【导读】英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块，其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块，其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。

英飞凌推出采用62 mm封装的CoolSiC™ MOSFET产品组合

增强型M1H技术能够显著拓宽栅极电压窗口，即使在高开关频率下，不需任何限制，也能确保栅极应对驱动器和布局引起的感应电压尖峰的高可靠性。此外，极低的开关损耗和传输损耗可以最大限度地降低冷却需求。结合高反向电压，这些半导体器件还可满足现代系统设计的另一项要求。借助英飞凌CoolSiCTM芯片技术，转换器的设计可以变得更有效率，单个逆变器的额定功率得以进一步提高，从而降低整体系统成本。

配备铜基板和螺纹接口，该封装具有高鲁棒性的机械设计，可提高系统可用性、降低服务成本和减少停机损失。通过强大的热循环能力和150°C的连续运行结温（Tvjop）实现出色的可靠性。其对称的内部封装设计使得上下开关具有相同的开关条件。可以选装预涂热界面材料（TIM），进一步提高模块的热性能。

供货情况

采用62mm封装的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三种型号可供选择。2000 V产品组合将包含4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A两种型号。1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ型号将于2024 年一季度推出。它还有专为快速特性评估（双脉冲/连续工作）设计的评估板可供选择。为了便于使用，该评估板还提供可灵活调整的栅极电压和栅极电阻，同时还可作为批量生产驱动板的参考设计使用。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工，在2023财年（截至9月30日）的收入约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约3,000多名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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