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电路 三级管驱动电路是最基本的MOS管驱动电路，下面以N—MOS三极管驱动电路为例。如图，当控制核心输出高电平时，三极管Q1导通，N-MOS管Q2控制极（G）被拉低，MOS管截止；当控......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路;一、MOS管驱动简述 因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。的驱动常根据电源IC和的参数选择合适的电路。在使用MOSFET设计开关电源时，大部......
东芝推出高压双通道螺线管驱动器IC;东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出双通道螺线管驱动器IC“TB67S112PG”，其可实现高压低导通电阻驱动。该产......
器电源等多种应用场景。本文引用地址： 其中，NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管；NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品，内部集成了高压半桥驱动器......
区时间后，上管驱动输出变为高电平。 NSG65N15K产品特性 为进一步发挥GaN高频、高速的特性优势，纳芯微同时推出了集成化的Power Stage产品NSG65N15K，内部集成了半桥驱动器......
产品，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。 NSD2621产品特性：01. SW引脚耐压±700V02. 峰值驱动电流2A/-4A03. 驱动输出集成内部稳压器，驱动......
影响器件的性能。例如驱动器会在单独的芯片上带有驱动器的分立晶体管，受到驱动器输出级和晶体管输入之间以及半桥开关节点之间的寄生电感的影响，同时 HEMT 具有非常高的开关速度，如果寄生电感未被抑制，将会......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 3.MOS管驱动 跟双......
MOS管驱动电流估算;例：FDH45N50F如下参数：本文引用地址： 有人可能会这样计算： 开通电流 带入数据得 关断电流 带入数据得 于是乎得出这样的结论，驱动......
直流电机：运行阶段、故障检测和保护以及直流电机驱动器应用;本文将对直流 (DC) 电机进行综合性描述，并着重阐述在三个运行阶段的电气参数、异常运行情况以及的常见应用，如监控摄像机、智能门锁和螺线管驱动器......
管；NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关......
MOS管驱动电路设计;因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个，其的就很关键。下面分享几种常用的。本文引用地址：电源IC直接 电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该......
平时关闭。     补充阅读：MOS管驱动电路设计细节。正转     场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。      正因为这个特点，在连接好上图电路后，控制臂1置高电平（U=VCC）、控制臂2置低......
，对应的是电流注入到驱动端。MOS管靠近地端，电流从外部注入到MOS管驱动端中，这种类型被称为低边驱动，通过控制MOS管的开闭来决定负载是否工作。 现在的汽车电子系统已开创了功率器件的新时代。这些......
的可编程是指可以通过SPI接口去调节它的驱动电流和时间。一个是集成式的接触器驱动器（Contactor Driver）DRV3946-Q1，一个是可实现智能热熔丝的状态系统的爆管驱动器（Pyrofuse......
或数据中心的服务器电源、工业变频伺服应用以及一些工业电源模块或储能装置，这些常见的高压电源场景除了要避免高压对人体的危害，还要满足相应的安规要求。 另外，对于一些不共地的系统，如半桥拓扑的上管驱动也需要隔离；此外，虽然......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515;纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515 纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流......
用晶体管驱动的电子管放大器;电子管作为音频功率输出故具有极佳的音乐表现力，而晶体管则在增益故发挥自己的独特作用，本文给出了一个晶体管驱动器及适合于推挽工作的分相器电路方案。  　  虽然......
侧控制及环路补偿电路，有助于大幅降低电路物料清单成本。AP1684以外部双极型晶体管驱动，只需少量外部元件，加上采用了SO8封装，让灯具设计师能够减小印刷电路板面积，以及提升功率密度及整体产品的可靠性。 这个驱动器......
代码：IFNNY）专为汽车应用开发了高度集成的IRS9103A垂直腔表面发射激光器（VCSEL）驱动器集成电路（IC）。结合英飞凌的REAL3™图像传感器，这款车规级激光二极管驱动器IC可实......
轻重载效率。以典型12Vin-0.8Vout应用为例，考虑Mos管驱动损耗，峰值效率可达到90.7%，重载60A下效率接近88%。外部配置之多相电源控制器，能满足各类严格的动态响应要求,在12Vin......
波雷达传感器芯片采用了卫星雷达架构设计，通过提升高级驾驶辅助系统 (ADAS) 中的传感器融合和决策能力，可以实现更高水平的自主性。的新款驱动器芯片 DRV3946-Q1 集成式接触器驱动器和 DRV3901-Q1 集成式热熔丝爆管驱动器......
加一个比较大的散热片，干簧管和探针成本高(人工及本身成本)，如果需要其他功能则需要再加对应IO型或者触摸型单片机。 实孔雾化器新方案 12V-2.4M香薰机方案控制及相关检测部分说明： (1)、MOS管驱动采用图腾柱电路驱动......
纳芯微车用小电机驱动SoC——NSUC1610; 【导读】纳芯微推出集成LIN总线物理层和小功率MOS管阵列的单芯片车用小电机驱动系统级芯片（SoC）—— NSUC1610。作为......
、+5V、+12V、-12V、+3.3V等稳定可靠的直流电源，供给主机箱内的系统板、各种适配器和扩展卡、 硬盘驱动器 、光盘驱动器等系统部件及键盘和鼠标使用，具有体积小，效率高等优点，同时兼有过流（OCP......
