芯片中晶体管的数量因其用途和制造时间而异。例如，20世纪70年代制造的芯片将由数千个晶体管供电。今天的芯片更有可能由数十亿美元提供动力，其中一些最尖端的芯片包含超过600亿个晶体管。在苹果基于ARM的芯片上双芯片M1 Ultra系统中，消费者微处理器中晶体管数量最高的是1140亿个晶体管。截至2022年，闪存中晶体管数量最高的是美光公司的2 TB（3D堆叠）16管芯232层V-NAND闪存芯片，拥有5.3万亿浮栅MOSFET（每个晶体管3位）。晶体管数量是电子设备中通常在单个衬底或“芯片”上的晶体管数量。它是衡量集成电路复杂性的最常见的方法。然而，晶体管数量并不能代表相应的制造技术有多先进，而是以晶体管密度（芯片的晶体管数量与其面积的比率）来更好地表征。一个计算机芯片可以包含数亿甚至数十亿个晶体管。每个晶体管可以单独打开或关闭，由于每个晶体管可以处于两种不同的状态，因此它可以存储两个不同的数字：零和一。有了更多的晶体管，处理器每秒可以执行更多的计算。
延伸阅读
- 伟创力电源事业部
- 外部振荡器
- 华为全球交通解决方案部
- 外部时钟源
- 研发部门的名称
- 展锐芯片包含什么部分
- 俄防长称开始部署萨尔马特洲际导弹
- it属于什么部门
- IT部门属于职能部门吗
- IT部门以后会消失吗
- 供应链管理部门
- 康佳重庆半导体事业部
- 东部半导体
资讯
AMD Zen4 IO内核首次揭秘，902亿晶体管(2023-03-07)
倍。
CCD、IOD都算上，Zen4锐龙处理器最多集成165亿个晶体管，霄龙则达到了恐怖的902亿个!
Intel Sapphire Rapids第四代至强没公布有多少晶体管......
芯片工程师，是时候了解GAA晶体管了(2023-04-14)
被绝缘体包围，绝缘体不太好。设备自热会有所不同，但我们还没有足够的信息来了解它的影响有多大。我们最终将从铸造厂获得这些数字。局部热源会导致热尖峰，这会影响对温度呈指数级敏感的电迁移。如果局部有几个晶体管......
为什么晶振不集成到芯片内部去？(2024-06-19)
也是不可能的了，而放在外面， 就可以自由的更换晶振来给芯片提供不同的频率。有人说，芯片内部有 PLL，管它晶振频率是多少，用 PLL 倍频/分频不就可以了，那么这有回到成本的问题上来了，100M 的晶振集成到芯片......
晶振为什么没有封装进STM32芯片内部？(2024-08-27)
也是不可能的了，而放在外面，就可以自由的更换晶振来给芯片提供不同的频率。
有人说，芯片内部有 PLL，管它晶振频率是多少，用 PLL 倍频/分频不就可以了，那么这有回到成本的问题上来了，100M 的晶振集成到芯片......
晶振没有内置到芯片中的原因 stm32f10x系统时钟工作原理(2024-05-31)
提供不同的频率。
有人说，芯片内部有 PLL，管它晶振频率是多少，用 PLL 倍频/分频不就可以了，那么这有回到成本的问题上来了，100M 的晶振集成到芯片里, 但我......
五个延续摩尔定律的方法(2023-03-28)
应该要更重视架构的革新，但如果要回到晶体管密度这种单纯定义上，那么要维持单一芯片两年密度倍增的的轨迹，其实难度不大(对台积电而言)。
而黄汉森更进一步的表示，未来台积电的制程密度将有可能达到0.1nm......
半导体大厂万亿晶体管技术路线曝光，1nm芯片2030年完成？(2023-12-29)
集成超过1000亿个晶体管，单个封装内则能做到超过5000亿个。后续便是2027年的1.4nm级A14以及2030年完成的1nm级A10制造工艺。
据悉1nm A10工艺节点将在单颗芯片内......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
的绝缘材料一般是FR4，而DBC常用的陶瓷绝缘材料是氧化铝（Al2O3）和氮化铝（AlN）。本文分析的IGBT模块，内部有6个DBC，每个DBC有4个IGBT芯片和2个Diode芯片。其中2个IGBT芯片和1个Diode......
