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市三安集成电路有限公司等作为主要完成单位合作完成。 该项目通过各方协作攻克了5G移动通信基站用宽带、高效、高线性功率放大器核心工艺技术，形成了自主知识产权氮化镓功放芯片制造工艺技术解决方案，并通......
（增强型） VS 硅LDMOS结构 从结构看，氮化镓功率器件和硅LDMOS都是横向结构，即他们的源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）都在芯片的上表面。同时......
国际一流品牌。氮矽科技主要研发基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的芯片，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供，并通过国内首款独立研发与制作的GaN Power......
使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。射频电路中的一个关键组成是PA（Power Amplifier，功率放大器）。从目前的应用上看，功率放大器主要由砷化镓功率放大器和互补式金属氧化物半导体功率放大器（CMOS PA）组成，其中......
适合脉冲或连续波(CW)应用，如军用干扰发射器、无线基础设施、雷达和通用放大。 HMC8205BF10放大器采用10引脚陶瓷芯片载体(LDCC)封装。 HMC8205BCHIPS是一款氮化镓(GaN)、宽带功率放大器......
元件、微波射频元件、光电子元件，氮化镓功率元件于消费电子市场率先放量。 近日召开的2022亚洲充电展上，小米、OPPO、联想、安克创新等品牌的多款氮化镓功率芯片充电器集中展示，超20家氮化镓芯片......
的数字预失真测试时间从几小时缩短到几分钟 • 测试方法助力功率放大器制造商缩短研发周期并加快上市时间 • 汉威光电（Hexawave） 是 富采控股（Ennostar Group ）的子公司，率先采用全新的测试方法来表征高效宽带砷化镓功率放大器......
光电（Hexawave） 是 富采控股（Ennostar Group ）的子公司，率先采用全新的测试方法来表征高效宽带砷化镓功率放大器是德科技公司近日宣布，推出全新的迭代学习控制（ILC）测试方法极大缩短功率放大器......
环境的生成 Steffen Heuel, Rohde & Schwarz Amplifiers Room: 307B 一种应用于基站的硅基氮化镓三路Doherty功率放大器......
键应用，而且多年来已经成为这个领域的事实标准，因为当前或再过几年都没有其他技术可以可供碳化硅衬底氮化镓的功率密度和其他优势。 下图显示了Ka波段砷化镓和碳化硅衬底氮化镓MMIC射频功率放大器（如图2......
光电（Hexawave） 是富采控股（Ennostar Group ）的子公司，率先采用全新的测试方法来表征高效宽带砷化镓功率放大器 是德科技公司（NYSE：KEYS）近日宣布，推出......
科技技术长林珩之表示，5G基地台的功率放大器将会以砷化镓与氮化镓制程为主，因其是功率主导(Power Handle)，并以表现度为主要衡量指针。 但这样的制程需更多的校准(Calibration)程序，成本......
MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功率氮化镓（GaN）功率放大器模块（PAM）的样品。PAM可用于32T32R mMIMO天线*2，以降低5G mMIMO基站的生产成本和功耗，随着5G网络......
（ Power Amplifier）、开关（ Switch）、滤波器（ Filter）、双工器（ Duplexer）、低噪声放大器（ Low Noise Amplifier） 等功能构件，其中核心器件是决定发射信号能力的射频功率放大器芯片......
HMC1087-DIE数据手册和产品信息;HMC1087是一款8W氮化镓(GaN) MMIC功率放大器，工作范围为2至20 GHz。 该放大器通常提供11 dB小信号增益，+39 dBm饱和输出功率......
HMC1086-DIE数据手册和产品信息;HMC1086是一款25W氮化镓(GaN)功率放大器MMIC，工作范围为2至6 GHz。该放大器通常提供22 dB小信号增益，+44.5 dBm饱和输出功率......
缩脉冲和连续波条件下运行时具备高耐用性。这种新的耐用技术通过消除在GaN HEMT功率放大器中观察到的脉冲下降现象，从而提高了脉冲模式雷达系统的范围和灵敏度。此外，NP12-0B还提供增强型防潮性选项，在塑......
、带宽、功率附加效率和大信号增益的单个功率放大器。” TGA2962 基于 Qorvo 高度可靠的氮化镓 (GaN) QGaN15 工艺技术而构建，具有行业领先的功能。此外，还改......
缩脉冲和连续波条件下运行时具备高耐用性。这种新的耐用技术通过消除在GaN HEMT功率放大器中观察到的脉冲下降现象，从而提高了脉冲模式雷达系统的范围和灵敏度。此外，NP12-0B还提......
技术有着强烈需求，这也与Soitec拓展产品组合的目的相契合。5G部署是强劲的增长引擎，Soitec的硅和非硅基优化衬底能够提供有力的支持。除了基站功率放大器这一首要目标市场外，Soitec还计划通过氮化镓......
半导体则对汽车电动化起着重要作用，以碳化硅、氮化镓等第三代功率半导体为代表。 TrendForce集邦咨询预测，2022年碳化硅/氮化镓功率半导体市场规模将成长至18.4亿美金，至2025年可......
Electronics) 即日起备货Qorvo® QPA1724 Ku/K波段氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA)。该产品功率可达同类PA的两倍，并且能够提供出色的宽带线性功率、增益和功率附加效率 (PAE......
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，GaNSense新技术登场;11月8日，北京--氮化镓（GaN）功率芯片的行业领导者（Navitas Semiconductor）（纳斯......
在 LDMOS 工艺正在被氮化镓（ GaN ）工艺取代。这是给半导体产业带来的第一个挑战，也是机遇。 目前，射频器件中的功率放大器主要采用基于硅的横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) 技术......
