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过250万元功能性能要求:带传感器或无传感器的磁场定向控制(FOC)算法,具有Η桥MOSFET 驱动,LIN驱动器、Flash存储等适合于控制直流无刷、步进和直流电机的智能执行器芯片。支持差分电流、过流......
BLDC 电机预驱动器芯片解决方案---MLX81340和 MLX81344,兼具小尺寸、高性能以及高功率等优势。MLX81340(32KB 闪存)和 MLX81344(64KB 闪存)内置三个通道的高侧和低侧驱动器......
BLDC 电机预驱动器芯片解决方案---MLX81340和 MLX81344,兼具小尺寸、高性能以及高功率等优势。MLX81340(32KB 闪存)和 MLX81344(64KB 闪存)内置三个通道的高侧和低侧驱动器......
关两侧运行的四个 N 沟道 MOSFET 晶体管。它由控制器逻辑电路、电平转换器、两个自举供电的高侧栅极驱动器、两个 VDD 供电的低侧栅极驱动器和过流保护电路(不使用电流检测电阻)组成。高侧......
使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动;摘要本文引用地址:在许多隔离式电源应用中,功率 MOSFET 通常采用某种形式的桥配置,用于优化电源开关和电源变压器,从而提高效率。这些桥配置创建了高侧......
驱动器中的电路,用于提供高侧MOSFET驱动电压。自举电路通过利用低侧MOSFET的开关动作,将电源电压转移到高侧MOSFET驱动电路上,从而实现对高侧MOSFET驱动。 自举电路的作用之一就是减小死区对电机驱动......
MAX5064A数据手册和产品信息;MAX5062/MAX5063/MAX5064是高频、125V半桥、n沟道MOSFET驱动器,在高压应用中驱动高侧和低侧的MOSFET。这些驱动器......
芯源系统的3相直流无刷电机驱动器; 【导读】MP6540 和 MP6540A  均为3相直流无刷电机驱动器,集成了3个半桥,由6个N-通道功率MOSFET驱动电路、栅极驱动......
电源控制器通常仅具有 PWM(脉宽调制)逻辑输出,并且分立栅极驱动器很少包含电流限制。此外,大多数受保护的 FET 仅在低频、低侧应用中工作。National Semiconductor的 LM3485 IC包含具有电流限制功能的高侧栅极驱动器......
和再生用快速反向恢复二极管组成,工作电压为600V,可支持的集电极电流最高可至30A。 通过下图可以看到,这些600V IGBT IPM具有三相DC/AC逆变器、低侧IGBT栅极驱动器(LVIC)、高侧......
关方法的优势随着输入电压的增加而增加,但较低输入电压的应用通常也能受益。从历史上看,驱动高侧 MOSFET 对于双开关拓扑来说一直是一个挑战,因为高侧 MOSFET 需要浮动栅极驱动器。新型单片 IC 稳压......
MAX15013数据手册和产品信息;MAX15012/MAX15013是高频、175V半桥、n沟道MOSFET驱动器,在高压应用中驱动高侧和低侧MOSFET。这些驱动器可以独立控制,输入......
侧部分,可以看到电机驱动器功率级(也被称为逆变器、相位或半桥)的一项功能是向电机输送电流。分解为几个最简单的部分,假设低侧 FET 关闭,电流从 VDRAIN 流经高侧 FET 并进入电机。或者,如果......
GaN 器件的驱动器电压比较(来源:RECOM) SiC 和 GaN 晶体管的栅极驱动器必须根据每个器件的具体特性进行定制。对于高侧栅极驱动器,栅极驱动器和其直流电源必须采取隔离措施。 第一代 SiC......
于推动高效节能及智能系统的应用。近日,希荻微推出的新产品HL9611,是一款高端的100V三相半桥栅极驱动器,旨在驱动半桥高边和低边N沟道功率MOSFET。 HL9611利用......
3月新品推荐:SoC、驱动器芯片、IGBT、碳化硅MOSFET;驱动器芯片 3月28日,英飞凌科技推出了新一代EiceDRIVER 2EDN栅极驱动器芯片系列。新器件是对现有2EDN驱动器芯片......
中的 IGBT 和功率 MOSFET。终结果是一种易于使用、紧凑且经济实惠的 IGBT 栅极驱动光耦合器解决方案。 集中供电栅极驱动光电耦合器用于提供高压增强电流绝缘并提供高输出电流以切换电机驱动器......
贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器高频应用的好选择;专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日......
、3mΩ  CoolGaNTM SG HEMT半桥电路的100V GaN电机驱动器顶层框图。为了实现双面冷却,这些芯片在封装顶部配有一个裸露管芯。半桥具有非常低的回路电感(400pH),这允......
