资讯
影响语音芯片采样率主要因素有哪些(2023-08-25)
广播的声音品质，44.1KHz则是理论上的CD音质界限，48KHz则更加精确一些，也是miniDV、数字电视、DVD、DAT、电影和专业音频所用的采样频率。
码率越高，音频文件所占容量越大。
如何计算出适合芯片容量......
常用的语音芯片采样率有哪些呢？(2023-01-03)
越大。
如何计算出适合芯片容量的采样率？
通常芯片：语音的采样率（K）=语音芯片秒数*6/语音长度
......
STM32单片机简介(2024-07-26)
在256KByte到512KByte。
如何计算我们的代码占用多大的FLASH ,占用多大的RAM，有两个方面的意义。一是可以作为评估我们工作量的参考。二是为芯片选型提供参考。
Keil MDK下Code, RO......
基于FPGA的NAND FLASH坏块表的设计与实现(2022-12-21)
NAND Flash芯片说明
NAND Flash芯片使用型号是三星公司的K9K8G08U0A，单片容量为1 G×8 Bit。该芯片总共有8 192 块，每块中含有64 页，每页共2 112 个字......
与iPhone 7惨烈撞脸，锤子M1如何天生骄傲？(2016-10-24)
了实际需要”，并且“真正定义了旗舰配置的奢侈”。
锤子手机正在改变以往的高价低配策略，开始讲究硬件配置。于是，高通骁龙 821 芯片、4GB / 6GB RAM、64GB ROM、 2300 万像......
STM32的启动过程如何分析(2023-05-10)
可以不会吹灰之力就可以运行起来。STM32F103的启动文件形如：
根据不同的芯片容量，都有相对应的启动文件可供选择，实际使用根据芯片容量选择合适的启动文件即可。
启动文件的主要作用有：
1）设置栈
2）初始化 SP 指针......
UPS电源的空开、电缆及电池的配置计算(2024-09-20 17:07:08)
及电缆的配置
一、UPS如何计算......
SK海力士宣布业界首次提供24Gb DDR5样品(2021-12-15)
SK海力士宣布业界首次提供24Gb DDR5样品;2021年12月15日，SK海力士宣布提供业界内DRAM单一芯片容量最大的24Gb DDR5*样品。
*DDR(Double Data......
mini2440之S3C2410 SDRAM寄存器初始化设置(2024-06-20)
mini2440之S3C2410 SDRAM寄存器初始化设置;板子是s3c2410，使用两片容量为32MB、位宽16bit的HY57V561620CT-H芯片拼成容量为64M、32bit的SDRAM......
如何计算DTC的16进制表示(2023-08-23)
如何计算DTC的16进制表示;DTC的16进制表示
通过诊断通信获取的DTC通常是16进制数值，而非5个字符形式，需要转换一下。那么上面例子中字符形式的DTC，如果采用16进制表示，将如何计算？先看......
台积代工芯片 A10 传曝光，iPhone 7 要用(2016-10-18)
下个月问世，用于新机的“A10”处理器也疑似首度曝光，据称这款芯片全由台积电代工，采 16 纳米制程，支持 3GB RAM。
AppleInsider、MacRumors 10 日报导，GeekBar 创始......
单相电机的电容的作用 如何计算容量(2023-04-06)
单相电机的电容的作用 如何计算容量; 在单相电机中，电容器是一种常用的辅助启动装置，它能够提供额外的电动势，改变电路中的相位差，从而使电机能够启动。具体而言，电容......
昱联迎接DDR5世代来临(2021-10-18)
。
另外，DDR5芯片容量从16千兆比特(Gb)跃升至32Gb。芯片容量翻倍意味着一个模块可提供最高达512GB的容量，以流畅处理巨大的同时工作负载，具有......
三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM(2021-10-12)
组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。
封面图片来源：拍信网......
基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现(2023-08-19)
器的使用的不均衡的问题。
1 电路说明
NAND Flash芯片使用型号是三星公司的K9K8G08U0A，单片容量为1 G x 8 Bit。该芯片总共有8 192 个块（Block），每个块中含有64 页......
