资讯
介绍一款适用于汽车和工业场合的高效同步SEPIC控制器(2023-06-27)
SEPIC和降压应用的电路原理图。
图1示例的动力控制系统原理图是一个基于LT8711的同步SEPIC变换器，其中包含：
● 两个非耦合电感L1和L2
● N沟道调制MOSFET管MN1......
低成本三基色大功率LED驱动控制方案设计(2024-08-14)
调节电路包括3套完全相同的控制电路，每套电路都包含3个三极管和一个功率MOSFET管，根据图2中PWM1对应的一套电路来分析。三极管Q1接收到PWM1信号，当其为高电平时，Q1截止，射极连接到三极管Q2......
圣邦微电子 SGM2538 系列电子保险丝用料(2024-02-21)
方案。
所示方案中，BFET 引脚驱动外部 N-MOSFET（简称 N 管）实现反向电流阻断；此外，BFET 引脚......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
六个N沟道的MOSFET管(Q1～Q6)做功率输出元件，工作时输出电流可达数十安。为便于描述，该电路有以下默认约定：Q1/Q2/Q3称做驱动桥的“上臂”，Q4/Q5/Q6称做“下臂”。
图中R1......
为什么运放会产生交越失真？(2024-05-07)
道在表面，不像JFET在体内，故JFET型输入的运放在噪声方面性能更优异。上图（图3）ADA4530-1输入级只有一对MOSFET管，所以输入只能达到下轨，在单4.5V供电的情况下，输入电压范围0-3V......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器,适用于ASIL-D汽车安全关键应用(2023-08-10)
全关键设备拥有不间断的电源供给。
内置的控制器驱动第二个外部 N 沟道 MOSFET管，在主电源和备用电池切换期间保护负载。软启动功能以恒定电流对连接栅极的已知容值的电容充电，以此控制第二个 MOSFET管的......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-10)
自动驾驶和高级驾驶辅助系统(ADAS)等安全关键设备拥有不间断的电源供给。内置的热切换控制器驱动第二个外部 N 沟道 MOSFET管，在主电源和备用电池切换期间保护负载。软启......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-10)
自动驾驶和高级驾驶辅助系统(ADAS)等安全关键设备拥有不间断的电源供给。内置的热切换控制器驱动第二个外部 N 沟道 MOSFET管，在主电源和备用电池切换期间保护负载。软启......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL-D 汽车安全关键应用(2023-08-15)
的热切换控制器驱动第二个外部 N 沟道 MOSFET管，在主电源和备用电池切换期间保护负载。软启动功能以恒定电流对连接栅极的已知容值的电容充电，以此控制第二个 MOSFET管的导通瞬变事件，避免高浪涌电流发生。只要......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
驱动较常规的方法是采用 PWM 控制。
常见的电机驱动有两种方式：
采用集成电机驱动芯片;
采用MOSFET和专用栅极驱动芯片。
方案一
采用集成电机驱动芯片
通过......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。
JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。
MOSFET......
Littelfuse推出FDA117光隔离光伏驱动器(2023-11-28)
Littelfuse推出FDA117光隔离光伏驱动器;为隔离开关应用提供浮动电源
提供高电压与大电流，可驱动不同行业的标准MOSFET/IGBT
中国北京，2023年11月28日讯......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
，Q3Q5时，只要在合适的时机进行准确换向，就可实现无刷直流电机的连续运转。
2、三相全桥驱动电路
下图为无刷电机的三相全桥驱动电路，使用六个N沟道的MOSFET管（Q1～Q6）做功率输出元件，工作......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-15)
自动驾驶和高级驾驶辅助系统(ADAS)等安全关键设备拥有不间断的电源供给。内置的热切换控制器驱动第二个外部 N 沟道 MOSFET管，在主电源和备用电池切换期间保护负载。软启......
