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高度集成的模块含栅极驱动 IC、多种模块内置保护功能及FS7 IGBT，实现优异的热性能，且支持15A至35A的宽广电流范围。SPM31 FS7 IGBT IPM的功率密度超高，是节省贴装空间、提高性能预期、同时......
场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了优化的IGBT，实现了更高效率，因此非常适合三相变频驱动应用，如热泵、商用暖通空调（HVAC）系统......
) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了优化的IGBT......
能够实现原本体硅IGBT难以实现或根本不能做到的应用，为系统应用设计者提供全新的拓展空间。 这些超越传统体硅IGBT能力的电力电子应用的重要性体现在两个主要方面：其一，在高功率密度应用中，功率......
统应用设计者提供全新的拓展空间。这些超越传统体硅IGBT能力的电力电子应用的重要性体现在两个主要方面：其一，在高功率密度应用中，功率器件本身的发热所导致的温升，使得器件耐温能力的选择和热管理系统的设计尤显重要；其二......
场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了优化的IGBT，实现了更高效率，因此非常适合三相变频驱动应用，如热泵、商用暖通空调（HVAC）系统......
电压下，直流稳定性比较好，即在宇宙辐射下具有很高的鲁棒性，以及175℃的过载结温可以支持LVRT等故障模式。此外，与IGBT4解决方案相比，该模块实现了更高的功率密度，从而......
IGBT7 H7 650V/1200V产品系列，具有更低损耗，帮助提高逆变器整体效率和功率密度的优势，尤其在大功率变流器项目上，电流处理能力在100A以上的大电流封装分立器件可以降低IGBT并联数量，替代......
是器件技术价值的另一个重要方面。SiC MOSFET芯片面积比IGBT小很多，譬如100A/1200V的SiC MOSFET芯片大小大约是IGBT与续流二级管之和的五分之一。因此，在高功率密度和高速电机驱动应用中，SiC......
行了很多针对性的创新。比如，在高侧IGBT门驱动器上采用SOI工艺，提高了开关频率和功率密度，降低了系统功耗，并简化了电路设计；高侧IGBT门驱动器中内置自举二极管，可由自举二极管供电，节省PCB面积并减少元件数量；另外......
能源的组串式光伏逆变器将使用英飞凌的 IGBT7 H7 1200 V功率半导体器件。 全球光储系统（PV-ES）市场近年来高速增长。光储市场竞争加速，提高功率密度成为制胜关键；储能应用如何提升效率，提高功率密度......
驱动器用于工业储能应用。 同时，麦田能源的组串式光伏逆变器将使用英飞凌的 IGBT7 H7 1200 V功率半导体器件。 全球光储系统(PV-ES)市场近年来高速增长。光储市场竞争加速，提高功率密度......
制策略 2.1.6 新一代功率模块开发 1)新型功率器件开发 最新一代车规级Si基逆导IGBT技术与传统Si基IGBT技术相比，具备小型化、低成本、高功率密度、高可靠性的特点。采用......
洗衣机、变频烟机和工业驱动器等先进家电/工业电机驱动应用的理想选择。 DIPS26新产品采用了框架+DBC的散热结构，模块体积小、保护功能齐全、功率密度高、散热......
晶圆背面采用了多层金属。除了实现更高的功率密度和更高的可靠性外，这种制造工艺还能更好地权衡兼顾器件的导通性能和开关性能。 成熟可靠的产品组合和合作伙伴 600 V系列涵盖的多款中速(M3)和高速(H3)IGBT，采用......
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT......
于硅的解决方案转向使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 材料的功率半导体技术，从而在创新方面迈出下一步。他们寻求用于电动汽车 (EV) 的功率密度更高、效率更高的电路。 碳化......
构成变频器主回路的关键部件。 逆变器的应用：在各种领域中被运用，主要根据电压改变功率模块的构造。 功率模块的发展规划： 面向小型・高输出化，低损失化、高散热化在不断发展。 汽车逆变器的功率密度......
PI SCALE-iFlex 系列再添新家族，XLT驱动模块继续挑战功率密度极限;Power Integration（PI）日前宣布推出SCALE-iFlex XLT系列......
缘栅双极型晶体管（IGBT）相比，像碳化硅（SiC）这样的宽带隙器件可以阻断极高的DC链路电压。转换器可在更高电压下工作，从而减少所需功率传输的电流量。负载电流量降低的直接影响是铜线使用量也会相应减少，从而实现了功率密度......
和 IM12B20EC1，电流规格从10A到20A不等，输出功率最高可达4.0kW，适用于电机驱动、泵、风扇以及供暖、通风和空调用室外风扇等中低功率驱动器应用，堪称最小封装、最高功率密度......
。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小，可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路，提供更高的功率密度......
地满足工业和新能源汽车应用的广泛需求。 近年来，为了追求更高的转换效率和功率密度，在工业和新能源汽车等领域，系统设计师们逐步开始采用SiC器件替代传统的、基于硅（Si）工艺的IGBT器件。然而，这种......
汽车中的主驱逆变器必须能够处理这种更高的电压并使用合适的组件。 ■ 减轻重量和尺寸：与硅基 IGBT 相比，SiC 具有更高的功率密度 (kW/kg)。更高的功率密度有助于减小系统尺寸（kW/L），减轻主驱逆变器的重量，同时......
穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，尤其适合对高温、高功率密度、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用。功率密度是器件技术价值的另一个重要方面。SiC MOSFET芯片面积比IGBT小很多， 譬如100......
、风扇以及供暖、通风和空调用室外风扇等中低功率驱动器应用，堪称最小封装、最高功率密度的性价比之选。 高能效与智能家居 随着人形机器人的快速发展，基于传统的硅基半导体开关器件所设计的马达驱动，在提高功率密度......
高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度和领先的质量，该功率半导体器件与的车载充电器实现了高度适配。本文......
烟机和工业驱动器等先进家电/工业电机驱动应用的理想选择。DIPS26新产品采用了框架+DBC的散热结构，模块体积小、保护功能齐全、功率密度高、散热能力优秀、安装方便和绝缘等级能满足各种装配场景需求等，目前......
应用产品：交流电机、变频器、逆变器、充电桩 展品二： 展品名称：1200V/600A IGBT 模块 展品特点： •低开关损耗 •低VCEsat •温度系数为正的VCEsat •高功率密度 典型......
重量和尺寸：与硅基 IGBT 相比， 具有更高的功率密度 (kW/kg)。更高的功率密度有助于减小系统尺寸（kW/L），减轻主驱逆变器的重量，同时减少电机的负载。车辆......
最小封装、最高功率密度的性价比之选。高能效与智能家居随着人形机器人的快速发展，基于传统的硅基半导体开关器件所设计的马达驱动，在提高功率密度方面面临较大挑战。英飞......
最小封装、最高功率密度的性价比之选。 高能效与智能家居 随着人形机器人的快速发展，基于传统的硅基半导体开关器件所设计的马达驱动，在提高功率密度方面面临较大挑战。英飞......
%，液冷电机渗透率保持在 60%左右。 2 电机控制器：以提升体积功率密度为核心，IGBT 和功率模组是主流解决方案 电机控制器是电驱动系统的核心控制单元，将来......
) IGBT 可用来将输入电压提升至高压（升压级），和用于为高开关频率能源基础设施应用提供交流输出的逆变器。FS7 器件的低开关损耗可实现更高的开关频率，减小磁性组件的尺寸，提高功率密度......
电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi)， 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该......
凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度......
芯片各项参数均达到设计要求。本文引用地址： 晶能自主研发 流片晶圆 该款 芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术，通过优化表面结构和 FS 结构，兼具短路耐受同时实现更低的导通 / 开关损耗，功率密度增大约 35%，综合......
逆变器的进步正在进一步推动人们对电动汽车性能升级的期望。更高的开关频率可直接优化可靠性、性能、重量和功率密度，也为采用更轻、更快的电机铺平了道路。 新一代电动汽车驾驶起来会更加有趣 TI混合动力汽车/电动......
比亚迪半导体最新推出SOT-227封装产品; 【导读】半导体行业的技术发展方向可归纳为更高的功率密度、开关频率，以及更小的导通压降、开关损耗、芯片尺寸、模块体积。越来......
科技集团消息显示，该款IGBT芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术，通过优化表面结构和FS结构，兼具短路耐受同时实现更低的导通/开关损耗，功率密度增大约35%，综合性能指标达到行业领先水平。晶能......
达到3.10GHz, 可广泛应用在高性能计算、人工智能、边缘计算、医疗和测试测量等领域。• IGBT变频器功率板：该功率板由主逆变电路、IGBT驱动电路、辅助电源、电流采样、电压采样五部分组成，具有高功率密度......
驱动电路、辅助电源、电流采样、电压采样五部分组成，具有高功率密度，比传统模块面积减少大约18%，支持Brake功能以及防浪涌设计，功率为5.5kW，输入为3PH AC 380-480V 16.7A......
系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度......
范围为50A至900A。Microchip负责分立产品业务的副总裁 Leon Gross 表示：“多功能 IGBT 7系列产品是易用性和成本效益与更高功率密度和可靠性的完美结合，为我......
动力在目前在多数电车上已经够用，传统油车的大马力溢价，在电车上已经变得不值钱。上图列出的高功率密度电机，给人的感觉就是电车马力跟白给似的。   车企与其在现有绰绰有余的电机功率上，再花......
芯片各项参数均达到设计要求。 晶能自主研发 IGBT 流片晶圆 该款 IGBT 芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术，通过优化表面结构和 FS 结构，兼具短路耐受同时实现更低的导通 / 开关损耗，功率密度增大约 35......
阻衬底 UL 认证 优势 高功率密度 标准封装 应用领域 不间断电源（UPS） 电机控制和驱动 风能系统 牵引 ......
：“多功能 IGBT 7系列产品是易用性和成本效益与更高功率密度和可靠性的完美结合，为我们的客户提供了最大的灵活性。这些产品专为通用工业应用以及专业航空航天和国防应用而设计。此外，我们......
基的10倍）、导热率高利于散热，及更高的功率密度等。 △ 碳化硅优势原理解析 最重要的是使用SiC碳化硅模块的电机控制单元，相比IGBT模块方案，可以实现从电池到电机路径，约5%的效率提升，也就......
能源的组串式光伏逆变器将使用英飞凌的 IGBT7 H7 1200 V功率半导体器件。全球光储系统（PV-ES）市场近年来高速增长。光储市场竞争加速，提高功率密度成为制胜关键；储能应用如何提升效率，提高功率密度......

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