电源 MOSFET,提供高效率的 DC-DC 降压转换功能。AP6435xQ 采用闸极驱动器/自举式设计,使装置可在低压差 (LDO) 模式下运作,允许接近 100% 的占空比。 负载电流接近零时,装置......
的总拥有成本 TDM22544D是一款功能强大的电源模块,其核心在于其包含了一个改进的高速MOSFET驱动器。这款驱动器经过精心设计,能够在高达2 MHz的频率下,有效驱动共同封装的高侧和低侧OptiMOS......
-EVB-HB-66508B-ON1评估板具有安森美半导体的一个NCP51820栅极驱动器、GaN Systems的两个采用高侧/低侧配置的GS66508B增强型硅基GaN功率开关,以及所有必需的驱动......
明此方法对于路径中的寄生电感不敏感(图1)。 【图1  带外部CGD的栅极驱动(在高侧和低侧FET上均有)以实现dV/dt控制】   在使用独立器件的真实应用中,这种寄生电感应该远小于20nH,因为外部CGD可能......
东芝面向汽车ECU推出MOSFET栅极驱动器开关IPD;东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出栅驱动器开关IPD[1]“TPD7107F”。该产......
. 背景介绍 DRV8705-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵(针对高侧)和线性稳压器(针对低侧)生成合适的栅极驱动......
应用的电源管理 IC IM2603 是一款主要用于 Type-C 外围应用的电源管理 IC。 它集成了一个带有内置高侧 MOSFET 的同步降压转换器和一个用于可选低侧外部 MOSFET 的栅极驱动器。 如果......
使用的峰值电流模式控制和内建回路补偿网络则更进一步减少组件的整体使用数量。 AP64060Q 采用专有的闸极驱动器,可减轻切换节点时产生的振铃,而不会影响 MOSFET 的开启和关闭时间。进而可减轻由 MOSFET 切换......
使用的峰值电流模式控制和内建回路补偿网络则更进一步减少组件的整体使用数量。 AP64060Q 采用专有的闸极驱动器,可减轻切换节点时产生的振铃,而不会影响 MOSFET 的开启和关闭时间。进而可减轻由 MOSFET 切换......
使用的峰值电流模式控制和内建回路补偿网络则更进一步减少组件的整体使用数量。 AP64060Q 采用专有的闸极驱动器,可减轻切换节点时产生的振铃,而不会影响 MOSFET 的开启和关闭时间。进而可减轻由 MOSFET 切换......
加了设计的灵活性,降低了硬件复杂性,缩短了评估时间。这些栅极驱动器适用于工业驱动、太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电桩和其他工业应用。 1ED34xx和1ED38xx系列适用于IGBT以及 SiC和Si MOSFET......
电机状态的反馈,并发送信号来调节电机的扭矩、位置和速度。栅极驱动器将来自 MCU 的信号放大,以驱动电机的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。   图 1:基本电机控制方框图 您可以使用 BJT......
使用的峰值电流模式控制和内建回路补偿网络则更进一步减少组件的整体使用数量。 AP64060Q 采用专有的闸极驱动器,可减轻切换节点时产生的振铃,而不会影响 MOSFET 的开启和关闭时间。进而......
使用的峰值电流模式控制和内建回路补偿网络则更进一步减少组件的整体使用数量。 AP64060Q 采用专有的闸极驱动器,可减轻切换节点时产生的振铃,而不会影响 MOSFET 的开启和关闭时间。进而......
使用的峰值电流模式控制和内建回路补偿网络则更进一步减少组件的整体使用数量。 AP64060Q 采用专有的闸极驱动器,可减轻切换节点时产生的振铃,而不会影响 MOSFET 的开启和关闭时间。进而......
使用的峰值电流模式控制和内建回路补偿网络则更进一步减少组件的整体使用数量。 AP64060Q 采用专有的闸极驱动器,可减轻切换节点时产生的振铃,而不会影响 MOSFET 的开启和关闭时间。进而......
从耳罩旁边进风口进入,经过双重滤网后,再通过无接触式面罩输送到用户口鼻处,可以有效确保用户能够呼吸到净化过的空气。 主要元器件预览: 恒玄双模高速SoC BES2300 恩智浦微控制器 LPC5528 德州仪器三相无感正弦电机驱动器芯片......
可以看出峰岹科技三相内置 MOSFET 无传感器磁场定向控制器FT8215Q是国产替代不错的选择,完全可以替代德州仪器无感正弦电机驱动器芯片DRV10975。 ......
场上其它 LED 驱动器不同,该 TPS92630-Q1 和 TPS92602-Q1 都具有高侧电流感应模拟调光与脉宽调制 (PWM) 调光功能,以及全面诊断与热管理功能,其可......
意法半导体发布隔离式栅极驱动器,可安全控制碳化硅MOSFET;STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品,可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET,工作......