单芯片超过 100Gb，三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片(2023-10-22)
提供业界最高密度。同时三星还在为亚 10nm DRAM 准备新的 3D 结构从而实现超过 100Gb 的单芯片容量。
而在闪存上，三星透露了第九代 V-NAND 的开......
存储大厂们DRAM先进制程进行到哪一步了？(2023-10-20)
年进入1bnm工艺阶段，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp。三星透露，将于2026年推出DDR6内存，2027年即实现原生10Gbps的速......
电能质量分析仪之谐波算法(2023-03-03)
电能质量分析仪之谐波算法;什么是谐波？如何计算？结果怎么解读？
谐波那么多算法，有啥区别？我该用哪种？
谐波功率潮流怎么判断？
超高频谐波有啥危害？标准规定是如何计算的？
你有什么问题吗？欢迎......
AMD推出全新AMD锐龙和EPYC处理器，扩大数据中心和PC领域领先地位(2024-06-05 08:50)
们共同的客户带来新的价值。"为数据中心提供领先的 AI 和企业计算AMD 详细介绍了其扩展的多代加速器路线图，展示了其如何计划在生成式 AI 的年度发展中带来性能与内存的领先优势。今日在 Computex 上预......
SK hynix率先推出HBM3e 16hi产品，推升位元容量上限｜TrendForce集邦咨询(2024-11-14)
上限
SK hynix（SK海力士）近日在SK AI Summit 2024活动透露其正在开发HBM3e 16hi产品，每颗HBM芯片容量为48GB，预计在2025年上半年送样。根据......
MOS管的功耗如何计算？(2024-11-07 11:17:59)
MOS管的功耗如何计算？;
通常大家在计算MOSFET功率损耗时，都会采用简单的计算公式：P=Id*Id*Rds(on) ，但这只是MOSFET损耗的一部分，MOSFET的功耗包含几部分呢？
......
iPhone 7皇帝版比乞丐版快十倍？！彻底真相了(2016-10-09)
相同的两款SSD，一款是32GB的，一款256GB，都采用16GB单片容量的闪存芯片。32GB的只要2片闪存芯片，而256GB需要16片闪存芯片。
而SSD读写时，会将数据分散，同时读写多个闪存芯片。这样......
摩尔定律是否走到尽头？半导体巨头CEO观点出现严重分歧(2022-09-30)
上台积电三星。以经验而言，导入新节点制程通常需时2年，英特尔想要4年内开发5个节点制程，业界都认为是大胆的尝试。
在此目标下，英特尔需要摩尔定律继续活着，必须单芯片容纳更多晶体管。但晶......
008_STM32之_keil编译内存大小解析(2024-08-16)
= 35324/1024 = 34.5K
程序运行的时候，芯片内部RAM使用的空间为：
RAM size = RW-data+ZI-data
上面代码RAM = 60 + 3900 = 3960......
寄存器，存储器，RAM，ROM有什么区别？(2023-03-14)
缺资源，容量也很小，且它的数据在断电后就消失了。
寄存器、存储器、RAM和ROM都是计算机系统中常见的术语，它们在计算机的存储系统中都扮演着不同的角色，下面将对它们进行通俗易懂的解释。
二、存储......
为什么单片机内存那么少？(2023-03-27)
器，这里可以参看一下文章：SRAM、DRAM、SDRAM的区别
相对于Flash、硬盘等非易失性存储器而言，RAM具有更快的读写速度，因此RAM广泛用于各种单片机、嵌入式、计算机系统中。
但RAM......
220V电机与380V电机的电流如何计算？(2023-12-28)
220V电机与380V电机的电流如何计算？;我们通过P=UI得知，220V 的电动机计算公式是I=P/U。以1KW电动机为例，P=1000、U=220，我们可以算出I=1000/220 余等......
stc12c5a60s2晶振频率如何计算(2024-01-17)
stc12c5a60s2晶振频率如何计算;STC12C5A60S2/AD/PWM系列单片机是宏晶科技生产的单时钟/机器周期（1T）的单片机，是高速/低功耗/超强抗干扰的新一代8051单片机，指令......
s3c2440 SDRAM(2024-08-21)
HY57561620，并联成32位） Base Component：单个芯片容量(bit)（256Mb） Memory Configration：内存配置 (（4M*16*4banks......
