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本身的发热所导致的温升,使得器件耐温能力的选择和热管理系统的设计尤显重要;其二,由于受应用环境和成本的影响,许多高温环境应用通常是没有液冷条件的,这样就更加考验器件本身的耐温能力及其高温工作寿命。因此,高温半导体技术对于第三代宽禁带半导体......
,由于受应用环境和成本的影响,许多高温环境应用通常是没有液冷条件的,这样就更加考验器件本身的耐温能力及其高温工作寿命。因此,高温半导体技术对于第三代宽禁带半导体技术的广泛应用至关重要。重庆平创半导体......
针对航空应用的新型SiC智能功率模块可满足自然冷却需求;作为高温半导体器件和功率模块的领导者,CISSOID 日前宣布推出了一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三......
CISSOID推出适用于航空应用的SiC智能功率模块,以满足其对自然冷却的需求;作为高温半导体器件和功率模块的领导者,CISSOID 日前宣布推出了一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat......
实现SiC器件与高速电机、电控系统的全方位优化、匹配,满足工业和新能源汽车应用的更高需求;2020年3月30日,各行业所需高温半导体解决方案商CISSOID日前宣布:公司......
界原有的、基于硅器件的门级驱动,可靠性等方面还相对较弱,这已成为了实现高水平应用的瓶颈。CISDOID的高温半导体芯片和封装技术,及其在石油、航空航天等高端应用领域所积累的高可靠系统设计经验,将极......
实现SiC器件与先进电机、电控系统的全方位优化、匹配,并促使逆变器更加“智能化”和“傻瓜化”; 比利时·蒙 - 圣吉贝尔和中国·南京 – 2024年9月23日 –为各行业提供所需高温半导体......
介绍硬件与通道配置等的初始化与校准。 H.E.A.T. EVM 中的所有单个高温半导体组件均采用高温陶瓷封装与确优裸片 (KGD) 封装,支持业界最小的封装集成。 ......
拉斯是一家高效光伏电池片核心工艺设备及解决方案提供商,主营业务为光伏电池片制造所需高性能热制程、镀膜及配套自动化设备的研发、生产与销售,并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务。 拉普拉斯半导体分立器件设备产品包括碳化硅基半导体器件用超高温氧化炉和碳化硅基半导体器件用超高温......
CISSOID、NAC和Advanced Conversion联手开发高功率密度碳化硅(SiC)逆变器;比利时蒙-圣吉贝尔/美国Bare – 2022年6月23日 – 高温半导体......
芯片设计制造以及应用的清华系公司,团队以极高温半导体系统研发作为切入,创造过该领域的高温记录。 乾晶半导体主要从事SiC的单晶生长和衬底加工的研发,其六英寸SiC抛光片已经通过客户验证,工艺......
度亘核芯推出用于车载激光雷达的940nm耐高温激光芯片与光纤耦合泵浦模块; 【导读】近日,度亘核芯光电技术(苏州)有限公司(简称:度亘核芯)成功开发用于车载激光雷达的940nm耐高温半导体......
用于车载激光雷达的940nm耐高温105°C芯片与光纤耦合泵浦模块;度亘核芯成功开发用于车载激光雷达的940nm耐高温半导体激光芯片和光纤耦合泵浦模块,并通过了严格的性能与可靠性测试,正式......
主要应用于新能源车的电驱电控系统,相较于传统硅基 功率半导体器件,碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面具备许多明显的优势,有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高 效化,它广......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展;当前,能源、信息、国防、轨道交通、电动汽车等领域的快速发展,对功率半导体器件性能提出了更高的要求,高耐压、低损耗、大功率器件成为未来发展的趋势。氧化镓作为新一代功率半导体......
基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计为先进电机应用铺平了道路;先进电机应用(如高转速、高频、高功率密度、高温等)需要相匹配的逆变器支持,但业界一直为其开发难度所困扰。全球领先的高温半导体......
