资讯
东科半导体氮化镓项目迎最新进展(2022-02-23)
感应系列、精密稳压系列等产品。2016年，东科半导体率先在氮化镓芯片应用领域进行研发布局。2021年11月3日，东科半导体基于自家推出的氮化镓合封芯片，推出12V2A极简合封氮化镓适配器方案。
此前2020......
南芯科技布局全功率段PD快充，推出重磅新品PFC控制芯片SC3201(2022-12-09)
功率器件、PWM控制器、驱动器整合到一个封装内部，实现高集成度的氮化镓合封芯片设计。
总结......
丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆(2025-01-10)
丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆;1月9日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co.,Ltd.）日前宣布成功开发出了用于垂直晶体管的8英寸氮化镓（GaN）单晶晶圆。
这是丰田合成......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的1KW DC/DC电源模块方案(2024-01-18)
48V输入转12V输出，集成Innoscience旗下两颗100V InnoGaN ISG3201和八颗INN040LA015A低压GaN芯片。ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓合封芯片，其通......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的1KW DC/DC电源模块方案(2024-01-18)
InnoGaN ISG3201和八颗INN040LA015A低压GaN芯片。ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓合封芯片，其通过内部集成驱动器，优化驱动回路和功率回路，显著降低寄生电感和开关尖峰，进一......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的1KW DC/DC电源模块方案(2024-01-19)
转12V输出，集成Innoscience旗下两颗100V InnoGaN ISG3201和八颗INN040LA015A低压GaN芯片。ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓合封芯片，其通......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的1KW DC/DC电源模块方案(2024-01-18)
Innoscience旗下两颗100V InnoGaN ISG3201和八颗INN040LA015A低压GaN芯片。ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓合封芯片，其通过内部集成驱动器，优化......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的1KW DC/DC电源模块方案(2024-01-18)
ISG3201和八颗INN040LA015A低压GaN芯片。ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓合封芯片，其通过内部集成驱动器，优化驱动回路和功率回路，显著降低寄生电感和开关尖峰，进一......
英飞凌成功收购GaN Systems，氮化镓市场向巨头“靠拢”？(2023-10-29)
在性能、效率、能耗、尺寸等方面较市场主流的硅功率器件均有显著数量级的提升，但其发展也面临着许多问题。一方面，氮化镓是自然界没有的物质，完全要靠人工合成。氮化镓没有液态，因此不能使用单晶硅生产工艺......
自力更生！韩国研发出替代氮化镓的新材料(2020-03-09)
率等要求。
而此次韩科院研究小组是使用一种由铜和碘合成的碘化铜化合物(CuI)来生产蓝光LED。一名研究人员介绍道：“我们发现，碘化铜半导体可以发出蓝光，其亮度是氮化镓半导体的10倍以上，此外......
从手机快充到电动汽车，氮化镓功率半导体潜力无限(2022-03-21)
47.1亿美元，年复合成长率达48%。其中，氮化镓功率半导体市场规模将在2025年达到13.2亿美元。
从消费电子到电动汽车，氮化镓功率半导体潜力无限
氮化镓功率半导体从消费电子起步，但它......
六大板块齐发力，MPS快速扩充产品组合(2023-07-25)
驱动在内的产品组合。
广泛布局快充市场
AC/DC氮化镓快充市场是消费电子一直以来的新兴产品。作为AC/DC产品线丰富的MPS，也拥有多种快充方案组合。
此次，MPS展示了氮化镓合封方案, 包括原边集成GaN的反......
日本大厂，布局汽车GaN器件，但高成本仍是障碍(2024-10-21)
日本大厂，布局汽车GaN器件，但高成本仍是障碍;
【导读】日本公司正着手大规模生产用于电动汽车的氮化镓（GaN）功率半导体器件，以增加电动汽车的行驶里程，但高......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
公司，该公司的氮化镓技术研发专长和在广泛的高功率、高频率工艺流程方面的领先地位为其赢得了美国国防部先进研究项目局(DARPA) 的许多合同，包括最近与该局的Near Junction Thermal......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
是氮和镓的化合物，需要由人工合成，结构类似纤锌矿。
从特性上来看，作为时下新兴的半导体工艺技术，氮化镓具有超越硅的多种优势。与传统的硅材料相比，氮化镓(GaN)具有......