中国正在研发一款芯片，其尺寸相当于整个硅晶圆，以规避美国对超级计算机和人工智能的(2024-01-17)
和光刻技术的限制，该团队提出了一种新的芯片形式，被命名为“Big Chip”。
Big Chip指的是一个大于最先进的光刻机的面积限制的芯片。
它具有两个主要特点。首先，Big Chip非常大。由于其尺寸，它可以拥有比使用现有技术制造的常规单一芯片更多的微小电子部件或晶体管......
传智驿芯：多核异构时代，NoC技术大有可为(2023-11-20)
把延时做得更低？’这些都是我们现在讨论的方向。”
时昕博士认为，除了子系统IP之外，市场上还会出现两方面的技术主流：第一，芯片内部的晶体管数量会进一步上升，通过子系统IP方式去应对更复杂的设计挑战；第二......
外部晶体振荡器被旁路的原理和原因(2024-06-26)
振荡器不能根据需要停止，而外部晶振可以适时停止，从而进入休眠状态，降低功耗。
晶振被旁路原理
”晶振/时钟被旁路“ 是指将芯片内部的用于外部晶体起振和功率驱动等的部分电路和XTAL_OUT引脚断开，这时......
语音合成芯片VP-1410连512K及EPROM电路(2024-09-14)
适合配接静态存储器SRAM或只读存储器ROM或EPROM。寻址能力为1024kbps。③采样速率为9．6～128kbps范围内可调。④内部有时钟振荡电路，外接RC即可工作。另外，片内有12MHz的存储器搜索时钟。⑤语音......
当不断逼近摩尔定律的极限，芯片互连也有大麻烦(2023-01-05)
堆叠芯片时，背面电源可能会导致热量积聚。
但好消息是：Imec 的研究人员在研究埋入式电源轨和晶体管之间需要多少水平距离时，答案几乎是零。即使需要额外的处理周期来确保晶体管不受影响，但研究人员称，可以在晶体管......
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面(2023-01-11)
响是阈值电压降低，器件很容易发生载流子速度饱和效应。当然，在22nm及以上节点，平面晶体管仍是主流技术。
FinFET对解决漏电流问题有很大帮助，因为与平面晶体管相比，栅极三面接触的鳍片可以更好地控制鳍片内部......
英特尔未来代工技术一瞥：3D封装、更小的逻辑单元、背面电源等(2024-02-22)
技术的详细内容。这些技术包括更密集的逻辑、3D堆叠芯片内连接性增加16倍、背面电源、RibbonFET晶体管架构以及第二代EMIB技术等，它们共同构成了英特尔未来数据中心处理器的核心竞争力，并有望为整个行业带来重大的变革和进步。 ......
1nm芯片采用比2nm芯片更先进的工艺，将会用到铋电极的物质(2023-01-28)
大约两年的时间，芯片内部的晶体管数量就会增加一倍，相当于性能翻倍增长。之前的28nm、14nm以及7nm芯片，都验证了摩尔定律，可以说这个规律是计算机和芯片领域的核心指导思想，时至......
网传华为开发出“芯片堆叠技术”，华为回应系谣言(2023-03-15)
这个消息也是引起了网友的热议，不过华为方面也很无语的回应称，该消息为谣言。
芯片堆叠技术本身出发点是克服传统单一芯片存在的局限性，从而实现更高性能、更高集成度、更低功耗、更小......
单片机C语言教程第二课-初步认识51芯片(2023-05-24)
单片机C语言教程第二课-初步认识51芯片;上一课我们的第一个项目完成了，可能有懂C语言的朋友会说，"这和PC机上的C语言没有多大的区别呀"。的确没有太大的区别，C语言只是一种程序语言的统称，针对......
应用材料公司以技术助力极紫外光和三维环绕栅极晶体管实现二维微缩(2022-04-22)
制造技术的产品组合。
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环绕栅极（GAA）晶体管将成为自2010年FinFETs问世以来芯片行业最大的设计转变之一
材料工程的创新为GAA晶体管提供了功率和性能的提升
要在未来若干年内提升晶体管......