基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计为先进电机应用铺平了道路;先进应用(如高转速、高频、高功率密度、高温等)需要相匹配的支持,但业界一直为其开发难度所困扰。全球领先的高温半导体......
)产品相比,金刚石半导体耐高电压等性能出色,电力损耗被认为可减少到硅制产品的五万分之一。金刚石功率半导体的耐热性和抗辐射性也很强,到2050年前后,有望成为人造卫星等所必需的构件。 是制作半导体器件......
成为人造卫星等所必需的构件。 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温,多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等,载流......
-key)芯片解决方案。 谱析光晶 谱析光晶宣布完成数千万元A轮融资,由北京亦庄创投领投,上海脉尊、杭州长江创投等跟投。 谱析光晶是一家第三代半导体碳化硅芯片和系统提供商,致力于碳化硅芯片和碳化硅高温半导体......
长江创投等跟投。 谱析光晶是一家第三代半导体碳化硅芯片和系统提供商,致力于碳化硅芯片和碳化硅高温半导体系统设计制造以及应用的公司,其产品应用涵盖电动汽车、能源勘探、光伏储能、航天军工等领域。 至信微电子 至信......
低碳芯片研发及产业化。 在节能降碳风潮的推动下,宽禁带半导体被认为是具有广阔发展前景的市场。即便当前碳化硅、氮化镓器件相较于硅器件的价格仍较高,但综合来看,应用宽禁带半导体器件......
HTGB 、H3TRB动态可靠性测试,提高面向新能源高频电力电子应用的SiC MOSFET器件可靠性。该设备不日将交付国内SiC功率半导体龙头企业投产使用。 Edison系列测试系统是忱芯科技自主研发的全自动化功率半导体器件......
适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET (ASFET)将SOA增加了166%,并将PCB占用空间减小80%;奈梅亨,2021年8月4日:基础半导体器件领域的专家Nexperia今日......
并提供相关服务,具有“器件+系统+整机”的产业结构,产品主要包括以轨道交通牵引变流系统为主的轨道交通电气装备、轨道工程机械、通信信号系统等。同时,公司还积极布局轨道交通以外的产业,在功率半导体器件、工业......
降低了漂移区电阻率,以获得更低的Ron和更高的功率性能。 3、高电子饱和漂移速率:在半导体器件工作过程中,多数是利用电子作为载流子实现电流的传输。高电子饱和漂移速率可以保证半导体器件......
的研究,包括但不限于CMOS器件、DRAM器件、Flash器件、GaN和SiC等宽禁带半导体器件、MEMS器件半导体激光器和光电探测器等。实验室致力于器件建模与失效机理研究、失效分析新技术、可靠......
章,其中首次尝试描述低温下的半导体材料[1]。他的两个基本结论是:1) 由于“在这样的极端温度下进行大规模实验没有切实的技术理由”,半导体器件在当时没有重要的低温应用;2) “半导体材料在低温下的特性与我们熟悉的较高温......
“国产芯片”瑞森半导体(REASUNOS)将亮相2023慕尼黑上海电子展; 起步于2007年,专注于功率半导体器件及功率IC的研发、设计、销售的瑞森半导体(REASUNOS),将于7月11日......
GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体已经成为高性能器件厂商的优先选择,功率器件也成为中国半导体市场的新亮点。市场调研机构Yole最新研究报告指出,全球功率半导体器件市场将从2020年的175亿美......
生产的制造基地。 资料显示,北京昕感科技是专业从事碳化硅功率半导体器件及模组的相关研发和销售的高新技术企业。江苏......
封装SiC模块来自高效电动汽车模块平台,采用HEEV封装创新设计,能最大限度的发挥SiC模块的出色性能,满足电动汽车市场不同需求。 碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件......
与IME达成研究合作,双方将共同开发高质量8英寸SiC及专业外延工艺;比利时高温半导体及功率模块领域的领先厂商CISSOID则与高性能电容器领域的龙头NAC Group和Advanced......
