单片机的外部晶振稳定，受温度，湿度等环境因素影响比内部振荡器小，精度比较高。而且当设计需要降低功耗时，比如说便携式仪表等，就需要外设晶振，因为内部振荡器不能根据需要停止，而外部晶振可以适时停止，从而进入休眠状态，降低功耗。

晶振被旁路原理

”晶振/时钟被旁路“ 是指将芯片内部的用于外部晶体起振和功率驱动等的部分电路和XTAL_OUT引脚断开，这时使用的外部时钟是有源时钟或者其他STM32提供的CCO输出等时钟信号，直接单线从XTAL_IN输入，这样即使外部有晶体也震荡不起来了
只有在使用外部时钟的时候是被旁路，注意不是晶体振荡器，也就是说当使用外部提供的时钟时(如使用有源振荡器)，必须设置这个控制位旁路上述内置振荡器；可以理解把内部时钟关闭，打开外部时钟。

HSE模式配置（旁路模式）

外部时钟源（HSE旁路）

在这个模式里，必须提供外部时钟。它的频率最高可达25MHz。用户可通过设置在时钟控制寄存器中的HSEBYP和HSEON位来选择这一模式。外部时钟信号（50%占空比的方波、正弦波或三角波）必须连到SOC_IN引脚，同时保证OSC_OUT引脚悬空

该模式下必须提供外部时钟。用户通过设置时钟控制寄存器中的HSEBYP和HSEON位来选择这一模式。外部时钟信号(50%占空比的方波、正弦波或三角波)必须连到SOC_IN引脚，此时OSC_OUT引脚对外呈高阻态。

所谓HSE旁路模式，是指无需上面提到的使用外部晶体时所需的芯片内部时钟驱动组件，直接从外界导入时钟信号。犹如芯片内部的驱动组件被旁路了。

不过，在使用该模式时，经常有人出现配置错误，即使用跟HSE晶体模式一样的配置。这点在STM8/STM32应用中都有人发生。 所幸的是使用这个旁路模式的情形不像使用外部晶体模式那么多，不然可能更多人在这里遇到麻烦

我们不妨以STM3F4系列芯片为例。

关于寄存器位上面已经提到了，旁路模式除了配置HSEON还得配置HSEBYP位。

对于标准库函数voidRCC_HSEConfig(uint32_t RCC_HSE)

或CUBE库函数__HAL_RCC_HSE_CONFIG(RCC_OscInitStruct->HSEState)里的相关参数可能是：RCC_HSE_ON、 RCC_HSE_Bypass或RCC_HSE_OFF的其中之一。