资讯
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
在上管米勒电容上，产生位移电流。位移电流经过门极电阻回到地，引起门极电压抬升。如果门极电压高于阈值电压Vth，则上管的IGBT会再次导通，并流过电流，增加系统损耗。
怎么判断是否发生了寄生导通呢？
一个......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
的驱动正电压是+15V，在关断期间，串扰电流Igd（红色线）会流经Ciss, 在关断电阻Roff和IGBT内部栅极电阻Rg两端，产生左负右正的电压，这两个电压叠加在IGBT门极，此时IGBT会有......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
压大于15V后，即使门极电压再升高，VCE饱和压降变小得不多了。所以IGBT选用15V驱动是一个不错的选择。
对开关损耗的影响
另外，门极的正压对降低开关损耗也是有帮助的。因为开通的过程相当于一个对门极电......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
示意图：
门极总栅极电阻RGtot包含内部栅极电阻RGint和外部栅极电阻RGext，即......
有源钳位技术解析(2022-12-15)
钳位工作时序
如下为典型的有源钳位电路，此电路里面采用2个TVS串联构成，其优点体现在可以耐受更高回路电压，同时可以吸收更大的浪涌能量。其工作原理为：在IGBT集电极电压过高时TVS被击穿，通过限流电阻流进门极......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
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功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细......
安森美全新SiC MOSFET模块方案实现高性能充电方案(2021-06-09)
平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。
NXH010P120MNF配置为2......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
流不同驱动功率有所变化，因此驱动电路的结构也有所不同。
门极驱动电阻RG对IGBT的动态特性有较大的影响。如图，IGBT的GE之间有个寄生电容CGE，该电容一般随IGBT容量增大而增大。RG越小，IGBT的栅极电......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
上大部分的SiC 都是平面型元胞，而依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”，就不会干别的了吗？非也。因为SiC材料独有的特性，SiC 选择沟槽结构，和IGBT是完全不同的思路。咱们一起来捋一捋。本文......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
。适当的VGS（OP）选择在“如何选择合适的VGS（OP）”部分中进行详细描述。
表 2. 1200V碳化硅MOSFET的栅源电压
QG(TOT)，总栅极电荷
总栅极电荷指MOSFET导通......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
IGBT在线性区之间存在差异（红框所标位置）。
这主要是由于IGBT在导通初期，发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。
06 IGBT如何选型
1、IGBT额定电压的选择......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
半桥电路的控制要求。
2、IGBT驱动
IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，两者的区别在于关断时的门极电位。采用负压关断可以避免因米勒电容对门极电......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
流特型结合在一起，形成大功率、高压、快速全控型器件。实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断，它由无数单胞并联而成。它与GTR，MOSFET， IGBT，GTO 等器......
高能效的主驱逆变器方案 有助解决里程焦虑，提高电动汽车的采用率(2024-07-22)
出色的热性能和电性能。由于IGBT具有极低的VCE（sat）和门极电荷，因此可将导通和开关损耗降至最低，从而实现高能效运行。安森美半导体的IGBT与快速反向恢复二极管共同封装，并采......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
（on）表示。
图1取自Onsemi的NDS351AN MOSFET的数据表，显示了沟道电阻如何随着栅极到源极电压的增加而降低。完全增强的状态对应于曲线的低斜率部分。
Onsemi的NDS351AN......
电动汽车应用—OBC, DC/DC, PDU多合一产品方案(2024-09-25)
钳位也是以前不少章节介绍过，小东西大功能，算是最高性价比的浪涌吸收方案。
门极驱动
门极驱动通常会添加稳压管与TVS作为驱动过压保护，由于门极电阻具有限流能力，因此实际TVS在动......
正确理解驱动电流与驱动速度(2022-01-27)
驱动电压和驱动电流的简化时序图。t1 到 t2 这段时间是门 极驱动的源电流(IO+)从零开始到峰值电流的建立时间。在 t3 时刻，门极电压达到米勒平台，源电流开始给 MOSFET 的米勒电容充电。在 t4 时刻，米勒......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
电路无阻尼组件，易产生LC振荡，故应选择无感电容或串入阻尼电阻RS；
b)图是将RCD缓冲电路用于双桥臂的IGBT模块上，适用于200A以下的中等容量IGBT；
c)图中，将两个RCD缓冲......
