葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

  • 首页
  • 氮化镓mos管型号

资讯

涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%; 【导读】随着终端产品对氮化镓的加速应用，氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅，氮化镓高频率、小体......
Si MOS 基于8英寸硅基氮化镓的研发工艺和大规模量产能力，英诺赛科产品得到迅速迭代和商用。截至2023年上半年，高、中、低压......
正在进行研发试验片的试生产。目前，130名员工全部复工，生产线处于满线生产状态，研发试验片的月产量能达到1000多件。 据介绍，致能半导体自主研发的氮化镓芯片共封装技术可把氮化镓功率芯片与硅驱动芯片、硅MOS芯片......
共封装器件生产线，可把氮化镓功率芯片与硅驱动芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封装在一起，形成氮化镓芯片共封装器件，能有效降低氮化镓芯片与其它芯片之间传统PCB板连接导致的延时较长、寄生......
控制 MOS管 Q1。 该MOS管型号为IRF540。 D1是一个LED，通过信号变亮或者变暗。 二极管D2 可以防止来自感性负载（由电机产生）的反电动势损坏MOS管。 通过电阻 R1、R2、 R3......
，目前产品验证速度和产品爬坡进度按计划进行。预计年底产能达到2万片，争取达到2.5万片，明年预计产能达到3万片，争取达到3.5万片。 华润微还表示，公司第三代宽禁带半导体碳化硅和氮化镓......
从摩尔定律的微缩中了解到的那样，High-K介电质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。 需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最大区别在于其它单芯片氮化镓......
质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最大区别在于其它单芯片氮化镓......
能够将开关速度提升13倍，脉冲宽度减小五分之一。当前，L2辅助驾驶使用MOS方案识别距离只有100m，L2+/L3辅助驾驶必须达到200m/300m的中远距离识别，只有使用窄脉冲、大峰值电流、高功率的氮化镓方案，才能......
光雷达领域，氮化镓器件的Qg、Qoss等参数相比硅器件提升1.5~3倍；与早期激光雷达产品相比，采用氮化镓能够将开关速度提升13倍，脉冲宽度减小五分之一。当前，L2辅助驾驶使用MOS方案......
万片。彭建华还表示，2025年公司将具备年产16.8万片车规级碳化硅MOS的生产能力。此外，Fab1还负责生产氮化镓晶圆，目前月产能为4000片。 Fab2的8英寸碳化硅晶圆生产线将于2024......
源汽车市场大有可为 资料显示，百识电子成立于2019年8月，专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片，包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC，针对高压、高功率以及射频微波等应用市场提供碳化硅及氮化镓......
有点类似MOSFET，加Gate极，引入一个绝缘层去控制 FET的开和关。所以，我们可以看到，这种结构的氮化镓也是电压型驱动的结构。cascode结构的电压型驱动的氮化镓，是通过控制一个小N MOS去控制氮化镓......
有点类似MOSFET，加Gate极，引入一个绝缘层去控制 FET的开和关。所以，我们可以看到，这种结构的氮化镓也是电压型驱动的结构。cascode结构的电压型驱动的氮化镓，是通过控制一个小N MOS去控制氮化镓......
赛科推出适用于快充的All GaN PD3.1解决方案，使用了中、低压氮化镓单管取代传统的硅MOS，大幅度降低电阻，减小驱动损耗，并进一步缩小封装面积，大大提升了氮化镓快充开关频率，提高转换效率和功率密度，为大功率氮化镓......
进入行业知名芯片制造企业，国内市场占有率达到较高水平。 图片来源：拍信网 国家科技进步奖方面，《射频系统设计自动化关键技术与应用》、《高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在5G通信......
国电机及电子工程师学会(FIEEE)院士Tom Jahns表示：“看到基于氮化镓的双向开关距离商业化量产越来越近，非常令人激动。电力电子工程师们一直焦急地期待着MOS栅极双向开关产品上市，因为......
要用于低压沟槽型MOS。在实际应用中，目前市场上采用该技术的产品并不多。然而，氮化镓材料在许多应用场景中非常需要内含电流检测功能，据程文涛分享，原因有二： · 无损检测：该材......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型;该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统 加州......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型;该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统高可靠性、高性能氮化镓......
大带宽和小尺寸而吸引了智能手机OEM。随着创新厂商的重大技术进步，它可能很快就会被一些低于 6GHz的5G手机型号采用。这无疑将成为硅基氮化镓RF行业的一个里程碑。 与此同时，最近......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型; 【导读】高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm......
移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升，氮化镓（GaN）技术在电源适配器领域的应用日益广泛。与传统的硅（Si）相比，GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压，因而......
适配器方案的展示板图 随着移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升，氮化镓（GaN）技术在电源适配器领域的应用日益广泛。与传统的硅（Si）相比，GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压，因而......
盛宴会厅正式举办。届时，研讨会聚焦利用氮化镓(GaN)技术设计高效率、高功率因数的紧凑型电动工具充电器、电动工具之BMS发展趋势、智能电机驱动与快充电源领域中低压MOSFET的技术要求及创新、氮化镓......
-FAB生产。2022年，M-MOS的营收为3200万美元（折合人民币约2.29亿元）。此外，根据M-MOS官网信息，其还具备硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率......
于国际先进水平，目前该技术正转向规模化量产。 Bel Fuse氮化镓扩大应用范围 7月26日，美国电子电力制造商Bel Fuse宣布，他们将扩展 EOS Power 系列产品，新增2款型号器件，这些......
硬件工程师基础面试题(2024-10-06 11:59:22)
、2SB1005、2SB1184、2SB1386、2SB1412、2N4403、2N4030 列举您知道的P-MOS 管型号......
领域。IGBT是深爱的重点研发产品，主要应用于电磁加热和变频领域，目前深爱重点关注氮化镓及IGBT功率器件，进工业及车规级产品，预计2021年优先推动氮化镓和IGBT器件量产。 与众多同行相比，深爱......
 GaNSense 技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号，他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为650V/800V，具有2kV ESD......
SolarUnit产品线的设计架构中，包括DC-DC 和 DC-AC端，均采用了 Transphorm 的 150 mΩ 和 70 mΩ 氮化镓场效应晶体管。SolarUnit有三种可选型号，功率......
市值超16亿美元，这家氮化镓企业成功上市;美东时间10月20日，GaN功率半导体厂商Navitas Semiconductor（“纳微半导体”）成功在纳斯达克全球市场交易，股票代码为“NVTS......
产品线的设计架构中，包括DC-DC 和 DC-AC端，均采用了 Transphorm 的 150 mΩ 和 70 mΩ 氮化镓场效应晶体管。SolarUnit有三种可选型号，功率输出分别为 800 W......
晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术......
系统可集成到皮卡车上，由太阳能电池板或墙上插座充电。该公司表示，通过使用英飞凌的氮化镓场效应晶体管取代电源转换器中以前的硅开关，并以更高的开关频率运行晶体管，可以将电池系统的重量减轻33%，系统......
技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号，他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为650V/800V，具有2kV ESD保护。新的......
GaNSense 技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号，他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为650V/800V，具有2kV ESD保护。新的......
技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号，他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为650V/800V，具有2kV ESD保护。新的......
GaNSense 技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号，他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为650V/800V，具有2kV ESD保护。新的......
IGBT外，一些新型功率器件也广泛使用于数字电源中，如SiC MOSFET和氮化镓晶体管（GaN FET）等。SiC Mosfet管具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态......
半导体正在加速布局第三代半导体产品，成为高效功率氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）的可靠供应商。 氮化镓方面，安世半导体已推出系列GaNFET产品，产品通过车规级认证并应用于新能源汽车领域，是全球少数可提供车规级氮化镓......
芯海科技先锋MCU芯片CSU32P10助力倍思氮化镓充电器实现功率控制功能;前言 是Microcontroller Unit的简称，又称为“单片机”，是将精简化的CPU、内存、计数器、I/O接口......
今年底将达到一期峰值产能。 功率半导体器件备受资本青睐，碳化硅、氮化镓前景可期 功率半导体器件，即我们常说的电力电子器件，是实现电能转换的核心器件，广泛应用于消费电子，工业，汽车等领域。 近年，受益于5G、新能......
研发团队及市场推广。 天狼芯是一家专注于高性能国产功率半导体芯片的Fabless（无产线芯片设计商）创业公司。其主要产品有基于第三代半导体材料GaN（氮化镓）系列和SiC（碳化硅）系列......
、40mΩ，TOLL封装）的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515（额定电压650V，35mΩ，TOLL封装）的GaNSafe™氮化镓......
DC-AC端，均采用了 Transphorm 的 150 mΩ 和 70 mΩ 氮化镓场效应晶体管。SolarUnit有三种可选型号，功率输出分别为 800 W、920 W 或 1500 W，对应......
DC-AC端，均采用了 Transphorm 的 150 mΩ 和 70 mΩ 氮化镓场效应晶体管。SolarUnit有三种可选型号，功率输出分别为 800 W、920 W 或 1500 W，对应......
意法半导体：SiC新工厂今年投产，丰沛产能满足井喷市场需求;作者：行家说-许若冰回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？为更......
意法半导体：SiC新工厂今年投产，丰沛产能满足井喷市场需求;文章来源：行家说三代半 作者：行家说-许若冰 回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎......