目标突破5000亿元！苏州新政：重点发展光子芯片与光器件、前沿新材料等领域(2023-09-06)
虚拟与实验结合的前沿新材料产业创新体系。鼓励各类创新主体瞄准航空航天、电子信息、能源装备、生命健康等下游需求，加强材料配方、合成工艺、表征手段等方面的协作，加速从材料研发、中试到量产等各环节的技术突破。
光子......
3000W！GaN打入电动车无线充市场(2024-01-03)
逆变的无功损耗，将系统效率提高到93%。同时，氮化镓电压振荡小，改善了系统的EMC特性。采用氮化镓器件在该应用中体积、效率、性能、综合成本上得到提升。
据“行家说三代半”了解，目前台铃、中惠创智等众多企业正在力推基于氮化镓......
赛微电子：子公司微芯科技与江苏璞芯签署《投资协议书》(2023-02-06)
高频通信背景下的物联网与人工智能时代，一方面重点发展MEMS（微机电系统）工艺开发与晶圆制造业务，一方面积极布局GaN（氮化镓）材料与器件业务，致力于成为一家立足本土、国际化发展的知名半导体科技企业集团。璞晶......
氮化镓芯片企业镓未来完成近亿元A+融资(2022-05-27)
氮化镓芯片企业镓未来完成近亿元A+融资;近日，氮化镓芯片领先企业珠海镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）宣布完成近亿元A+轮融资。
据悉，本轮投资由顺为资本、高瓴创投、盈富......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。
2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延......
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道(2023-03-10)
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道;以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对......
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道(2023-03-13)
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道;以碳化硅与氮化镓为代表的市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对......
2020年度化合物半导体产业十大热点事件(2021-01-19)
%；瀚天天成，认缴出资977.2万元。
5、全球最大氮化镓工厂进入量产阶段
2020年9月，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意......
是谁勇入第三代半导体分羹之局？(2022-09-05)
人民币购买于安徽长江产权交易所公开挂牌的启迪半导体及芜湖太赫兹工程中心等相关股权。启迪半导体及芜湖太赫兹工程中心主要从事以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体产品的工艺研发和制造。
IDM半导体企业华润微电子进军氮化镓......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展(2022-03-15)
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展;近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与日本东京大学盐见淳一郎团队合作，在氮化镓（GaN）—金刚石晶圆键合技术领域取得了新进展。该项......
第三代半导体占据市场主流，碳化硅还是氮化镓，一山容不容二“虎”？(2023-02-08)
第三代半导体占据市场主流，碳化硅还是氮化镓，一山容不容二“虎”？;
【导读】近年来，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用市场尽显风光。随着......
博世创业投资公司投资致能科技，加速第三代半导体布局(2022-09-14)
芯片正是实现上述目标的关键技术。“中国是全球最大的同时也是增长最快的功率半导体市场，氮化镓则是实现下一代功率系统进而实现碳中和的关键技术之一。凭借着工艺和器件结构的创新，致能科技将更加充分的发挥出氮化镓......
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产(2023-12-11)
外延片生产线具有气源预处理功能，核心反应腔内对温场、流场均匀性强化控制，加入应力翘曲模型，更加适合大尺寸氮化镓材料生长。同时自动化控制、监测、分析平台，可快速优化外延片生长工艺，缩短工艺调整周期。经过抗压测试和材料生长结果表明，设备具有很好的稳定性和工艺......
罗姆与台积电合作开发车用氮化镓器件(2024-12-12)
（GaN-on-Silicon）工艺技术结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率元器件日益增长的需求。
2023年，罗姆采用台积电650V耐压氮化镓HEMT工艺，推出了属于罗姆EcoGaN™......