51单片机引脚简介(2024-01-15)
简介
1. 电源引脚：Vcc （40脚）：电源端，接+5V电源。
Vss(Gnd) （20脚）：接地端，接+5V电源地端
2. 外接晶体引脚：XTAL1和XTAL2
89C51内部有......
英特尔公布全新节点命名方式，加速部署全新制程与先进封装(2021-07-28)
Xeon 数据中心产品。 也是业界首款具备 4 个方块芯片的设备，提供等于单一芯片设计的效能。 Sapphire Rapids 之后，下一代 EMIB 将从 55 微米凸点间距降至 45 微米......
意法半导体发布高集成度超声波发射器，提高手持式扫描仪的影像质量，缩小外形尺寸(2022-10-25 14:45)
声波发射器采用意法半导体经过市场检验的 BCD8s-SOI制造技术，该技术支持在同一芯片上集成模拟（双极晶体管）、数字 (CMOS) 和电源 (DMOS) 电路。新产品现已投产，采用 10mm x 10mm......
ST发布高集成度超声波发射器，提高手持式扫描仪的影像质量(2022-11-08)
-SOI制造技术，该技术支持在同一芯片上集成模拟（双极晶体管）、数字 (CMOS) 和电源 (DMOS) 电路。新产品现已投产，采用 10mm x 10mm x 1.4mm的196焊球 FC-BGA196......
英特尔拿到首台2nm光刻机 重回领先地位？(2023-12-28)
还开发了MBCFET晶体管专利技术，为其2nm工艺竞争力再添筹码。
有消息称三星已拿到了高通的订单，高通下一代高端手机芯片采用三星SF2（2nm）制程生产；同时，三星针对将推出的2nm原型开出折扣价，以吸......
Intel Tick-Tock(2023-03-28)
上更新微处理器架构，提升性能。一般Tick-Tock周期为两年，Tick和Tock各占一年。
制程工艺决定了芯片内部可以使用的晶体管的数目，晶体管数目越多，则芯片能完成的任务也就越多。
处理器微架构决定了怎么合理的利用这些晶体管......
大联大诠鼎集团推出Toshiba半导体应用于云端存储装置的完整解决方案(2013-08-01)
将TransferJet™ 功能，即无线、数据信号处理、主机接口和存储接口的功能集成在单一芯片上。TransferJet™ compliant IC产品线包含无线IC的TC35420XLG、接收......
AI浪潮席卷 存储再进化(2024-03-04)
Cache存储。在封装的空间尺寸有限下，将小芯片（Chiplet）通过先进封装在单一芯片内形成更高密度的堆叠整合，成为提高芯片内部存储容量的重要选项。
先进封装技术发展针对芯片......
台积电罗镇球：没有永远的拳王 中国设计公司也会涌现自己的拳王(2023-12-05)
球介绍目前台积电重点研发的方向主要包含有两个。
第一是从当年的2D的平面式微缩推进到3D的整合。从2D到3D，晶体管的架构从原来平坦式的晶体管，变成已经现在立体式晶体管。除了在芯片上的晶体管开始变成3D......
技术前沿：“环抱”晶体管与“三明治”布线(2024-09-12)
了信号串扰，降低了功耗。测试显示，PowerVia能够将平台电压降低优化30%。
同时，这种新的供电方式还让芯片内部的空间得到了更高效的利用，使得芯片设计公司能够在不牺牲资源的前提下提高晶体管......
IBM 发布光学技术关键突破，生成式AI迎来“光速时代”(2024-12-13 09:00)
的 2 纳米芯片技术可在单一芯片上植入 500 多亿个晶体管。光电共封装技术旨在扩大加速器之间的互连密度，帮助芯片制造商在电子模组上添加连接芯片的光通路，从而超越现有电子通路的限制。IBM 的论......
车规芯片和消费电子芯片的区别(2024-06-21)
用了整整8年才获得第一张车企订单，英伟达当前主力芯片Xavier的研发耗资达 20 亿美元。
两者使用的工艺制程不同
芯片制作时，减小芯片内部电路间距离能将较少晶体管塞到较少芯片上，使其......
