资讯
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放,适合那些倾心于电子管音色,因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似,频率特性好,音色......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
结构图
电子负载采用3.7V锂电池供电,在使用时就不需要单独准备辅助电源或从被测电源取电,这将大大方便用户使用。
系统结构框图
硬件设计
负载晶体管与电流检测
该模块采用两根IRFP250场效应管......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件......
详解:8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管(FET)。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通反相器的输出,同时使“与门”开启......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海,2023年11月16日......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;
中国上海,2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝(Toshiba)产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点:一旦接反需要更换保险丝,操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点:输入端无论怎样接,电路都可以正常工作。
缺点:存在两个二极管的压降,适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
~ P3:内置上拉电阻的双向I/O口,各端口缓冲器可接收、输出4个TTL门电路。
P0 ~ P3做输入端时必须将P0 ~ P3口先置1。使内部场效应管截止,从而不影响输入电平。
P0 ~ P3均可......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
总线送来的信号无法通过与门;另一方面控制电子开关,让电子开关与锁存器的 端接通,此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号,内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器,并从Q和非Q端输出,如果D端输入1,则非Q端输出0,该0使场效应管......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中,主要考虑以下几点:
功能:电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动,只要用一个大功率三极管或场效应管......
驱动氮化镓(GaN)场效应管和逻辑电平 MOSFET。器件可应用于激光雷达、飞行时间、面部识别和使用低侧驱动器的电源转换器等领域。SGM48521 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许依据场效应管......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
以实现不同VDD(芯片工作电压)的MCU之间进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要: 在场效应管关断后让LED的负极电压升高,使得LED关闭。当场效应管导通时,LED的负极电压被拉低,使得LED发光。PWM调节......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1,让Q=1,场效应管截止,P2口输......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
通双极型晶体管相比,具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
▉ 场效应管分类
场效应管......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用,不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻,与场效应管共同组成输出驱动电路。因此,P1口作为输出时,不需要再外接上拉电阻,而当P1口作为输入口使用时,仍然需要先向锁存器写“1......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
直流电机的三相六臂全桥驱动电路
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式,采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动,使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平......
什么是H桥?介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
,下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路,此电......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点,对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
基于C8051F的镍氢电池管理系统设计参考(2024-01-18)
占空比可调的PWM信号,控制NPN三极管5551的通断,最终实现对场效应管通断的控制,达到电流控制的目的。同时CPU实时检测当前电流值,并根据实时电流值闭环调节PWM信号的占空比,从而......
基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
晶体管
对于场效应管来说,在大学期间老师基本没有讲,让自己自学。到了工作的时候,我们发现场效应管应用还是比较广泛的。其实场效应管和三极管还是很相似的。在很多应用中,甚至可以直接贴换三极管。
场效应......
以单片机C8051F020为核心通用性强的多台电机控制平台设计(2024-01-11)
单片机输出信号均经光耦隔离。单片机输出信号为3. 3 V TTL电平,这对电机来说驱动力不够,因此采用场效应管经功率放大电路后,用来驱动电机。本系统步进电动机的驱动采用了单电压驱动方式,这种......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压,四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中,Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道),Q4~Q6为IRFR1205(N 沟道......
Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-12)
方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。
结合......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化,N沟道增强型功率MOS场效应管......
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。;管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型,本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。本文引用地址:其结......
Nexperia首次亮相第三届中国国际进口博览会(2020-10-29)
快速发展的国内电动车市场和客户对氮化镓(GaN)器件日益增长的需求,Nexperia重点向观众推介了650 V硅基氮化镓场效应管器件。新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用,可在高频......
MCS-51单片机指令系统(4)(2022-12-12)
脚上反映真实的输入信号,必须要 设法先让该引脚内部的场效应管截止才行,否则当场效应管导通时,P1口引 脚上将永远为低电平,无法正确反映外设的输入信号。让场效应管截止,就是用指令给P1口的相应位送一个“1”电平,这就......
EPC新推采用ePower芯片的2 kW、48 V/14 V双向稳压转换器参考设计(2022-02-14)
率超过96.5%,在140 A时的效率为95.8%。
EPC9170演示板采用EPC23101集成电路,主要特点包括集成最大导通电阻为3.3 mOhm的高侧场效应管、栅极驱动器、输入逻辑接口、电平......