第三代半导体13项标准获得新进展！(2024-07-29)
导通电阻测试标准形成委员会草案
2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草的团体标准T/CASAS 34—202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》、T/CASAS 35......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成，将增加10条氮化镓外延生产线(2022-05-16)
芯片领域的科技新格局。
刑艳指出，目前，氮化镓半导体芯片项目的车间装修、机电设备安装等收尾工程已经完工，在高新区管委会的协助下，企业定制的工艺设备陆续运输、安装到位。预计5......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！(2024-09-13)
的功率半导体在工业、汽车、消费类、计算和通信应用中迅速获得采用，涵盖AI系统的电源、太阳能逆变器、充电器、适配器以及电机控制系统。
先进的氮化镓制造工艺提高了设备性能，它实现了更高的效率性能、更小......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
半导体与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。该研发中心将瞄准国家和产业发展全局的创新需求，以第三代半导体氮化镓关键核心技术和重大应用研发为核心使命，重点突破材料、器件、工艺技术瓶颈，增强......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
目计划于今年第二季度末完成，将部署创新制造工艺，以大批量生产下一代GaN-on-SiC工程外延晶圆，预计年产能将高达4万片4/6英寸外延片。
据韩国媒体《BusinessKorea 》7月报导，三星电子即将进军氮化镓......
联电大举购置新机台扩产，瞄准8英寸晶圆第三代半导体制造领域(2022-05-09)
底，业界便有消息表明，联电早已低调布局第三代半导体领域。其主要通过转投资联颖光电切入，锁定6英寸氮化镓；并与比利时微电子研究中心（IMEC）合作，进行技术研发合作。
据悉，联颖光电为联电子公司，主要......
最高30亿元，Q1化合物半导体领域融资事件汇总(2022-04-11)
季度共有24家中国公司宣布完成新一轮融资，主要涉及射频和功率半导体等化合物半导体领域。
其中，英诺赛科完成了近30亿的D轮融资，是2022年一季度中融资规模最大的企业。
据悉，英诺赛科是跻身全球氮化镓......
英飞凌荣获群光电能“氮化镓战略合作伙伴奖”(2024-05-06)
英飞凌荣获群光电能“氮化镓战略合作伙伴奖”;全球电源供应器制造商及电力电子行业领导者群光电能 （Chicony Power; TWSE：6412）（以下简称群电） 宣布其年度合作伙伴奖项得主，全球......
英飞凌荣获群光电能“氮化镓战略合作伙伴奖”(2024-05-06 11:32)
英飞凌荣获群光电能“氮化镓战略合作伙伴奖”;全球电源供应器制造商及电力电子行业领导者群光电能 （Chicony Power; TWSE：6412）（以下简称群电） 宣布其年度合作伙伴奖项得主，全球......
宏光半导体发布两大战略合作，持续加码布局GaN领域(2022-03-28)
（氮化镓）器件的全球领先者，团队拥有深厚的氮化镓技术知识和数十年的产品经验基础。VisIC公司申请布局了氮化镓技术的关键专利，在此基础上成功开发了氮化镓基大功率晶体管和模块，正在将其推向市场，其高......
氮化镓取代碳化硅，从PI开始？(2023-11-13)
Balu Balakrishnan此前就在公开场合说过，PI实际上投入过数千万美元进行碳化硅的研究，但最终还是转向了氮化镓。
Jason解释道，氮化镓可以使用硅基工艺，同时晶圆尺寸更大，相比......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型(2023-05-31 10:30)
功率转换方面的领先地位。垂直整合模式、自有外延片生产能力、以及专利工艺技术，再加上数十年的工程专业知识，使该公司能够将性能最优异的氮化镓器件组合推向市场，并且还在以下四个方面具有重大差异化优势：可制造性、易驱......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型(2023-05-31)
伏技术也展现了Transphorm在氮化镓功率转换方面的领先地位。垂直整合模式、自有外延片生产能力、以及专利工艺技术，再加上数十年的工程专业知识，使该公司能够将性能最优异的氮化镓器件组合推向市场，并且......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型(2023-05-31)
功率转换方面的领先地位。垂直整合模式、自有外延片生产能力、以及专利工艺技术，再加上数十年的工程专业知识，使该公司能够将性能最优异的氮化镓器件组合推向市场，并且还在以下四个方面具有重大差异化优势：可制造性、易驱......