利用P87LPC767单片机和LM317实现24V/5A太阳能控制器电路的设计(2023-04-13)
24 V/5 A 太阳能控制器主回路电路图。该控制器采用单路旁路型充放电控制器形式，即MOSFET管S1 并联在太阳能电池阵列的输出端，当蓄电池端电压充到均充电压值时，S1进入脉宽调制状态，避免......
从华强北贸易商到设计原厂，萨科微“国产替代”发展秘笈(2022-04-06)
其正专注于研发第三代半导体碳化硅MOSFET，最高电压可达1900V电流80A技术世界领先。在比亚迪新能源汽车实测，电气数据仅次于美国科锐（CREE）且接近日本罗姆（ROHM）。凭借宋仕强在新能源汽车行业的强大人脉，延世......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
能承受的最大电压范围。
d. **VDSS（漏源间可承受的最大电压差值）**：该值一般我们看最小电压值，在实际设计中mos管DS端的电压差值也应远小于该值，并留有较大余量。（例如该mos管为75V，那么......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
Vgs电压的升高而变小。
-Vgs>-Vgs(th) 和 -Vgd<-Vgs(th)MOS管 处于饱和模式。Id是固定值，不随Vds变化。而且MOSFET的导通电阻很低，适合......
PN8149电源IC直流转换12W-18W小家电专用芯片(2023-09-06)
要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。
PN8149电源IC小家电专用芯片特点:1. 待机功耗可显著降低（小于50mW），因为IC自身工作电流极小，且内置高压启动MOS管......
Littelfuse推出FDA117光隔离光伏驱动器，为隔离开关应用提供浮动电源(2023-11-29 10:37)
Littelfuse推出FDA117光隔离光伏驱动器，为隔离开关应用提供浮动电源;提供高电压与大电流，可驱动不同行业的标准MOSFET/IGBTLittelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一......
Littelfuse推出FDA117光隔离光伏驱动器，为隔离开关应用提供浮动电源(2023-11-29 10:37)
Littelfuse推出FDA117光隔离光伏驱动器，为隔离开关应用提供浮动电源;提供高电压与大电流，可驱动不同行业的标准MOSFET/IGBTLittelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一......
MOS管在汽车LED 中的应用方案(2024-07-09)
适合的MOSFET可降低开关损耗，提高电源效率。选型时考虑功率、电压、电流承受、开关速度、热特性和封装类型。微碧半导体的MOSFET产品具有卓越性能和可靠性，为汽车LED驱动提供解决方案。
MOS管在......
Littelfuse推出FDA117光隔离光伏驱动器，为隔离开关应用提供浮动电源(2023-11-21)
高电压与大电流，可驱动不同行业的标准MOSFET/IGBT
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
芯片可以分为单驱芯片与双驱芯片。其中双驱芯片通常用于半桥、全桥等电源拓扑，因为需要一对互补的控制信号。而单驱芯片则更适用于buck、boost、反激等电源拓扑。
二、功率开关管常用驱动
1、MOSFET驱动......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
MOSFET在汽车电子上的应用(2024-06-20)
MOSFET在汽车电子上的应用;过去15到20年间，在汽车电子领域中，MOS管的应用已经很广泛了，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因......
常用的锂电池充电IC芯片(2023-02-24)
值8.4V 充电电流600毫安 单灯指示 线性SOP8
FS4059A 5V输入充8.4V芯片 充电1A 单灯指示 双节内置MOS管 SOP8
FS4062A 5V输入充8.4V芯片 充电4A 单灯......
电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
地提高了其使用寿命和安全性。
MOS 管 的 优 越 性 能
MOS管以其卓越的开关特性而闻名，能够在微秒级别内迅速切换电流。这为电动车窗的开关提供了高效的能耗管理，显著减少了功率损耗，使得......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型
上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可，因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。
解释3：增强型
相对于耗尽型，增强......
汽车DC 24V系统过抛负载测试解决保护方案(2023-07-19)
中可知，24V系统过抛负载测试需要选用TVS管（SM8S36CA和6.6SMDJ36CA）保护汽车电子产品免受瞬态浪涌威胁和损坏。汽车24V系统过抛负载测试，除了选型TVS管SM8S36CA和......
汽车DC 24V系统过抛负载测试解决保护方案(2023-07-19)
中可知，24V系统过抛负载测试需要选用TVS管（SM8S36CA和6.6SMDJ36CA）保护汽车电子产品免受瞬态浪涌威胁和损坏。汽车24V系统过抛负载测试，除了选型TVS管SM8S36CA和......
