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科技介绍称，GaN系统公司是业界领先且备受好评的氮化镓功率晶体管开发商，其产品已经涉足汽车领域。然而，氮化镓晶体管在汽车应用中仍有很大的潜力，相比硅晶体管它的体积更小，性能更高效、使用更经济。 图片......
和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
(eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
​Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管，且性能良好。 这为实现300毫米硅基氮化镓(GaN-on-silicon)晶圆开辟一条可行的路径。 今年，Intel在硅和氮化镓......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型(D－Mode)与增强型(E－Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally......
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比; 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化镓......
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块 氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块 氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
试图通过新一代材料解决上述问题。 据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。 在最新研究中，大阪公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了高电子迁移率晶体管......
试图通过新一代材料解决上述问题。 据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。 在最新研究中，大阪......
（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。 所以从材料属性来说，氧化镓是一种很有希望的超宽禁带材料。氧化镓的优势不仅是材料性能高，更重要的是成本较低。2019年有......
EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。  宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设......
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命;长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型 （D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们......
再带来了新消息。 意法半导体量产氮化镓器件 8月3日，意法半导体官微宣布，公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）器件。 据介绍，STPOWER......
新突破 Intel研发了可垂直堆叠在晶体管之上的全新内存，并首次展示了全新的堆叠铁电电容，性能媲美传统铁电沟道电容，可用于在逻辑芯片上打造FeRAM。 Intel正在打造300毫米直径的硅上氮化镓晶......
美国进口各种产品侵犯了英飞凌的上述专利，这些产品包括应用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子产品的氮化镓晶体管，以及在汽车、工业和商业应用中使用的相关产品。 英飞凌电源与传感系统事业部总裁Adam White表示......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南 氮化镓......
从摩尔定律的微缩中了解到的那样，High-K介电质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。 需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最大区别在于其它单芯片氮化镓......
质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最大区别在于其它单芯片氮化镓......
于紧凑型伺服或微电机控制器、小型自动化电路、物联网设备等。 据介绍，该系列产品设计用于为电机驱动器（主要是桥式电路）供电。变频器与氮化镓晶体管配合使用，通常用于直流电机控制器。其输出电流高达125 mA......
大化提升应用的功率密度。 •快速的短路保护，自主的“检测和保护”可在50 ns内完成，比竞争对手的分立式氮化镓解决方案快4倍。 •静电放电（ESD）保护达到2 kV，而分立式的氮化镓晶体管......
究还强调了对背面触点和其它新型垂直互联技术的采用，从而以较高的面积效率堆叠器件。 英特尔率先在同一块300毫米晶圆上成功集成硅晶体管和氮化镓晶体管，且性能良好： • 在IEDM 2022上，英特......
表的研究明确了超越PowerVia，进一步拓展背面供电技术的路径，及所需的关键工艺进展。此外，该研究还强调了对背面触点和其它新型垂直互联技术的采用，从而以较高的面积效率堆叠器件。 英特尔率先在同一块300毫米晶圆上成功集成硅晶体管和氮化镓晶体管......
需的关键工艺进展。此外，该研究还强调了对背面触点和其它新型垂直互联技术的采用，从而以较高的面积效率堆叠器件。英特尔率先在同一块300毫米晶圆上成功集成硅晶体管和氮化镓晶体管，且性能良好：●在IEDM 2022上......
从科学探索转变为一种被广泛接受的技术，并提高了能源使用效率。宜普公司于2010年开始制造第一批大规模生产的商用氮化镓晶体管和集成电路。 自此，该公司成为业内公认的氮化镓产品和服务的领导者。 在本次所提交的起诉状中，宜普......
公司位于美国加利福尼亚州的埃尔塞贡多（El Segundo），将氮化镓从科学探索转变为一种被广泛接受的技术，并提高了能源使用效率。宜普公司于 2010 年开始制造第一批大规模生产的商用氮化镓晶体管......
公司位于美国加利福尼亚州的埃尔塞贡多（El Segundo），将氮化镓从科学探索转变为一种被广泛接受的技术，并提高了能源使用效率。宜普公司于 2010 年开始制造第一批大规模生产的商用氮化镓晶体管和集成电路。 自此......
科大国家示范性微电子学院教授龙世兵课题组于2023年初首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。而就此前不久，龙世兵课题组相关研究论文成功被世界顶级技术论坛IEEE IEDM大会接收，这也......
科大国家示范性微电子学院教授龙世兵课题组于2023年初首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。而就此前不久，龙世兵课题组相关研究论文成功被世界顶级技术论坛IEEE IEDM大会接收，这也......
性且易驱动性：采用最稳健的硅MOSFET SiO2栅极，不受 e-mode 的 p 栅极限制，可兼容硅基驱动器和控制器。  业务开发和营销高级副总裁Philip Zuk表示，“长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管......
和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能 新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日......
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件，助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能;新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展......
Transphorm推出业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管; 【导读】继最近推出三款新型TOLL FET 后，Transphorm新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN®......
宽度决定了一种材料所能承受的电场，更大的禁带宽度可以开发出载流子浓度更高的器件结构。 由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓......
衬底。 2021年12月，吴越半导体在无锡高新区举行GaN晶体出片仪式，会上展示了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体。 封面图片来源：拍信网......
业务开发部门负责人Kenji Fujito说：“氮化镓能否得到广泛应用，关键在于电动汽车是否采用它。”为此，需要开发大直径基板。 氮化镓半导体器件是通过在基板上生长氮化镓晶体......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓......
提供了基础。这个制造过程利用了现有的生产基础设施，生产步骤相对较少。 除了成本效益优势之外，EPC也在推动市场教育与推广、产业链合作。Lidow博士与其他人共同著作的《氮化镓晶体管—高效......
驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制，是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。   INN040LA015A是一颗耐压40V导阻1.5mΩ的增强型氮化镓晶体管，其采......
的充电体验。 图示2—大联大诠鼎基于Innoscience产品的300W电源适配器方案的场景应用图 INN700D140C和INN700DA140C均耐压为700V的增强型氮化镓晶体管，其中......
用户带来高效、轻便的充电体验。 图示2-大联大诠鼎基于Innoscience产品的300W电源适配器方案的场景应用图 INN700D140C和INN700DA140C均耐压为700V的增强型氮化镓晶体管，其中......
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？;据无锡高新区消息，12月15日，吴越半导体GaN晶体出片仪式在无锡高新区举行。仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体......
的研发，成功突破多项关键技术，包括2英寸氧化镓晶体与外延技术，以及氧化镓材料的量产等。其中，Novel Crystal公司已实现2 英寸、4英寸的衬底及外延的批量化供应，2022年7月宣布计划 2025......
式天线系统和一些微波链路：砷化镓MMIC在这些市场的优势是射频功率低，TriQuint 半导体T2G4005528-FS(图1)是GaN竞争的典型代表，这种碳化硅衬底的氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)工作......
性质各有千秋。目前研究比较多的是β相（热稳定性最佳，禁带宽度~4.8eV），而α相（高禁带宽度~5.3eV）和ε相（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。所以从材料属性来说，氧化镓......

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manufacturing in Taiwan. ; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓上硅晶体管
深圳市瑞光科技有限公司
度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过
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段各种脉冲功率合成器、分配器：一分八、八合一、一分四、四合一、一分二、二合一等产品。2、代理产品： 三菱功放模块；三菱场效应功率管；三菱MGF系列砷化镓晶体管； 东芝2SC，2SK系列大小功率三极管；霍尔
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;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管　3DD1-3DD12,3DD21
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;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
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;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
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主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
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;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
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;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商，公司位于华强北电子大厦。主要产品：稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片