相关企业

东莞中和光电有限公司
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
epc
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
深圳市港晟电子有限公司
兆龙； 【氮化镓】： 英诺赛科、GaN systems； 【单片机】： GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。
triquint-semiconductor
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
济宁市市中区新光真空电子仪器厂
;济宁市市中区新光真空电子仪器厂;;专业生产真空测量仪器，真空计，真空规管。真空规管型号：ZJ-27，ZJ-10，ZJ-2，ZJ-53B，ZJ-13，ZJ-53B/54D，ZJ-51，ZJ-52T
坚胜电子商行
;坚胜电子商行;;本行专营拆机三极管,126 220封装,主营各种高压管型号,13001 13002 13003 13005 13007 13009.本行仪器齐全可方便为各方厂家测试放大,耐压,心片
坚盛电子商行
;坚盛电子商行;;本行专营拆机三极管,126 220封装,主营各种高压管型号,13001 13002 13003 13005 13007 13009.本行仪器齐全可方便为各方厂家测试放大,耐压,心片
深圳市科莱特电子有限公司
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
瀚升科技有限公司
;瀚升科技有限公司;;美国CREE（科锐）为半导体与LED照明方案的著名制造商和行业领先者。CREE在LED照明产品的优势在于拥有氮化镓（GaN）和碳化硅（SIC）等独
常州市飞昱电子元件厂
) CBM444HF CBM444HF(5.5) CBM224CF ,整流二极管型号有IN4001--4007,FR101-107,等一系列产品,本着客户至上,质量第一的原则,真诚的希望与您合作.