资讯
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
V2截止，通过P0口的外接上拉电阻，可使P0口输出高电平1。
2. P1
2.1 构成
1个输出锁存器
2个三态输入缓冲器
输出驱动电路
2.2 做输入端口
此时Q=0，非Q=1，场效应管......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
截止，通过P0口的外接上拉电阻，可使P0口输出高电平1。
2. P1
1个输出锁存器2个三态输入缓冲器输出驱动电路
2.1 输入功能
此时Q=0，非Q=1，场效应管导通，通过P1口的内部上拉电阻......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
平时关闭。 补充阅读：MOS管驱动电路设计细节。正转 场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。 正因为这个特点，在连接好上图电路后，控制臂1置高电平（U=VCC）、控制臂2置低......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
：
MOS管驱动电路设计细节
。
正转
场效应管是电压控制型元件，栅极......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用，不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻，与场效应管共同组成输出驱动电路。因此，P1口作为输出时，不需要再外接上拉电阻，而当P1口作为输入口使用时，仍然需要先向锁存器写“1......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
出，再通过电子开关、非门和场效应管从P2口输出。
4. P3
4.1 构成
1个输出锁存器、3个输入缓冲器、输出驱动电路。
输出驱动电路包括1个与非门、1个场效应管T、上拉电阻R......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中，主要考虑以下几点：
功能：电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道)，Q4~Q6为IRFR1205(N沟道)。该场效应管内藏续流二极管，为场效应管......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦，需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
防反接电路
由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小，是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合。
以TO-252封装的IRFR1205为例，其主要参数如下：
Vdss=55V
Id......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
防接反电路。
由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小。是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合。以TO-252封装的IRFR1205为例......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
防接反电路
由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小。是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合。以TO-252封装的IRFR1205为例，其主......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要： 在场效应管关断后让LED的负极电压升高，使得LED关闭。当场效应管导通时，LED的负极电压被拉低，使得LED发光。PWM调节方式使得驱动电......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
实现电压放大。
图6 基本共源放大电路
与晶体管放大电路的共射、共集、共基接法相对应，场效应管放大电路有共源、共漏、共栅接法，有电路输入电阻高、噪声系数低，抗辐......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
的大规模和超大规模集成电路中，已经广泛的采用场效应管。
6、在开关电源电路中，大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点
1.输入阻抗高，驱动功率小
由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
１、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们之间的电阻......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
1000次的累加。
散热风扇控制部分原理图
散热风扇控制电路实际上就是一个低侧Buck降压电路，单片机产生的PWM驱动场效应管，通过调节PWM的占空比，可以调节风扇两端的电压值，从而控制风扇的转速。风扇的转速由热敏电阻......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
内部总线。
①当D锁存器为1时，端为0，下方场效应管截止，输出为漏极开路，此时，必须外接上拉电阻才能有高电平输出；
②当D锁存器为0时，下方场效应管导通，P0口输出为低电平。
P0口工作原理——用作......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
内部总线。
①当D锁存器为1时， 端为0，下方场效应管截止，输出为漏极开路，此时，必须外接上拉电阻才能有高电平输出；
②当D锁存器为0时，下方场效应管导通，P0口输出为低电平。
P0口工作原理——用作......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
通过输入缓冲器BUF2进入内部总线。
①当D锁存器为1时， 端为0，下方场效应管截止，输出为漏极开路，此时，必须外接上拉电阻才能有高电平输出；
②当D锁存器为0时，下方场效应管导通，P0口输出为低电平。
P0......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
，下方场效应管截止，输出为漏极开路，此时，必须外接上拉电阻才能有高电平输出；②当D锁存器为0时，下方场效应管导通，P0口输出为低电平。
P0口工作原理——用作通用I/O口输入：两种读入方式：“读锁存器”和......
51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边，标号为P0.x 引脚的图标，也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位，即在P0 口有......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
及其他众多半导体产品需求的持续增长。
e络盟现供应的部分新款场效应管包括：
TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
包括：
•TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一器件非常适合具有挑战性的应用，如的、通信......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
包括：• TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一器件非常适合具有挑战性的应用，如数据中心的开关电源、通信......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
络盟现供应的部分新款场效应管包括：
TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一器件非常适合具有挑战性的应用，如数......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪声小、功耗......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
、28 A大电流脉冲激光二极管驱动电路板（EPC9144）。在飞行时间（ToF）系统，对侦测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应......