拥有11项发明专利，这家功率半导体厂商拟科创板IPO(2021-02-22)
。其TVS管、ESD保护器件、三极管、稳压管、大功率低功耗MOSFET等多种功率半导体产品被认定为上海市高新技术成果转化项目。目前产品已远销欧美日韩及东南亚等国家与地区，并广泛应用于智能终端、网络......
购入离子机攻第七代IGBT！原厂功率器件中国对手，杭州IDM老厂漂亮翻身(2021-03-15)
超过1200万个IPM模块，在国产品牌中销量领先。
在MOSFET管方面，士兰微目前占据国内4%左右的市场，特别是在中低端MOSFET管，同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽......
供需趋稳，MOSFET国产替代的机会在哪里？(2020-03-16)
供需趋稳，MOSFET国产替代的机会在哪里？;金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，又称MOS管)是功率半导体器件的主体之一。由于其具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、无二次击穿、安全......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
的1,500V光伏逆变系统中，采用2,000V的碳化硅MOSFET&JBS，三电平简化为两电平，实现Boost PFC拓扑简化，其使用的器件数量可减少50%，能进一步提高系统的可靠性，进一......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
阻尼二极管正极端连漏极（D），二极管负极连源极（S），要使MOS不至于无控导通，源极（S）必须接电源Us的正极。
图3.以MOSFET为受控开关
2. 控制MOS管
比较器的输入电阻极高，对电......
森国科推出电机驱动专用的高集成、高性能IPM智能功率模块(2024-01-02 11:25)
特点• 开关频率10kHz以上• 三相500V快恢复功率MOS管，内置保护功能栅极驱动• 内置自举二极管• 独立的负直流端便于三相变频器电流检测的应用 • 完全兼容 3.3V 和 5V 的 MCU 的接......
用数字万用表判断三极管的引脚(2023-06-26)
正是我们用数字万用表测量三极管引脚的依据。
02先找到基极
原理
万用表红表笔相当于是电池的正极，黑表笔相当于是电池的负极，不管是NPN管还是PNP管，b和c、e极之间都存在一个PN结，当表笔给PN结加......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
-MOS 管和 N-MOS 管：由 P-MOS 管和 N-MOS 管组成的单元电路使得 GPIO 具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL 肖特基触发器：信号......
矽力杰集成功率级DrMOS方案(2023-02-20)
可上拉或下拉用作故障标志位。SQ29663可以实时采样内部MOSFET的电流信息并重建为与电感电流成正比的三角波，内建的温度补偿使其能达到5mV/A ±5%的精度输出。SQ29663支持包括OCP......
星纵物联再度登榜《2023年中国AIoT产业全景图谱》!(2022-12-15)
次年会上，挚物AIoT产业研究院联合物联网智库正式发布了全新升级版的《2023中国AIoT产业全景图谱报告》，在图谱中，发布方将AIoT产业划分为“端”、“边”、“管”、“云”、“用”、“产业服务”六大......
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;深圳市金驰微科技有限公司;;深圳市金驰微科技有限公司总公司位于台湾高科技重镇台北，我们有着丰富的IC集成电路，MOSFET(MOS管)设计能力和专业的封测生产技术和生产经验，主要有半导体晶圆、集成
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AT24C64, AT24C128, AT24C256 AT93C46, AT93C56, AT93C66, AT93C86 锂电池保护IC DW01+ MOSFET（MOS管） 8205 TSSOP8
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;深圳市福田区新亚洲电子市场嘉锋电子商行;;深圳市嘉锋电子有限公司建立于2000年，是国内市场最早的MOSFET的经销商之一。 2004年，本公
各大客户和厂商前来洽谈合。主营产品：电源管理IC,充电与保护IC LDO稳压芯片 AC/DC与DC/DC 系列升压降压器 电压检测IC LED照明和显示驱动及MOSFET管,内存等，， 货源、真诚的服务态度”，欢迎
;立兴（香港）电子有限公司;;立兴（香港）电子有限公司，成立于2004年，地处全国IC行业的中心华强商业圈的都会电子城，现主营：场效应管,MOSFET管,TO-220,SOP-8,TSSOP-8的产
;深圳展科达电子有限公司;;展科达电子有限公司是以电子元器件配套为主，专业经营MOSFET管,销售SEMIHOW全系列产品。 经营宗旨：诚信第一、服务至上、货真价实、量大从优。 本公