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正确理解DRV8705-Q1的VGS检测机制;1. 背景介绍 DRV8705-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵(针对高侧......
意法半导体推出尺寸紧凑的750W家电和工业设备电机驱动参考板; STDRIVE101三相栅极驱动器芯片为电机带来高功率密度和很低的睡眠功耗 组装......
意法半导体推出尺寸紧凑的750W家电和工业设备电机驱动参考板;• STDRIVE101三相栅极驱动器芯片为电机带来高功率密度和很低的睡眠功耗• 组装......
意法半导体推出尺寸紧凑的750W家电和工业设备电机驱动参考板;• STDRIVE101三相栅极驱动器芯片为电机带来高功率密度和很低的睡眠功耗• 组装......
款先进的三相48V BLDC电机驱动器,集成了高侧和低侧主动短路逻辑,从而省去了外部晶体管和控制逻辑。这款全新的电机驱动器通过集成主动短路逻辑和动态故障响应,不仅帮助设计人员简化了设计,还可以提供高达30kW......
应用 硬建设计过程如下 反相器部分由L6398栅极驱动器,STL160N4F7和功率MOSFET组成。 L6398高压高低侧驱动器 L6398是采用BCD™“离线”技术制造的高压设备。 它是单芯片......
电机驱动器及控制器 Trinamic TMC4671-ES参数特性介绍;TMC4671是一种高度集成的多轴电机控制器芯片,可用于控制直流、步进和无刷电机。它支持高达6个电机轴的控制,并且......
为各种经验水平的电气设计工程师提供了实用的信息,介绍了可实现高性能的系统参数和产品选择。书中涵盖的主题包括针对应用选择合适的电机类型,以及驱动器和微控制器选项、电机电源元器件、电机隔离和电流检测等。 这本......
设计人员缩小高达70%的布板空间,并降低电机系统的总成本。这些器件集成了三个栅极驱动器和六个高侧和低侧MOSFET,每个均具有50mΩ的导通电阻 (RDS(on))。这使得TI先进的BLDC电机驱动器......
的性能和宽输入输出电压范围使 可提供多种 DC-DC 稳压器解决方案。100 kHz 至 1.2 MHz 的电阻可编程开关频率和具有自适应死区时间的集成大电流 MOSFET 栅极驱动器......

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MOSFET...).c:ROHMIC/集成电路系列(显示驱动芯片-LCD驱动器,EL驱动器,FL驱动器;马达驱动芯片).三):二极管系列(环保无铅产品)(ROHM/ON/ST/TBK...).a)DIP
MOSFET...).c:ROHMIC/集成电路系列(显示驱动芯片-LCD驱动器,EL驱动器,FL驱动器;马达驱动芯片).三):二极管系列(环保无铅产品)(ROHM/ON/ST/TBK...).a)DIP
Mosfet产品及高压Mosfet系列 平面肖特基二极管及先进的TRENCH系列肖特基二极管 PWM/PFM DC-DC稳压电源芯片系列 锂离子电池充放电保护芯片系列 CMOS图像传感器芯片 LED
,从事电子元器件零售和小批量采购,是一家品种齐全、现货销售、品质保障的一站式元器件采购. 主要优势现货产品线: 编程器、放大器、线性器件、运放IC,嵌入式外围芯片,存储器.模拟芯片,接口芯片驱动器芯片
(LED驱动) atteryManagement(电池管理) MOSFET(场效应管)CCFL Driver(冷阴极荧光灯管驱动) Audio Amplifier(音频功率放大器) Voltage
;深圳元器件厂家双宜科技陈文婉;;LED功能芯片,电源管理芯,LED驱动芯片,红外线管理芯片,节能灯驱动芯片,触摸芯片,适配器芯片,QX5243,QX5305,QX5241,QX9920
;深圳市乐欣科技有限公司;;代理分销:1)AKM:机顶盒、音响、DVD、数字电视等芯片;2)ETRON:DVD、DVB、LCDMONITOR、网卡用1*16、4*16、2*32存储器芯片SDRAM
型EL功率驱动器驱动面积达3平方米以上)。B.CCFL驱动器液晶显示驱动器(INVERTER)、电源变换器(CONVERTER):规格订制 ◇代理销售EL生产材料、驱动芯片、各种LED闪动芯片、语音芯片
电子)、SanRex(三社电机)等国际品牌的电力半导体器件,包括:IGBT模块、可控硅模块、二极管模块、整流桥模块、IGBT驱动器MOSFET,固态继电器、电解电容、无感吸收电容、高频大功率谐振电容等。把国
IC,LED恒流驱动电源,场效应管MOSFET,大功率LED,特殊应用的LED,COB大功率LED,UV LED,IR LED,LED外壳散热器,车充专用芯片,直流电源变换器芯片。 期待