S3C2440存储系统-SDRAM驱动(2024-08-21)
Width: 总线宽度 （两片16位HY57561620，并联成32位）Base Component：单个芯片容量(bit)（256Mb）Memory Configration：内存配置 (（4M*16......
电能质量分析仪谐波的用途和目的是什么？(2023-03-06)
电能质量分析仪谐波的用途和目的是什么？;什么是谐波？如何计算？结果怎么解读？
谐波那么多算法，有啥区别？我该用哪种？
谐波功率潮流怎么判断？
超高频谐波有啥危害？标准规定是如何计算的？
你有......
三星半导体在2024 ODCC上分享生成式AI时代大容量高性能的存储解决方案(2024-09-03)
存储产品，沈昊俊分别介绍了三星半导体目前单芯片容量最大32Gb的DDR5内存产品，不久将可供应128GB/256GB等大容量封装规格；以及拥有目前三星最高随机写入性能400K IOPS......
PLC编程设计中的IO配置清单怎么做(2023-08-24)
量输出点数和控制系统与其他系统通讯点数五个方面统计结果得出。
1、自控系统AI输入点数如何计算
AI指进入控制系统的模拟量输入信号。从现场可以直接输入系统的AI输入信号有热电偶（J、K、T、N、E、R、S和B分度号热电偶）、热电阻信号（Cu50......
长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗 128层QLC准备量产(2021-09-15)
，且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
值得一提的是，此次同步登场的还有128层TLC闪存（X2-9060），单颗容量512Gb(64GB......
电机分几级多少转速 如何计算电机转速(2023-03-31)
电机分几级多少转速 如何计算电机转速;电机分几级多少转速
电机的分类和转速会根据具体的电机类型和应用而有所不同。以下是一些常见电机的分类和转速范围：
直流电机：直流......
演示STM32中PWM的配置与应用(2024-02-03)
公式：
PWM频率 = 定时器时钟频率/(AutoReloadRegister + 1)/(PSC + 1)
简单推导一下PWM频率是如何计算的：
一个PWM波周期t2的大小，也就是从0计数到ARR......
SK海力士率先推出HBM3e 16hi产品，预计2025年上半年送样(2024-11-14 13:55:26)
士）近日在SK AI Summit 2024活动透露其正在开发HBM3e 16hi产品，每颗HBM芯片容量为48GB，预计在2025年上半年送样。根据TrendForce集邦咨询最新研究，这款......
伺服电机频率如何计算_伺服电机频率响应(2023-05-05)
伺服电机频率如何计算_伺服电机频率响应; 伺服电机频率如何计算
伺服电机的频率通常指电机旋转的频率，也可以理解为控制器发送给电机的脉冲信号频率。一般来说，伺服电机的频率计算......
东芝首发15nm eMMC闪存：速度飙升140%！(2016-10-27)
简化了设计。
据介绍，东芝的新e-MMC芯片容量从16GB到128GB不等，采用15nm工艺制造，这使得其成为现今全球尺寸最小的闪存芯片。
读写性能方面，新e-MMC芯片的顺序读写速度分别为320MB......
固态热晶体管超高速精确控制热量，开辟计算机芯片热管理新领域(2023-11-06)
上的研究，该晶体管具有迄今最高的速度和性能，通过原子级设计和分子工程，可开辟计算机芯片热管理的新领域。这一进展还有助于了解人体如何调节热量。
固态热晶体管通过电场控制热运动。 图片来源：胡永杰实验室/加州......
美光2025年量产1γ DRAM，先进制程竞赛继续打响(2023-09-04)
也在积极探索先进制程。
三星在去年10月召开的Samsung Foundry Forum 2022活动上，对外公布了DRAM技术路线图。按照规划，三星将于2023年进入1bnm工艺阶段，芯片容量将达到 24Gb（3GB......
存储专而精，封测小而美——佰维双轮驱动赋能万物互联(2020-12-07)
的封测制造工艺赋予了公司更灵活的和快速响应的定制化优势，通过研发与封测实力不断赋能存储芯片小型化、大容量与低功耗，进而满足终端设备日益轻薄与高集成度的需求。
如大家所知，存储芯片容量的提升一方面来自于3D NAND对2D NAND的突破，单颗......