PCIM欧洲展盛大开展！PI推出两款新品(2023-05-16 14:27)
推出两款新品。1SP0635V2A0D新款3300V IGBT模块门极驱动器：可报告遥测数据以实现可观测性、预测性维护和生命周期建模这款新品适配于尺寸为190mmx140mm的3300V以内的IHM和IHV......
的新型驱动器IC具有非常高的集成度，可使整个驱动板（包括门极电源）的尺寸大小完全适合于功率模块，同时仍能提供符合IEC 60664标准的加强绝缘所需的间距。ASIC封装可提供11.4mm的爬......
Power Integrations推出新款3300V IGBT模块门极驱动器(2023-05-09)
Power Integrations推出新款3300V IGBT模块门极驱动器;
【导读】深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯......
Power Integrations推出新款3300V IGBT模块门极驱动器，可报告遥测数据以实现可观测性、预测性维护和生命周期建模;深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power......
Power Integrations推出新款3300V IGBT模块门极驱动器，可报告遥测数据以实现可观测性、预测性维护和生命周期建模;深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power......
PI多款产品亮相PCIM Asia 2023(2023-09-04 13:45)
IGBT/SiC模块门极驱动器
SCALE-iFlex™ LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100......
变频器和逆变器常用的驱动集成电路（二）(2024-04-02)
、先检查+15V、-7.2V的驱动供电电源是否正常。若无负压，检查稳压电路并排除；测得输出电压偏低，A316有异常温升，脱开栅极电阻，供电电压正常，为模块内部IGBT的G、E结漏电损坏，更换模块；供电......
英飞凌推出2300 V隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器(2021-06-08)
一个由于经过开通过程会产生几kV/us的dv/dt。这将使该管经由Cgc电容产生电流灌入门极，可能引起门极电压的抬升进而导致器件开通。因为Cgc又被称为米勒电容，所以我们称这样的开通为米勒开通。而把......
变频器和逆变器常用的驱动集成电路（一）(2024-04-02)
电路、检测电路、定时复位电路以及门极关断电路组成。
M57962L是N沟道大功率IGBT模块的驱动电路，能驱动600V/400A和1200V/400A的IGBT。M57962L具有以下几个特点：
(1......
储能系统的关键零部件——IGBT介绍(2024-10-08 17:04:04)
压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极N 一沟......
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？(2024-06-14)
. 寄生导通现象
如何选择合适的 VGS(OP)
与硅通常使用10V和IGBT通常使用15V作为栅极驱动电压不同，碳化硅MOSFET由制造商根据不同的VGS(OP)条件或根据每个产品进行推荐。这可......
如何测量功率回路中的杂散电感(2024-03-19)
精度相对不高。而对于IGBT的开通暂态下这些情况均不会存在，故实际情况下通常选择开通暂态来进行测量寄生电感，如图5(b)所示，其中集电极电流的上升产生了电流变化率diF/dt，同时......
宽禁带使太阳能前景广阔(2020-04-08)
森美半导体的NVHL080N120SC1具有仅80 mOhm的导通电阻（RDS（ON））和低门极电荷（QG）及电容值，降低电磁干扰（EMI）并支持使用更快的开关频率，从而带来上述好处。SiC肖特......
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计(2023-10-24)
栅极驱动器。IGBT/MOSFET 栅极电阻选择 RG 值时，重要的是要从栅极驱动器 IC 和功率半导体开关 MOSFET/IGBT 的角度来考虑。对于栅极驱动器 IC，我们选择的 RG 在 IC 允许......
两个IGBT为什么会出现同时导通的情况呢？(2024-07-02)
两个IGBT为什么会出现同时导通的情况呢？;什么是死区时间？
数据手册的参数
如何计算合理的死区时间？
STM32中配置死区时间
什么是死区时间？
PWM是脉冲宽度调制，在电力电子中，最常......
高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南(2022-12-23)
成为 PWM 占空比的限制因数。
第四个选择，包括在 VS 和 VOUT 之间，重新布置一个栅极电阻，以及在 VS 和地之间放置一个箝压器件，如图19所示，布置了一个齐纳二极管和600 V 二极管。根据......