IC设计倚重IP、ASIC趋势成形(2024-06-25)
晶圆代工之典范，将在IC设计上发生，AI时代IC设计大者恒大趋势成形。本文引用地址： 撷发科技已获国际芯片大厂AI芯片外包订单，杨健盟认为，现在芯片晶体管动辄百亿个，考验IC设计业者研发量能。大量......
51单片机和52单片机有什么区别(2023-06-21)
，STC89C58，STC15W408，STC11F04E等等。
芯片内核（CPU）都是一样的，不同的地方是IO脚有多有少，中断有多有少，内存RAM，ROM大小不同之类的。
就好像我问你AMD CPU与速......
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？(2022-12-15)
。
2、超薄2D材料在单芯片内集成更多晶体管
使用厚度仅仅3个原子的2D通道材料，Intel展示了GAA堆栈纳米片，在双栅极结构上，在室温环境、低漏电率下，达成了非常理想的晶体管开关速度。第一......
目标不止2025！英特尔公布“赶超三星台积电”战略：3D堆叠晶体管(2021-12-13)
目标不止2025！英特尔公布“赶超三星台积电”战略：3D堆叠晶体管;新浪科技讯 北京时间12月13日早间消息，据报道，日前，美国电脑芯片巨头英特尔旗下的“组件研究集团”对外公布了多项新技术，据称可以在未来十年帮助英特尔芯片......
嵌入式存储器的前世今生(2017-06-19)
将为你阐述嵌入式存储器的前世今生。
何为嵌入式存储器
嵌入式存储器现在已经不是一个新的概念了。相对于片外存储器，嵌入式存储器是指集成在片内与系统中各个逻辑、混合信号等IP共同组成单一芯片......
音响该如何挑选 千元级别音响分享(2024-01-03)
音单元可以选用防弹布振膜或者纸质振膜，由于材质弹性较大，因此发出的声音更为浑厚而具有弹性。
4.敲箱体，用指节敲击箱体上下左右前后障板，箱体各面均发出沉，实而轻微的脆响，感觉板材质地坚硬厚实、内部有多......
大联大友尚推出基于ST产品的GaN电源转换器方案(2023-07-20)
件采用低成本的5mm×6mm的紧凑封装，更有利于小型化设计。芯片内部集成的GaN晶体管可应用于高开关频率，并有助于减小反激变换器的体积和重量，因此，使用这款产品设计先进的高能效开关电源（SMPS）可显......
大联大友尚集团推出基于ST产品的GaN电源转换器方案(2023-07-20)
出功率。ViperGaN50采用单开关拓扑，内置电流采样和保护电路。在封装方面，该器件采用低成本的5mm×6mm的紧凑封装，更有利于小型化设计。芯片内部集成的GaN晶体管可应用于高开关频率，并有......
AT89S51单片机的内部时钟电路设计(2023-03-28)
时钟方式
AT89S51内部有一个用于构成振荡器的高增益反相放大器，它的输入端为芯片引脚XTAL1，输出端为引脚XTAL2。这两个引脚跨接石英晶体和微调电容，构成一个稳定的自激振荡器，图2-13是......
苹果推出新一代自研M2 Pro和M2 Max芯片(2023-01-18)
内存带宽，性能相比M1 Pro提高最多20%。
M2 Pro 芯片内部集成了 400 亿只晶体管，提供 200GB/s 的统一内存带宽和高达 32GB 的高速低延迟统一内存。
M2 Max 拥有 670......
苹果推出新一代自研M2 Pro和M2 Max芯片(2023-01-18)
内存带宽，性能相比M1 Pro提高最多20%。
M2 Pro 芯片内部集成了 400 亿只晶体管，提供 200GB/s 的统一内存带宽和高达 32GB 的高速低延迟统一内存。M2 Max 拥有 670......
7nm物理极限！1nm晶体管又是什么鬼？(2016-10-11)
栅极宽度，以提高在单位面积上所集成的晶体管数量。
不过这种做法也会使电子移动的距离缩短，容易导致晶体管内部电子自发通过晶体管通道的硅底板进行的从负极流向正极的运动，也就是漏电。而且随着芯片中晶体管......
