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研发客服专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓 (GaN) 电源产品系列，与传统硅替代方案相比，拥有更高的效率与功率密度，以及更小的整体系统尺寸，并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。
TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器，经过特别设计，能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。LMG1210能实现超高性能与高效运行，并具有10 ns的超短传播延迟，优于传统硅半桥驱动器。此器件还具有1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制，可让设计人员优化系统内的死区时间，进而改善效率。
LMG1210拥有3.4 ns高侧/低侧延迟匹配、4 ns最小脉宽和内部LDO，可确保在任何电源电压下都能维持5V的栅极驱动电压。本驱动器还具备超过300 V/ns的业内超高共模瞬态抗扰度 (CMTT)，可实现较高的系统抗扰性。
TI LMG1210驱动器适用于高速DC/DC转换器、电机控制、D类音频放大器、E类无线充电、RF包络跟踪以及其他功率转换应用。
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