方面是加强散热,使环境温度和过载引起的热量全部散掉,产品可靠性一样可以提高。如何做到散热能力的提升,涉及的方方面面非常多,其中一个重要的方向是如何获得器件封装的热特性参数。 T3Ster作为一款先进的半导体器件......
管是SiC PIN二极管,非常适合在10 kV至20 kV范围内工作,因为电导率调制可有效降低漂移区域电阻。 碳化硅开关 在许多工业应用中,功率半导体器件的阻断电压要求约为1.2至3.3 kV......
电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。 碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件......
)、锗(Ge)为主,20世纪50年代,Ge在半导体中占主导地位,主要应用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器中,但是Ge半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差,到60年代后期逐渐被Si器件取代。用Si......
电网等领域。 针对火热的SiC产业,拉普拉斯现在已推出了相关设备。招股书显示,拉普拉斯半导体分立器件设备产品包括SiC基半导体器件用超高温氧化炉和SiC基半导体器件用超高温退火炉。其中,SiC基半导体器件用超高温......
浅谈车规级功率模块测试;近年来,新能源汽车(以混动汽车为起点)被资本,政府和消费者所接受后,功率半导体器件做为电能转换的内核,也成了资本市场上的宠儿。 特别地,特斯拉推出SiC功率器件后。从英......
价格上缺乏优势,第三代半导体的性价比优势,体现在哪些维度? “第三代半导体器件的性价比主要体现在综合开销上。” 阿里达摩院十大科技趋势项目组专家告诉《中国电子报》记者。 据该专家介绍,得益于第三代半导体电力电子器件......
Hf的栅氧化层用于高温半导体制造工艺,因为它们可以确保自身和硅的热稳定性。为了防止现有多晶硅电极材料与高k栅氧化层之间的相互作用,必须引入金属电极来代替多晶硅。这使得名为高k/金属......
功率模块IPM、IGBT及车用功率器件;功率半导体器件在现代电力控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是其中两个最为常见的器件类型。它们......
要放大波长1550nm光信号的电信网络中,掺铒光纤放大器是必不可少的光学器件;霍尼韦尔等企业曾用锶制作光子芯片;日本的昭和电工也曾经开发出基于钴元素的耐高温半导体材料,稀土相关金属在半导体......
厂商的优先选择,功率器件也成为中国半导体市场的新亮点。市场调研机构Yole最新研究报告指出,全球功率半导体器件市场将从2020年的175亿美元增长至2026年的262亿美元,而其中约70%来自......
厂商的优先选择,功率器件也成为中国半导体市场的新亮点。市场调研机构Yole最新研究报告指出,全球功率半导体器件市场将从2020年的175亿美元增长至2026年的262......
的迁移率相比于单层二硫化钼提升了37.9%,器件均一性也得到了大幅度提升;开态电流高达1.27毫安/微米,刷新了二维半导体器件的最高纪录。 封面图片来源:拍信网......
厂商的优先选择,功率器件也成为中国半导体市场的新亮点。市场调研机构Yole最新研究报告指出,全球功率半导体器件市场将从2020年的175亿美元增长至2026年的262亿美元,而其中约70......
主要应用于新能源车的电驱电控系统,相较于传统硅基 功率半导体器件,碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面具备许多明显的优势,有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高 效化,它广泛应用于新能源车的主驱逆变器、OBC......
大功率芯片散热电动汽车电机控制器结构优化;摘要:在当下的实际应用中,特别是电动汽车领域,由于该领域的快速发展导致功率半导体器件需要更高的性能要求。自功率半导体诞生以来,技术......
GaN的逆变器平台,以支持不断增长的电动汽车和高功率应用。我们在极高温半导体和封装方面的专业知识使我们能够应对不断增加的功率密度挑战。关于Silicon Mobility–www.silicon......

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;汕头半导体器件厂;;汕头半导体器件厂成立于1965年,系地方国营企业,国家定点的半导体专业生产厂家。
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;上海世灏半导体有限公司;;半导体放电管,TVS二极管,M1-M7等半导体器件专业制造商!