电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
器为三相桥式变换器，所述三相桥式变换器的交流端用以连接电网或驱动电机，所述三相桥式变换器的直流端并联有母线电容。所述SiC开关管为SiC功率场效应管。所述过流保护单元包括：串联在基准电压电源与地之间的第一电阻......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成采用衬底驱动......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
电工应学字母含义、符号，接线图(2024-10-12 00:23:50)
的电线。
通常可以参考电线载流量表来选择电线规格。
8、电子元器件功能作用-电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管......
Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。
新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。
八、场效应管......
MCS-51单片机最小系统的组成部分及电路图介绍(2023-07-19)
向P0口写“1”，此时锁存器的Q端为“0”，使输出级的两个场效应管V1、V2均截止，引脚处于悬浮状态，才可作高阻输入。
总结来说：为了能使P0口在输出时能驱动NMOS电路......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放，适合那些倾心于电子管音色，因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似，频率特性好，音色......
2019年全国大学生物联网设计竞赛成都收官，西北大学荣获TI创新奖(2019-8-27)
充电小车主要采用MSP432P401R LaunchPad作为核心控制器，其强大的性能确保了各种复杂工作的流畅完成，同时还能够保持极低的功耗。在无线发射部分则使用单片机计算输出最佳频率和占空比的方波信号，通过高速场效应管驱动......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路;一、MOS管驱动简述
因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。的驱动常根据电源IC和的参数选择合适的电路。在使用MOSFET设计开关电源时，大部......
基于STM32的智能加油系统设计方案(2023-09-05)
用于显示当前油价、加油金额和加油油量等。
电源添加了一个0.1uF的滤波电容。
电磁阀驱动电路：
当8050三极管基级为高电平时，三极管处于饱和状态，场效应管IRF9530作为电子开关，IRF9530加了驱动电......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108......
直流无刷直流电机结构及数学模型简析(2024-08-12)
该桥式电路和自举电路，驱动电路和自举电路如图5所示。IR2136电源电压为10-20V，电流峰值200mA，内置400ns的死区时间，以防止同一桥臂上下两个MOSFET同时导通，驱动电路采用6个N型场效应管，并配......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
流下，也称电力晶体管。GTR也是属于电流驱动型器件，导通后集电极和发射极之间的导通电阻非常小，载流密度非常大，可以做到很高的通路电流。但是在大功率应用场景下时需要消耗较高的驱动电流，此时......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
晶体管，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此，它还有两个兄弟，分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......
面对这么大一段话，我不......
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;结型场效应管 深圳市瑞圆光科技有限公司;;公司主要经营 LED驱动IC、LED灯、显示屏IC、舞台灯光驱动IC、升压型LED驱动IC、背光源驱动IC、点光源驱动IC、白光LED驱动IC、大功
快捷等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、快恢复二极管、整流桥；场效应模块；日立电解电容、美国CDE吸收高频无感电容、日本大功率制动电阻、进口快速熔断器；各进口品牌驱动电路、三菱IPM专用插座、光耦
BCD,韩国SEMIHOW,分销PI,ST部分产品：电源管理IC,功率场效应管,肖特基二极管,电压基准,LED白光驱动IC,数码产品ESD用TVS二极管,同步整流IC,LED电源模块
;金昌路电子;;场效应管\继电器\数码管\电阻\电解
、LED驱动IC（非隔离降压IC/隔离降压IC/LED恒压恒流驱动IC/调光驱动IC）、充电IC、电池保护IC、显示屏数码管驱动IC、MOSFET场效应管（高压/中低压）、二三极管 销售
;中山市焯昂电子经营部;;LED驱动配套 ，场效应管，桥堆，二三极管，光藕
;吴经理;;客我共赢：MOS场效应管、二、三极管、可控硅、电感、电容、电阻、IC等
;深圳开创达电子公司;;钽电容 ,场效应管,二、三极管,精密电阻,
;深圳诚桩电子;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管，肖特基二极管，SMD元件！
;结型场效应管 深圳市鸿尔达科技有限公司;;深圳市鸿尔达科技有限公司,公司生产及销售代理国内外各大品牌电子元器件，各大品牌如：ST，IR ，ON， FSC ，三星，飞利浦，VISHAY，MIC，三菱