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)目前技术已经使电子迁移率达到2200 cm²/(V·s)。 4、良好的耐温特性:可以看到,GaN和Si的热导率基本差异不大,但是GaN可以比Si能拥有更高的结温。因此,同时良好的热导率加上更高的热耐受力共同提升了器件的......
,NovuSiC®EJBS™在20A时,VF为1.37V,漏电小于2μA,可承受288W的功率、最大26A的电流,为光伏、直流快充等领域带来可靠性要求更高、成本更优的解决方案;MCR®产品具有高温特性稳定、高抗......
产品选型  瑞森半导体超高压系列优势: 1、新型的横向变掺杂技术,专有的功率MOS结构,高温特性优良。 2、超高电压,超小内阻,散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小。  ......
采用新型的横向变掺杂技术,以专有的功率MOS结构,高温特性优良,同时极大提升了产品的雪崩能量和抗浪涌能力; 碳化硅基功率器件包括碳化硅SBD和碳化硅MOSFET,产品涵盖650V-1200V-1700V......
度,以保证产品正常运行的安全性,长期运行的可靠性。 由此可见,如果想把产品的可靠性做高,一方面使设备和零部件的耐高温特性提高,能承受较大的热应力,另一......
能直接影响到汽车的动力性、经济性和排放性能。在发动机控制系统中,钽电容和氧化铌电容均发挥着重要作用。钽电容的高稳定性和耐高温特性使得它在发动机控制系统中能够长时间稳定工作,确保系统的正常运行。而氧化铌电容的大容量和高频特性......
裕量非常充分,还配上了水冷散热。 新洁能产品介绍 NCEP15T14D为新洁能Super Trench系列产品,该系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Super Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性......
的栅氧保护是碳化硅MOSFET技术的主要发展趋势,体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高结温特性、高频特性要求,也对现有封装技术提出更高的要求,目前......
,SOI)’器件恰好堪当此任。SiC功率器件固有的耐高温性能与高温SOI集成电路是非常理想的搭配,可以充分发挥SiC功率器件的性能。我们非常荣幸与CISSOID公司开展深入合作,共同开发先进的高功率密度和高温......
不做通用型产品。” 蓉矽致力于开发世界一流水平的车规级SiC器件,同时提供配套应用解决方案,力争实现进口替代的目标。戴茂州表示,“可靠性是功率器件的关键,是历经时间恒久不变的品质。为了实现产品的高......
℃。随着诸如SiC等第三代宽禁带半导体器件的出现、已日趋成熟并且全面商业化普及,其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前的150℃迈向175℃,未来将进军200℃。借助于SiC的独特耐高温特性......
使芯片的可靠性得到大幅提升。测试结果表明,立芯光电封装的高功率808nm COS激光芯片,在QCW 86A下,输出功率高达81W,最大光电转换效率(PCE)达到57%,这体现出该产品具有优良的高温特性,高损......
境适应性方面,该泵浦模块具有良好的耐高温、耐低温特性。在-40℃到110℃的500次高低温循环测试中,工作电流 Iop变化率均值为-0.2%。模块在极端温度-60℃及105℃温度......
:闩锁免疫)、MIL-STD-883 D组机械测试以及ESD测试。 图8 1000小时以上高温测试 智能完井系统 使用寿命是电子元器件在高温下的重要参数,其中核心问题和障碍是在高温条件下电子元件的......
测试。   图8 1000小时以上高温测试 智能完井系统 使用寿命是电子元器件在高温下的重要参数,其中核心问题和障碍是在高温条件下电子元件的化学反应加速(材料老化)从而导致失效。瑞典......
涨知识!氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同,本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延,再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比,总结结构不同决定的部分特性......
可以通过重掺杂来降低它的电阻率,但是它的电阻率依然很高,厚度3KÅ的多晶硅的方块电阻高达36ohm/sq。虽然高电阻率的多晶硅栅对MOS器件的直流特性是没有影响的,但是它严重影响了MOS器件的高频特性,特别是随着MOS......
晶闸管 MCT的等效电路图 MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电......
