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将为大家重点介绍在设计高输出功率预调节器时使用散热片的效果。 有无散热片比较 图24和25显示了在没有和有顶面散热片的情况下MOSFET的温度变化。在较高电流下，没有散热片的低边MOSFET比带有顶面散热片的 MOSFET 更热。低边MOSFET在......
P通道功率MOSFET及其应用;Littelfuse 虽不及广泛使用的N通道MOSFET出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加，的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用......
MOSFET的正向导通等效电路 (1)等效电路 (2)说明......
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算;功率是便携式设备中大功率的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些是最难确定的元件。本文给出了计算功耗以及确定其工作温度的步骤，并通......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片; 【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠;当车辆电池因损坏而需要更换时，新电池极性接反的可能性很高。车辆中的许多电子控制单元 (ECU) 都连接到车辆电池，因而此类事件可能会导致大量 ECU 故障......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别;今天,Ameya360给大家介绍近年来中的高耐压的代表超级结。本文引用地址：功率晶体管的特征与定位 首先来看近年来的主要功率晶体管Si......
为电池反向保护两部分来讲。 MOS管 作为反向电池保护可能并不常见，最常见的方法是使用二极管。然而，二极管压降很高，这将在低压电路中产生问题。这就是许多使用 MOSFET 作为......
通过电机驱动器输出晶体管的寄生二极管进行电流再生时的功耗;本文将谈一谈使用有刷直流电机驱动器IC进行PWM驱动时，通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的功耗。之所以讨论这个话题，是因......
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻;～非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间～本文引用地址：  全球知名半导体制造商（总部......
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET;以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻 ～非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助......
谐振变换器 图2. LLC谐振变换器的典型波形 LLC谐振变换器的失效模式 ◆ 启动失效模式 图3. 启动时功率MOSFET的测得波形 图4. 启动时功率MOSFET的仿真波形 图3和图4给出......
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻; 【导读】全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发......
MOSFET恐将面临价格压力;PC、消费性市况在2022年第四季需求持续疲弱，且今年第一季客户端仍旧处于保守态度，使得MOSFET库存去化速度将比原先预期更加缓慢，供应链预期，最差......
SiC MOSFET 器件特性知多少？;对于高压开关电源应用，碳化硅或 与传统硅 和 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使......
库存去化缓慢，MOSFET上半年市况严峻; 【导读】2023年1月3日消息，PC、消费类电子市场在2022年第四季需求持续疲弱，且今年第一季度客户端市场策略仍趋于保守，使得MOSFET库存......
如何用万用表测试MOSFET;介绍： MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。 MOSFET 是一种四端子器件，具有......
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET;奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET......
对直流电机驱动控制电路的其他部分进行详细介绍。 H桥驱动电路设计 在直流电机控制中常用H桥电路作为驱动器的功率驱动电路。由于功率MOSFET是压控元件，具有输入阻抗大、开关速度快、无二次击穿现象等特点，满足高速开关动作需求，因此......
正确选择MOSFET以优化电源效率;优化电源设计以提高效率十分重要。提高效率不仅可以节省能源，减少热量产生，还可以缩小电源尺寸。本文将讨论如何平衡上管 (HS-FET) 和下管 (LS-FET......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品; 【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
得到了最广泛应用。今天我们就详细跟大家一起了解逻辑IC的基本操作。本文引用地址： 什么是呢？ 使用互补的p沟道和n沟道MOSFET组合的电路称为CMOS（互补MOS）。CMOS逻辑IC以各种方式组合MOSFET......
P沟道功率MOSFETs及其应用; ，虽不及广泛使用的N沟道出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道......
给SiC“挖坑”，国产有机会吗？;在Si IGBT和Si MOSFET时代，沟槽栅结构的设计比平面栅结构具有明显的性能优势。而到了SiC时代，这个祖传“挖坑”的手艺却开始有了风险。想要......
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点;新能源汽车动力域高压化、小型化、轻型化是大势所趋。更高的电池电压如800V系统......
两个开关正激变换器;该拓扑由输入电容器 CIN、两个 MOSFET 开关 Q1 和 Q1、电源变压器 T1、两个钳位二极管 D3 和 D4、两个整流二极管 D1 和 D2 以及由 LO 和 Co......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您;在高压开关电源应用中，相较传统的硅和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）有明显的优势。使用硅可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它......
英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容;【2023年8月3日，德国慕尼黑讯】小型分立式功率MOSFET在节......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识;高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著;商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机......
半导体本次拟发行股份不超过3750万股，发行股份数量占发行后总股本的比例不低于25%，拟募集资金金额11.80亿元用于8英寸功率半导体制造项目（一期）。 资料显示，龙腾半导体成立于2009年7月，主营业务为以功率MOSFET......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究;相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET 寄生......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二......
不容错过的罗姆MOSFET线上研讨会;MOSFET是具备比双极晶体管更快的开关速度和更低损耗的元器件，被广泛用于汽车电子、电源电路和电机驱动电路等领域。未来随着以ADAS为代......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环;摘要 在无线收发器等应用中，系统一般处于偏远地区，通常由电池供电。由于鲜少有人能够前往现场进行干预，此类应用必须持续运行。系统......
本土IDM厂商SiC MOSFET新进展，将应用于车载电驱;2024年已过半，可以发现800V平台电动汽车在近半年时间里降本效应明显，最低价的800V平台车型极狐阿尔法T5和小鹏G6都已......
智能化与电动化双轮驱动，汽车MOSFET大有可为;金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环;本文引用地址：在无线收发器等应用中，系统一般处于偏远地区，通常由电池供电。由于鲜少有人能够前往现场进行干预，此类......
采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机;“引言” 近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改......
谈谈SiC MOSFET的短路能力;在电力电子的很多应用，如电机驱动，有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。本文引用地址： 目前......
控制器通道可以驱动两个逻辑电平MOSFET以转换直流电压到CCFL驱动所需要的高压交流波形。在有些应用中，功率MOSFET需要更大的驱动能力和更高的栅源电压，用单个通道驱动多个灯管。该应......
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准;Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准 1200 V......
Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET; 【导读】36V 锂离子电池是当今工具和户外动力设备的常用电源。由 36V 电池......
简析MOSFET产业供应现状（附国内外供应商盘点）;多重因素为全球MOSFET供应添“变数” 东南亚疫情严峻，国际IDM大厂安森美于7月9日通知客户，受马拉西亚无期限“封国”影响，其Seremban......
半导体厂商众多，英飞凌、安森美、意法半导体、恩智浦、瑞萨等功率半导体IDM厂商均有在当地设厂，主要生产MOSFET(场效应晶体管）等功率半导体产品。 资料显示，功率......
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应;在关断状态下，功率的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。体二极管的击穿或表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量流动。典型......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展;1、碳化硅场效应管SiC-MOSFET 在碳化硅电力电子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天，SiC......
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解;MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法;相比基于硅(Si)的，基于碳化硅(SiC)的器件可实现更高的效率水平，但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文......
ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET;有助于照明电源、电泵、电机等应用的小型化和薄型化！ ROHM开发出采用SOT-223-3小型......

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