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GaN器件在许多应用中取代现有的IGBT和MOSFET，能够带来更优异的性能、更低的损耗以及更快的开关速度。不变的是仍然需要隔离型上桥臂驱动器，以及可承受高开关电压、严苛的工作温度和高转换速率的隔离型驱动电源。为了满足这些严格要求，RECOM新开发了两款隔离型1W DC／DC转换器系列来为最新的GaN驱动器供电。
高转换速率的GaN晶体管驱动器需要使用具有高隔离电压和低隔离电容的隔离型+6V电源。RP-xx06S和RxxP06S系列可以提供+6V的输出电压，足以有效地切换GaN HEMT且不会击穿栅极介质层。一般来说，安全的DC／DC隔离电压应该至少是工作电压的两倍，但是高功率晶体管产生的高环境温度和快速开关边沿会对绝缘壁垒造成额外的压力。因此，这些转换器的内部变压器设计是采用密封磁芯以物理分离输入和输出绕组，提供高达6.4kVDC的隔离功能以确保隔离壁垒能够承受最恶劣的工作环境。尽管隔离等级高，转换器仍可以采用行业标准SIP7封装，节省电路板的宝贵空间。这些转换器的输入电压为5V、12V、15V或24V，有低隔离电容（<10pF）。它们获得IEC／EN-60950-1认证并符合RoHS2和REACH标准。RECOM考虑到一些有较高噪声和瞬变的GaN应用，设计出+9V输出的转换器，通过齐纳二极管将电路分成+6V和-3V来提供负栅极电压。为了确保可靠性和使用寿命，RECOM在设计中仅使用知名品牌的高质量零件，因此可以提供三年的质量保证。RECOM授权的全球经销商都可提供样品。
高转换速率的GaN晶体管驱动器需要使用具有高隔离电压和低隔离电容的隔离型+6V电源。RP-xx06S和RxxP06S系列可以提供+6V的输出电压，足以有效地切换GaN HEMT且不会击穿栅极介质层。一般来说，安全的DC／DC隔离电压应该至少是工作电压的两倍，但是高功率晶体管产生的高环境温度和快速开关边沿会对绝缘壁垒造成额外的压力。因此，这些转换器的内部变压器设计是采用密封磁芯以物理分离输入和输出绕组，提供高达6.4kVDC的隔离功能以确保隔离壁垒能够承受最恶劣的工作环境。尽管隔离等级高，转换器仍可以采用行业标准SIP7封装，节省电路板的宝贵空间。这些转换器的输入电压为5V、12V、15V或24V，有低隔离电容（<10pF）。它们获得IEC／EN-60950-1认证并符合RoHS2和REACH标准。RECOM考虑到一些有较高噪声和瞬变的GaN应用，设计出+9V输出的转换器，通过齐纳二极管将电路分成+6V和-3V来提供负栅极电压。为了确保可靠性和使用寿命，RECOM在设计中仅使用知名品牌的高质量零件，因此可以提供三年的质量保证。RECOM授权的全球经销商都可提供样品。
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