MIMO*1（mMIMO）基站的新型氮化镓（GaN）功率放大器模块样品。该功率放大器模块有助于降低5G mMIMO基站的功耗。 5G Massive......
现高亮度水平和宽色域。 5G基站也是GaN的应用领域，主要产品为GaN功率放大器和微波射频器件。GaN材料在耐高温、耐高压及承受大电流方面具备优势，与传统通信芯片......
和其他家用电器产品为主。 IC渠道业内人士表示，消费电子相关芯片估计至少需要一个季度去库存，且不确定2022年第四季度市场能否回暖。目前手机应用处理器、手机功率放大器元件的库存压力仍存在，或许要到2023......
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，GaNSense新技术登场;氮化镓（GaN）功率芯片的行业领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯......
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，GaNSense新技术登场;氮化镓（GaN）功率芯片的行业领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯......
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，GaNSense新技术登场;氮化镓（GaN）功率芯片的行业领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯......
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，GaNSense新技术登场;氮化镓（GaN）功率芯片的行业领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯......
提高了灵活度。 射频电路中另一个关键组成则PA(Power Amplifier)，也就是功率放大器，它的主要功能在于将讯号放大推出。从目前的应用上看，功率放大器主要由砷化镓功率放大器(GaAs......
纳微半导体在上海成立全球首家针对电动汽车的氮化镓功率芯片设计中心;2022年1月14日，北京—— 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas Semiconductor（纳斯......
英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201; 【导读】英诺赛科宣布推出SolidGaN系列100V半桥氮化镓功率芯片新品ISG3201。内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓......
汽车产业“续航焦虑”的痛点亟待解决，氮化镓功率半导体有望对此助一臂之力。 不过与消费类芯片相比，车规级芯片对于性能指标、使用寿命、可靠性、安全性、质量一致性等方面有着极高的要求，这也使得氮化镓功率......
行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）发布全新GaNSense Control合封氮化镓功率芯片，带来......
55所牵头！这个氮化镓项目获批国家重点研发计划项目;近日，国家科技部公布了2022年国家重点研发计划立项资助名单。55所牵头承担的“宽带射频功率放大器”项目成功获批。 “宽带射频功率放大器......
打造定制化的封装形式对于确保其在汽车环境中的可靠性、热管理和系统“只闻其声,不见其形”的集成至关重要。 D级音频放大器通常采用MOSFET技术,实现高开关速度、低功率损耗和高功率效率的处理。基于氮化镓(GaN)的D级音频放大器,可更......
可对所连接的RF部分实现轻松优化。 对于使用28V氮化镓（GaN）或横向扩散MOSFET（LDMOS）功率放大器设计的RFPA应用，这款大功率转换器提供了一个数字PMBus接口，因此......
驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制，是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。   INN040LA015A是一颗耐压40V导阻1.5mΩ的增强型氮化镓晶体管，其采......
倍的充电速度。 在活动上，Navitas展示其GaNFast功率芯片，整合了氮化镓功率元件、驱动以及保护和控制，得以实现简单、小型、快速和高效的效能；且该功率芯片以应用于许多小米产品，像是65W......
导航和海上搜救、环境与生化监测等领域。 此外，氧化镓器件还可以作为高频射频器件、能源转换和储能、半导体激光器等领域使用，应用于毫米波通信、射频功率放大器、太阳......
纳微氮化镓器件助力OPPO新一代快充;Navitas Semiconductor 纳微半导体今日宣布，交付基于其GaNFast技术的第500万颗氮化镓功率IC芯片。7月24日，纳微......
器BMR685，该转换器可提供高达1300W的连续输出功率。 随着电信基础设施转换到5G，RF功率放大器（RFPA）的功耗变得越来越大，RF功放设计人员正在从LDMOS转移到氮化镓（GaN）晶体管。总的......
器BMR685，该转换器可提供高达1300W的连续输出功率。 随着电信基础设施转换到5G，RF功率放大器（RFPA）的功耗变得越来越大，RF功放设计人员正在从LDMOS转移到氮化镓（GaN）晶体管。总的......
器BMR685，该转换器可提供高达1300W的连续输出功率。 随着电信基础设施转换到5G，RF功率放大器（RFPA）的功耗变得越来越大，RF功放设计人员正在从LDMOS转移到氮化镓（GaN）晶体管。总的......
，面向关键技术攻关方向，国家第三代半导体技术创新中心新启动共建8家联合研发中心，包括氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心、硅基氮化镓......
引进一批具有全国影响力、竞争力的设计企业.大力发展半导体及集成电路设计服务外包.重点支持射频芯片、传感器芯片等专用器件的开发设计.支持星载激光功率放大器等新技术的研发与应用。 （二）发展壮大制造产业。深入......
类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。 INN040LA015A是一颗耐压40V导阻1.5mΩ的增强型氮化镓晶体管，其采用FCLGA 5*4封装，体积小巧，同时具备极低栅极电荷和导通电阻，且反......
提高了系统级 EMI/EMC 性能。 AudioControl：功率放大器采用氮化镓 6月，据Strata-gee等报道，AudioControl在InfoComm 2024 展会上展示了用于音响系统的CM 系列放大器......

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;北京朗波芯微技术有限公司;;北京朗波芯微技术有限公司位于北京，主营WiFi/WAPI功率放大器芯片、蓝牙功率放大器芯片、450MHz功率放大器芯片、TD-SCDMA功率放大器芯片、CMMB
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. 2002年10月成功研制开发出国内第一只砷化镓功率倍增、砷化镓功率推挽放大模块。 独家采用特殊静电防护器件与方式，对砷化镓模块进行多方位保护。 2.2003年3月砷化镓光接收模块面世，填补
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