NVIDIA Hopper系列芯片为例，第一代H100搭载的HBM容量为80GB，而2024年放量的H200则跃升到144GB。在AI芯片与单芯片容量的增长推动下，对产业整体的HBM的消......
如何计算DC-DC的电感值？实际案例+8个步骤+计算公式(2024-06-25)
如何计算DC-DC的电感值？实际案例+8个步骤+计算公式;今天给大家分享的是：如何计算DC-DC。本文引用地址：DC-DC 的通常我们很少计算，会直接选择手册里面推荐的值，这在......
对比ZF和特斯拉的4D毫米波雷达设计，国产4D毫米波雷达迅速崛起(2023-07-07)
年推出，在当时算比较先进的。
存储方面，ZF使用了两片美光的MT53E128M32D2DS-053 AUT:A。
这是车规级的LPDDR4，单片容量4Gb。
特斯拉使用一片RAM存储，型号......
量的H200则跃升到144GB。在与单芯片容量的增长推动下，对产业整体的HBM的消耗量有显著提升，2024年预估年增率将超过200%，2025年HBM消耗量将再翻倍。
据TrendForce集邦......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
阶段，芯片容量将达到
24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp。
Flash领域，目前
Flash已经突破200层堆叠大关，厂商正持续发力更高层数。8月9日SK......
变频器一拖多电机同时启动的方法分享(2023-08-25)
控制要注意绝对要保证两台电机不允许同时工作，否则将会过载。
一拖多同时启动控制变频器选择
在用一台变频器同时控制多台电机启动、停止时，由于电机的数量比较多，主要应考虑的问题就是如何计算......
美国开发出全固态热晶体管，可精确控制计算机芯片热量(2023-11-07)
体管具有很高的速度和性能，可以通过原子级设计和分子工程开辟计算机芯片热管理的新领域，这一进展还可以进一步了解人体如何调节热量。
研究人员表示，精确控制热量如何......
存储大厂先进制程竞赛迎新进展(2022-12-24)
上，对外公布了DRAM技术路线图。按照规划，三星将于2023年进入1bnm工艺阶段，即第五代10nm级别DRAM产品，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4......
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控密封铅酸蓄电池、高容量电动车电池，定制特型电池及电池组合。本公司生产电池具有体积小，容量高，寿命长，自放电小，安全可靠，免维护等特点。 公司视质量如生命，视用户为上帝，保证产品质量的高品位、高性能是我们不变的追求，欢迎广大新老客户光临指导。
根据Cygnal公司的产品计算速度快、运算量大的特点，结合本公司精密混合信号IC技术，开发出全新的C8051Fxxx系列高速大容量运算、模拟和密集型高精度计算的高度集成微处理器芯片，使得
止境的创新精神，有积累数年的开发经验，有优秀的职业道德，有令人折服的敬业精神，当然您也将拥有我们优秀的技术产品和优良的服务。 我们每时每刻考虑的是如何运用先进的计算机技术来如何
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于多种非挥发性内存产品的设计，制造与市场领域。在SuperFlash技术 层面下，其产品广泛的应用在数字消费，无线网络通讯，网络计算机市场等。 在NonMemory领域有自己的专利技术，擅长于64M以下小容量市场，在此
, 主要涉及应用于电源管理，DSP信号处理，放大器和线性器件，逻辑电路，汽车电子，开关与多路复用器等方面的芯片。 ADI产品，主要涉及应用于放大器和比较器，ADC/DAC转换器等方面的芯片。 RAM
、Flash、以太网芯片、串口芯片、USB、音视频处理芯片等)二．存储器：ISSI、IDT、 CYPRESS、AMD、、SAMSUNG、HYNIX、等公司高速静态存储器SRAM、低功耗大容量SRAM
RAM N.S. Technologies;;RAM N.S Technologies (RAM-TECH) - One of the top Israeli Distributors
;巩义市同信电源科技有限公司;;巩义同信电源科技有限公司坐落在中原名城郑州、洛阳之间，交通便利，是国内较早从事生产和开发阀控密封铅酸蓄电池的厂家之一。 公司专业生产6V系列、12V系列额定容量