靠性验证体系等。 针对大家特别关心的化硅MOS管栅氧化层的问题,为了解决高电场的隧穿效应带来的漏电,蓉矽半导体把电场集中的区域分为两个区域,上图左图紫色圈是栅氧化层的电场,红色圈是沟道位置的集中,这两个位置是对器件的......
户外高低温环境要求等,使得设备可靠性达不到用户要求。譬如在俄罗斯,靠近北极地区环境温度达到零下20度,不少元器件不能满足低温特性而无法使用;而在印度市场、非洲市场、中东......
高温环境下的高功率稳定可靠工作; 车规级可靠性:满足车规对感知元件的性能和安全要求,对产品的设计和工艺具有极高的要求; 严苛的环境适应性:由于车载环境的复杂性,产品需在苛刻的震动冲击、高低......
℃,未来将进军200℃。借助于SiC的独特高温特性和低开关损耗优势,这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局。这些目前典型的、未来还将出现的高温、高功率密度应用,包括......
-883 D组机械测试以及ESD测试。 图8 1000小时以上高温测试   智能完井系统 使用寿命是电子元器件在高温下的重要参数,其中核心问题和障碍是在高温条件下电子元件的化学反应加速(材料老化)从而......
车规具有高可靠性、高效率、高功率密度、快速开关能力、耐高温特性等特点,因此需要通过严格的质量认证和测试来确保其质量和可靠性。 据悉,目前,该实验室测试能力已涵盖AECQ101、AQG324等行业标准,并持......
试过程中,它可以轻松承受150°C的典型测试温度,同时保持良好的尺寸稳定性,提高测试准确性。这种耐高温特性未来有望使BiTS在不进行降解的情况下被重复利用。 此外,LNP KONDUIT 8TF36E......
车规功率半导体具有高可靠性、高效率、高功率密度、快速开关能力、耐高温特性等特点,因此需要通过严格的质量认证和测试来确保其质量和可靠性。 据悉,目前,该实验室测试能力已涵盖AECQ101、AQG324......
车规功率半导体具有高可靠性、高效率、高功率密度、快速开关能力、耐高温特性等特点,因此需要通过严格的质量认证和测试来确保其质量和可靠性。 据悉,目前,该实验室测试能力已涵盖AECQ101、AQG324等行......
久性和可操作性。 LNP KONDUIT 8TF36E改性料具有高流动性,有助于实现多引脚点的小型化和复杂设计。在测试过程中,它可以轻松承受150°C的典型测试温度,同时保持良好的尺寸稳定性,提高测试准确性。这种耐高温特性......
过了从出现发展到已日趋成熟并全面商业化普及的路径,其独特的耐高温性能正在推动结温加速从目前的150℃迈向175℃,未来将进军200℃。借助于SiC的独特高温特性和低开关损耗优势,这一......
越大,散热越慢。(字面意思理解也很简单,阻碍热量传递的能力) 瞬态热阻:因为电子器件的温升并不一定非常平滑。峰值温度往往比平均温度更加致命。所以峰值温度成为了限制器件工作特性的主要因素。 温度......
的高温高湿反偏 (H3TRB) 试验相同”。HAST 试验使用了超出正常使用条件的环境应力,加速系数较大,可能诱发正常条件下不会发生的失效。AEC Q101 规定HAST 试验的电压不超过 42 V......
价格上缺乏优势,第三代半导体的性价比优势,体现在哪些维度? “第三代半导体器件的性价比主要体现在综合开销上。” 阿里达摩院十大科技趋势项目组专家告诉《中国电子报》记者。 据该专家介绍,得益于第三代半导体电力电子器件的高频特性......
的元胞尺寸、更低的比导通阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是碳化硅MOSFET技术的主要发展趋势,体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高结温特性、高频特性要求,也对......
专注于碳化硅二极管和MOS的产品的研发、测试工作,不断突破技术难点,优化器件结构,提升工艺水平,取得了一系列突破性进展,现在看来,一切都是值得的。”  蓉矽CEO戴茂州表示,“我们希望从市场应用场景出发,开发符合客户应用需求的高......
升压电路(防反接)+控制电路(推挽式) 在DC-DC升压电路中,选用MOSFET作为开关器件,场效应管所需承受的最大电压约为20-30V左右,选型时MOS管的最大耐受电压应留有余量一般会选择40V以上......