EPC新推采用ePower芯片的2 kW、48 V/14 V双向稳压转换器参考设计(2022-02-14)
率超过96.5%,在140 A时的效率为95.8%。
EPC9170演示板采用EPC23101集成电路,主要特点包括集成最大导通电阻为3.3 mOhm的高侧场效应管、栅极驱动器、输入逻辑接口、电平......
51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边,标号为P0.x 引脚的图标,也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位,即在P0 口有......
蓝箭电子创业板IPO获受理 募资6亿元投建半导体封测项目(2021-12-02)
体封装测试生产线扩产建设项目拟投资购买先进生产、检测设备等,打造全新的自动化生产线,进一步完善 DFN 系列、SOT系列等封装技术,开展如功率场效应管、功率 IC 等具有高技术附加值半导体产品的生产。
据悉,半导......
STM32单片机的GPIO端口设置(2024-04-16)
式输出级即提高电路的负载能力,又提高开关速度。
4.2 开漏电路
场效应管是电压控制型元器件,当对场效应管的栅极施加电压时,漏极与源极会导通。结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大,这意味着:没有......
REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用(2024-04-22)
升压电路(防反接)+控制电路(推挽式)
在DC-DC升压电路中,选用MOSFET作为开关器件,场效应管所需承受的最大电压约为20-30V左右,选型时MOS管的最大耐受电压应留有余量一般会选择40V以上......
这40个模拟电路基础知识太有用了!(2024-06-06)
极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极:栅极g,源极s,漏极d。分别对应三极管的基极b,发射极e,集电极c。<源极需要发射东西嘛,所以对应发射极e,栅极的英文名称是gate......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-11)
量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型......
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET(2023-12-11)
二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路,成功运行了BEV电机(2023-02-16)
实验室中完成了基于永磁同步电机的大功率逆变器拖载台架测试,成功测试了其 2.2mΩ 650V 半桥功率模块,该模块由 4 个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成,采用......
相关企业
;深圳市福田区良义微电子商行;;主营: SMD贴片元件 系列混频 高频二三极管 稳压管 变容管 肖特基 带阻开关管 高频场效应 三端稳压 稳压IC(基准电压源)四 五 六脚复合管
.MOS场效应晶体管系列:结型场效应管.低噪声场效应管.高频场效应管.开关场效应管.高输入阻抗场效应管.双栅场效应管.高压场效应管.MOS耗尽型场效应管.CS系列场效应管. 进口晶圆,完全替代IR
传感IC、光照探测器、红外数据头、光纤收发头、镭射激光管、发光二极管等。 B 传感器件系列:气敏传感器, 温度传感器、霍尔传感器、人体感应器、X射线传感器、倾斜传感器等。 C 高频场效应系列:双栅场效应管
;深圳市正瑞恩电子有限公司;;〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、封装: SOD-523、SOT-523
;深圳世玮科技有限公司;;公司主营产品:二三极管,SOP-8,DIP-8,高频管,模块等。 三极管封装:<> 场效应管,稳压管,IGBT系列,高压管。 场效应管:如IRF540,IRF640
;结型场效应管 深圳市福田区振业电子商行;;您好!欢迎来到振业光电。振业电子是一家专业代理经销各国著名品牌红外光电半导体的贸易公司。产品包括:红外光电系列、传感器件系列、高频场效应系列,本司
,PIC16C6XX,PIC16C7XX…) 线性IC: LM358、LM324、NE555、NE5532、HA17358 高频场效应管: 2SC3356、2SK3078、2SK2973、BFG591 EMC台湾
;深圳市福田区新亚洲电子市场诚信沅电子商行;;本公司主要经营三极管等。公司秉承"顾客至上,锐意进取"的经营理念,坚持"客户第一"的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾! MOS、FET场效应管
管、场效应管、达林顿管,MOS、FET场效应管、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、集成IC,高压电容,电容,电感,光藕,发光管,瓷珠,电阻等贴片电子元器件
、BB、SANYO、TOREX、SII、VISHAY等系列品牌! 手机配套、电源管理、系列混频、高频二、三极管、稳压管、变容管、肖特基、带阻开关管、高频场效应稳压IC(基准电压源)四、五、六脚