无刷直流 (BLDC) 电机设计的新起点(2024-09-18)
无刷直流 (BLDC) 电机设计的新起点;前言
无刷直流电机(BLDC)设计很复杂。在大量的MOSFET、IGBT和门极驱动器产品组合中开始选择电子器件(旧的起点) 是茫然无助的。
安森......
PI SCALE-iFlex 系列再添新家族，XLT驱动模块继续挑战功率密度极限(2024-05-23)
可以大幅降低。
Power Integrations产品营销经理Thorsten Schmidt表示：“为这些‘新型双通道’IGBT模块构建单板门极驱动器确实是一项挑战。我们的新款SCALE-iFlex......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
区的PN结成反偏状态，于是产生了JFET效应，如下图。
于是，在上述IGBT结构中，电子流通方向的电阻可用下图表示，结合上边描述，一目......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
强度指栅极驱动器的拉电流和灌电流能力。驱 动器强度的选择取决于所使用的电源开关 (IGBT 或 MOSFET)（基于其栅极电荷）。栅极电荷是所需的电荷 量或给定时间段内的电流，用于对输入电容进行充电 和放......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您;在高压开关电源应用中，相较传统的硅和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）有明显的优势。使用硅可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它......
驱动电路中误导通及应对方法(2024-11-14 11:24:55)
驱动误导通的方法
1.门极电阻、电容法
2 米勒钳位法.
3 负压驱动法
总结
......
如何测试光耦合器（查找不良光耦合器）(2024-02-26)
，在LED阳极串联一个几百欧姆（100欧姆）的电阻，打开电源后，按下按钮，开始将电压从0伏增加到2至5伏，你就可以了。应该能够在欧姆表上看到输出电阻如何随着输入电压的增加而减小，反之亦然。
5.光耦IC......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项(2023-09-22)
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要......
电动汽车直流充电桩设计指南完整版来了，全干货！(2024-06-06)
纳，半桥，全桥
■ 低热阻
■ 内置 NTC 热敏电阻
■ 在更高电压下改善了 RDS(ON)
■ 更高效、更高功率密度
■ 灵活的高可靠性热接口解决方案
如何选择栅极驱动器
电流驱动能力：开关......
电动汽车直流充电桩设计指南完整版来了，全干货！(2024-07-09)
/1200V：
■ 可用配置：维也纳，半桥，全桥
■ 低热阻
■ 内置 NTC 热敏电阻
■ 在更高电压下改善了 RDS(ON)
■ 更高效、更高功率密度
■ 灵活的高可靠性热接口解决方案
如何选择......
光伏逆变器系统设计从系统目标到解决方案，一次性讲透(2024-06-07)
mΩ
● 低热阻
● 内置 NTC 热敏电阻
● 在更高电压下改善了 RDS(ON)
● 更高效、更高功率密度
● 灵活的高可靠性热接口解决方案
*NTH4L022N120M3S 主要特性
如何选择......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
将电流限制在LED上，可以选择没有晶体管时连接LED和电阻直接到9V电池时所用的阻值。比如，1kΩ应该可以满足正常工作。
1.2 如何选择晶体管
NPN晶体管是最常见的双极结晶体管(BJT)。但是还有一个叫做PNP......
I2C上拉电阻如何取值？(2024-03-11)
I2C上拉电阻如何取值？;I2C一般为开漏结构，需要在外部加上拉电阻，常见的阻值有1k、1.5k、2.2k、4.7k、5.1k、10k等。本文引用地址：
但是应该如何根据开发要求选择......
Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模块门极驱动器;Power Integrations推出......
现代工业电机驱动中如何可靠地实现短路保护的问题(2022-12-19)
必须作出权衡取舍。
IGBT技术的发展正在促成增加短路电流电平，但降低短路耐受时间这一趋势。此外，技术的进步导致使用芯片尺寸更小，缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
防止寄生电感与电容振荡，限制IGBT集电极电压的尖脉冲值。
栅极电阻值小——充放电较快，能减小开关时间和开关损耗，增强工作的耐固性，避免带来因dv/dt的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在IGBT上产......
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