。 假设一家晶圆厂需要至少1-2个技术“大拿”,国内基本上需要30-40位这样的高端人才,凑齐这么多符合条件的人具有挑战性。招聘网站公布的碳化硅研发总监岗位的要求:具备8年以......
散热方式的相关知识予以汇总。 电子元器件的高效散热问题,受到传热学以及流体力学的原理影响。电气器件的......
合现代绿色能源和环保的趋势。 碳化硅是一种多功能的半导体材料,拥有强大的高压、高功率、高温、高频等特性。这使得它在电动车、电动车充电桩、再生能源发电设备等应用中具有巨大的应用潜力,并有......
和热导率高的优点,各项性能均优于硅和氮化镓(GaN),因而更适合于制作高温、高频及大功率器件,可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。 基于上述优势特性,SiC功率器件被广泛应用于新能源、充电......
明我们的理想功率开关性能会随着标称电压的升高而变差。 考虑到硅材料的特性,高于200V的标称电压会因沟道过长而颇具挑战性(使器件在电气性能上和经济效益上都失去优势)。在这种情况下,IGBT等双极性器件的......
适合的MOSFET可降低开关损耗,提高电源效率。选型时考虑功率、电压、电流承受、开关速度、热特性和封装类型。微碧半导体的MOSFET产品具有卓越性能和可靠性,为汽车LED驱动提供解决方案。 MOS管在......
用环境下因为热噪声抑制措施不到位而无法测出人体体温、不同肤色人种因热折射率不同而导致的测不准问题等。” 例如,俄罗斯靠近北极地区环境温度达到零下20度,额温枪因不少元器件不能满足低温特性而无法使用;而在印度市场、非洲市场、中东市场,因为......
. 后级LLC转换部分,各主要功率器件的分布如下,结构非常紧凑: 12--高压MOS STW70N65DM6 13--谐振电感 14--谐振电容 15--主变压器 16--次级同步整流低压MOS 17......
工作频率。 4、碳化硅MOS管的应用 碳化硅MOSFET组件在光伏、风电、电动汽车、轨道交通等中、大功率电力系统应用中具有巨大优势。碳化硅器件的高电压、高频率、高效率的优势,可以突破现有电动汽车电机设计中器件......
池造成损伤。“锂枝晶”的生长会刺穿电池隔膜,造成电池内部短路,不仅对电池造成损伤,还会诱发电池热失控,导致其使用安全性大大降低。电动汽车电池系统低温充电安全问题极大的制约了电动汽车在寒冷地区的推广。 电动汽车动力电池组低温特性......
控制器:采用碳化硅功率器件的电机控制器能够实现更高的开关频率和更低的开关损耗,从而提高电机的控制精度和响应速度。此外,碳化硅功率器件的高热导率有助于降低散热系统的复杂性和成本。 车载充电器:碳化硅功率器件......
车厂逐步加大SiC车规级使用 据悉,碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一,基于碳化硅的解决方案可使系统效率更高、重量更轻,且结构更紧凑。随着SiC分立器件或模块在汽车逆变器、车载......
变器提出了更为严苛的要求,需要相关半导体器件具有较大的击穿场强、耐高温、耐高压并能够工作在更高的开关频率下。传统硅基器件由于材料固有特性限制了其在高温、高压、高效率场景的应用。SiC基功率器件是其完美替代者,其中SiC......
微已经研发成功及量产的产品:高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和SGT MOS,同时正在开展第三代半导体(SiC、GaN)功率器件的研发工作。2019年12月,华瑞......
一以及方案二均利用热敏电阻实现输入冲击电流抑制,在大电流下热敏电阻会存在一定的损耗,高温下失效且二次启机时需要热敏电阻冷却后才能恢复输入冲击电流抑制作用;而方案三利用MOS管可变电阻区实现输入冲击电流抑制,但适......

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、高反偏特性(可大于1800V); 3、优秀且稳定的硬击穿特性; 4、采用先进的真空焊接工艺,保证低接触电阻及优良的导电性能; 5、专有钝化技术提供卓越的PN结保护,确保器件的高可靠性。 选择
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