值电压为4V。但是只是使用4V电压进行驱动MOS管时，MOS管Rds比较大，MOS管不能流过过大电流，如下图所示： 从图中可以看出，随着栅源电压的增大MOS管的通流能力也就随着增大。所以在驱动器......
传感器融合和决策能力，可以实现更高水平的自主性。的新款驱动器芯片 DRV3946-Q1 集成式接触器驱动器和 DRV3901-Q1 集成式热熔丝爆管驱动器可支持软件编程，能够......
传感器融合和决策能力，可以实现更高水平的自主性。德州仪器的新款驱动器芯片 DRV3946-Q1 集成式接触器驱动器和 DRV3901-Q1 集成式热熔丝爆管驱动器可支持软件编程，能够......
选用尺寸较小的晶体管，以最大限度地减少寄生电容。 本文提出的可重新配置的功率开关和驱动电路是采用 90 nm BCD 工艺设计，如图 4(a)所示。该电路由四个驱动器和四个功率 MOS 模块组成，可以......
芯片 DRV3946-Q1 集成式接触器驱动器和 DRV3901-Q1 集成式热熔丝爆管驱动器可支持软件编程，能够提供内置诊断功能并支持功能安全性，适用于电池管理系统和动力总成系统。德州......
可承受高开关电压、严苛的工作温度和高转换速率的隔离型驱动电源。为了满足这些严格要求，RECOM新开发了两款隔离型1W DC／DC转换器系列来为最新的GaN驱动器供电。高转换速率的GaN晶体管驱动器......
实现更高水平的自主性。德州仪器的新款驱动器芯片 DRV3946-Q1 集成式接触器驱动器和 DRV3901-Q1 集成式热熔丝爆管驱动器可支持软件编程，能够提供内置诊断功能并支持功能安全性，适用......
个GPIO模块中，主要包括了寄存器和驱动器，寄存器就是一段特殊的寄存器， 内核可以通过APB2总线对寄存器进行读和写，驱动器是用来增加信号的驱动能力； 4，其中输出寄存器写1，对应的引脚就会输出高电平，写0......
前者，镓未来氮化镓过压能力突出，比如标定耐压650V器件，其Vds在800V下非可重复和750V下可重复的尖峰电压持续时间高达30us。针对后者，驱动器需要具备Interlock功能，即当DSP数字控制器或者模拟控制器给出的上下管驱动......
以MOS管逆变桥为例分析驱动器的干扰源特性;0. 引言 随着工控行业对能效与控制精度的追求，及在宽禁带半导体器件应用基础上，电机控制器（驱动器）的开关速度与控制频率越来越高，使得EMI问题......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515; 纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515; 纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515;单通道式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
）专为汽车应用开发了高度集成的IRS9103A垂直腔表面发射激光器（VCSEL）驱动器集成电路（IC）。结合英飞凌的REAL3™图像传感器，这款车规级激光二极管驱动器IC可实现尺寸更小、成本更低、性能......
= 60mΩ) 表 2. DC-DC 方案选型表 栅极驱动方案  方案 1 栅极驱动器 KP8563X 是一款 650V 耐压，拉电流/灌电流分别为 200mA/350mA 的三相半桥栅极驱动器，专用于驱动......
Fig.2 AK8950 Optical Waveform(*2) AK8950的开发利用了AKM三十多年来在激光二极管驱动器产品（如光通信网络、光盘、激光......
重复的尖峰电压持续时间高达30us。针对后者，驱动器需要具备Interlock功能，即当DSP数字控制器或者模拟控制器给出的上下管驱动电压同时为高时，驱动器通过自身逻辑控制，将上下管驱动......
基于IM828-XCC的高速电机驱动器设计;随着现代机床向高速、高精度方向发展，对机床主轴的技术要求越来越高。电主轴作为高速机床的重要组成部件之一，因其转速高、体积小和优异的动态性能等特性，可有......
有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大小一般选取几十欧姆。该电阻可以减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般......
，便能取得一个较好的效果。全桥MOS管驱动电路如图2所示。 通过示波器观察可以看到驱动电平已没有常见的下桥干扰毛刺（下臂的驱动电路同理）。在Q14栅极上的R21、R22、R24、D11构成电路对驱动......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路;无刷直流电机由电动机主体和驱动器组成，是一种典型的机电一体化产品。 无刷电机是指无电刷和换向器(或集电环)的电机，又称无换向器电机。早在......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器; 【导读】纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
可重复和750V下可重复的尖峰电压持续时间高达30us。针对后者，驱动器需要具备Interlock功能，即当DSP数字控制器或者模拟控制器给出的上下管驱动电压同时为高时，驱动器通过自身逻辑控制，将上下管驱动......
结构，可提高电源转换效率和功率密度。 它仅使用两个MOSFET作为同步整流器即可实现更高效率，无需借助由4个二极管组成的传统桥式整流器。尽管采用无桥设计，BARBI仍然可以通过模拟控制器进行控制，而无需使用复杂的晶体管驱动......
功率FREDFET，采用紧凑封装，上下管驱动器均自供电，无需外部辅助电源。其内部功率FREDFET配备超软、超快速二极管，特别适合硬开关逆变器应用。 独特的瞬态相线电流输出信号简化了无传感器控制方案，同时......

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