亚北区地方法院，对英诺赛科（珠海）科技有限公司、英诺赛科美国公司及其关联公司（以下简称：英诺赛科）在现有诉讼基础上，追加了新的诉讼请求，指控其侵犯了英飞凌拥有的另外三项与氮化镓（GaN）技术相关的专利。此外，英飞凌今日还向美国国际贸易委员会（USITC）起诉，就前述诉讼所涉的四项相同专利提出法律索赔。
英飞凌正在寻求美国专利侵权永久禁令，以保护其拥有的氮化镓（GaN）技术不受侵犯。这些专利涵盖了GaN功率半导体的核心技术，包括提高英飞凌专有GaN功率晶体管高性能和可靠性的创新技术。
早在2024年3月14日，英飞凌已在美国加利福尼亚北区地方法院对英诺赛科提起了专利侵权诉讼，并于2024年6月4日向德国慕尼黑地方法院提起相应诉讼，同时对英诺赛科德国分销商提起了其他诉讼。此外，英飞凌已成功申请了一项初步禁令（法院指令）：2024年6月12日，慕尼黑地方法院发布了该禁令，要求英诺赛科在PCIM Europe展位上移除所有侵权产品。
英飞凌拥有超过350个氮化镓技术专利族，在业界处于领先地位。随着2023年10月英飞凌完成对GaN Systems Inc.的收购，其硅基、碳化硅、氮化镓功率晶体管及其配套驱动器和控制器产品组合均得到了显著增强。这次收购不仅丰富了英飞凌的GaN产品系列，还进一步巩固了其在功率半导体领域的领先地位。
文章来源于:电子工程世界 原文链接
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