英诺赛科今日上市：氮化镓龙头成长动力充足(2025-01-02 11:03)
巩固领先优势作为最新一代半导体材料之一，氮化镓技术及其工艺复杂，具备较高的进入壁垒。英诺赛科凭藉在氮化镓核心技术和关键工艺上的突破，在行业内建立了稳固的先发优势。公司是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
化硅（SiC）以外，其他所有新兴宽带隙半导体必须生长在另一种材料盘中，比如氮化镓通常依靠复杂的工艺在硅、碳化硅、蓝宝石基底上生长，由于基底的晶体结构明显不同于氮化镓的晶体结构，这种差异会造成基底和氮化镓......
青岛佳恩半导体与西安电子科技大学签约战略合作协议(2024-05-30)
签约仪式双方就共同研究开展GAN（氮化镓）功率器件结构设计与特性仿真，获得器件优化结构及参数，基于氮化镓器件制造平台开展器件核心工艺实验研究、工艺参数优化及器件样品研制，针对氮化镓功率器件特点，开展......
吴越半导体完成数亿元A轮融资，深耕氮化镓自支撑衬底技术(2022-02-19)
自支撑衬底生产制造厂家。
从制备工艺上看，氮化镓自支撑衬底的制备通常是在蓝宝石衬底上异质外延氮化镓膜，然后采用激光剥离技术(laserlift-offtechnique)使得氮化镓膜与蓝宝石分离，从而得到自支撑氮化镓......
氮化镓取代碳化硅？PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样(2024-11-12 09:47)
，继续推高氮化镓的裕量和耐用性，但“天空才是尽头”，所以才有了如今的1700V 氮化镓。实际上，1700V的碳化硅技术PI也有，但是阎金光表示，氮化镓在价格上更具优势，包括材料、生产工艺、切割......
氮化镓微波毫米波无线能量转换芯片关键技术研发项目获得立项(2024-01-12)
氮化镓微波毫米波无线能量转换芯片关键技术研发项目获得立项;据江南大学消息，近日，江苏省重点研发计划“产业前瞻与关键核心技术”专项2023年度项目立项名单公示结束，“氮化镓......
相关企业
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
;永信热处理材料经营部;;QPQ液体氮化盐、软氮化盐、LT及LTC系列复合化学热处理基盐、再生盐、氧化盐 、公司始建于一九七七年，是全国最大的热处理工艺材料专业化生产企业。多年来致力于热处理工艺
公司先后在上海嘉定工业园区及苏州高新区设立分厂,专业承接： 一、特殊要求金属零部件渗氮工艺研发及样件试验 二、碳钢、合金结构钢、工模具钢、不锈钢、铸铁等金属零部件的离子氮化（硬氮化及软氮化）。 谷邦
公司先后在上海嘉定工业园区及苏州高新区设立分厂,专业承接： 一、特殊要求金属零部件渗氮工艺研发及样件试验 二、碳钢、合金结构钢、工模具钢、不锈钢、铸铁等金属零部件的离子氮化（硬氮化及软氮化）。 谷邦
资产4500万元，年产土工合成工程材料及新型复合材料4000吨，年销售收入1.2亿元,利税800万元。 公司拥有目前国际先进的德国卡尔迈耶玛里莫双向经编机，采用德国门泽尔公司涂层技术，产品和生产工艺
等为基础树脂,通过添加高性能填料,采用自有专利的合成工艺制造各种高性能功能涂布液材料。 精密涂布 肯瑟拥有自主研发的相变材料涂布机,坡流式多层挤压涂布及逆转辊涂布机各一条,采用双面气浮式干燥工艺,从而
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应