台积电3nm计划将公布，芯片内部导线将用钴取代铜制程？(2017-05-19)
台积电3nm计划将公布，芯片内部导线将用钴取代铜制程？;
来源：内容来自经济日报 ，谢谢。
台积电一年一度的技术论坛订下周四（25）日在新竹登场，在美......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-14 10:10)
的背面重新排布。想了解背面供电网络的价值，就需要从芯片制造开始。芯片内部的功率传输网络需要从蚀刻晶体管的第一层开始，这是芯片上最小和最复杂的层，也是最需要EUV和多重曝光等高精度工具的地方。简而言之，它是芯片......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-13)
的背面重新排布。
想了解背面供电网络的价值，就需要从芯片制造开始。
芯片内部的功率传输网络需要从蚀刻晶体管的第一层开始，这是芯片上最小和最复杂的层，也是最需要EUV和多重曝光等高精度工具的地方。简而......
PM155S数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:32)
PM155S数据手册和产品信息;PM155提供低输入电流、高压摆率特性，可以直接与LF155型放大器互换使用。这款运算放大器采用新型工艺，匹配的JFET晶体管和标准双极性晶体管可以在同一芯片......
Intel公开先进工艺细节，单挑TSMC和Globalfoundries(2017-03-31)
了厚望，也发布了22nm FDSOI工艺，叫板Globalfoundries。我们来看一下全球半导体巨头的“大动作”。
提议的晶体管密度度量方法
英特尔今年将开始制造10nm芯片，它提出了一种引领行业晶体管......
51单片机的功能和用法详细介绍(2023-07-11)
51单片机的功能和用法详细介绍;51单片机是一个芯片，内部有n个寄存器，外部长着n个脚，由于51单片机系列种类众多，具体有多少寄存器、长着几个脚要看具体型号。一般来说，在做产品的时候，以够......
全面向3D进发，NAND和DRAM创新技术迭出(2023-07-25)
行业市场规模约为1392亿美元，占半导体行业比重约为20%，仅次于逻辑芯片，成为第二大半导体品类。存储芯片产品以DRAM和NAND Flash为主，其中DRAM为最大单一品类，其2022年的......
相关企业
、ESD保护管、晶体管、MOSFET场效应管、等类别.年产销总量超80亿只。 多年来，一芯源以“勤为业之基、誉为商之魂；供优质产品、创品牌效益”作为公司的经营理念。一芯源由始至终把“满足客户需求”放在
;北京润光凯勤科技发展有限公司;;RUN-A1588芯片是润光凯勤公司采用自主核心技术开发的高性价比的针对嵌入式应用领域而设计的一款中文语音合成单芯片产品，将完整的语音合成系统集成到单一的处理器内部
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
平面线月生产能力25000片、5英寸生产线月生产能力30000片，主要生产小信号晶体管芯片、开关晶体管芯片、大功率晶体管芯片、开关二极管芯片、肖特基芯片、达林顿芯片、高频晶体管芯片和双极IC芯片；4英寸
;2N;2P;Z;X;PO等500多个品种晶体管系列有3DD;2N;2SC;2SD;2SB;TIP;MJE;DK;BT;BU等2000多个型单双向可控硅芯片音箱配对管芯片节能灯;镇流器用开关晶体管芯片
;斯裕自动化有限公司;;斯裕自动化主要从事自动化产品销售，大量库存现货供应，IGBT、芯片、晶体管、继电器等西门子产品
;深圳市敢豪科技有限公司（业务二部）;;深圳市敢豪科技有限公司 业务一部:主营LED芯片. 业务二部:IC,晶体管,MOS管....如:功放IC,升压IC,驱动恒流IC...
扬州彤欣电子有限公司是生产硅中、低频功率器件的专业厂家，以设计、开发、生产硅中、低频大功率器件芯片为主。现有晶体管芯片生产线二条，后道封装线二条,其中φ3英寸硅片生产线年生产能力达20万片。 公司主导产品有3DD、2SA、2SD
;丹东市华奥电子有限公司;;丹东华奥电子有限公司是专业从事汽车/摩托车电子电器配套用集成电路和晶体管开发、设计、生产、推广应用和服务的高科技企业。产品出口国际市场。公司长期现货供应以下产品 汽车
等行业中 LRC晶体管：SOT-23，插件小功率晶体管，TVS管！