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EPC推出新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC; 【导读】宜普电源转换公司(EPC)推出新型氮化镓集成电路EPC21701,这是一款80 V激光驱动器IC,可提供15......
的激光雷达解决方案能够更快被采纳和得以普及。 EPC首席执行官兼共同创始人Alex Lidow表示:“我们的氮化镓集成电路技术的最新进展有望改变飞行时间激光雷达系统的设计方法。在单个芯片上集成氮化镓......
新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC;宜普电源转换公司(EPC)推出新型氮化镓集成电路EPC21701,这是一款80 V激光驱动器IC,可提供15 A脉冲电流,适用......
从摩尔定律的微缩中了解到的那样,High-K介电质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势,使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。 需要强调的是,DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路氮化镓+硅驱动器)"的最大区别在于其它单芯片氮化镓集成电路......
质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势,使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。需要强调的是,DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路氮化镓+硅驱动器)"的最大区别在于其它单芯片氮化镓集成电路......
标称48 V总线转换为标称12 V配电总线(或从标称12 V总线转换)。氮化镓集成电路技术的迅猛发展推动了半桥器件和栅极驱动器的集成,EPC9151模块就是采用了单芯片解决方案(EPC2152),从而......
标称48 V总线转换为标称12 V配电总线(或从标称12 V总线转换)。氮化镓集成电路技术的迅猛发展推动了半桥器件和栅极驱动器的集成,EPC9151模块就是采用了单芯片解决方案(EPC2152),从而......
标称48 V总线转换为标称12 V配电总线(或从标称12 V总线转换)。氮化镓集成电路技术的迅猛发展推动了半桥器件和栅极驱动器的集成,EPC9151模块就是采用了单芯片解决方案(EPC2152),从而......
毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管,且性能良好。 这为实现300毫米硅基氮化镓(GaN-on-silicon)晶圆开辟一条可行的路径。 今年,Intel在硅和氮化镓集成......
集团旗下控股子公司正威金控完成向海特高新旗下控股子公司海威华芯的12.88余亿元增资,本次增资扩股完成后,正威金控持有海威华芯34.01%股权,成为海威华芯第一大股东。 据悉,海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建,是国内6英吋砷化镓集成电路......
芯片市场空间巨大。 ( b)供给端:中国尚无产值规模占比居前、技术领先的砷化镓/氮化镓集成电路设计、晶圆代工厂商, PA 尤其是中高端 3G/4G 手机射频 PA 芯片严重依赖进口。 美国......
这次Velodyne宣布其新的设计方案将可以制造出真正的固态激光雷达。新方案通过与Efficient Power Conversion的合作,开发出了一种一体式的氮化镓集成电路。这种......
,拟建设第三代半导体氮化镓研发线一条,中试线一条,中试能力达到折合6寸晶圆1000片/年。同时,创新中心拟将建设第三代半导体的公共技术研发服务平台,主要包括器件和集成电路设计平台、加工......
。 另据天眼查信息,广西飓芯科技有限责任公司成立于2020年,注册资本200万元人民币,经营范围包括半导体分立器件制造;半导体分立器件销售;集成电路芯片设计及服务;集成电路芯片及产品制造;集成电路......
项目迎来最新进展,包括百思特达半导体氮化镓项目、博康(嘉兴)半导体氮化镓项目、仙芈智造新型智能功率模组(IPM)研发生产基地项目、中国电科射频集成电路产业化项目、东科半导体超高频氮化镓......
率级设计的性能和散热要求。 Transphorm业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示:“基于氮化镓的集成电路可以简化设计,这个想法很棒,但必须“做到集成”,必须是封装内置有必需的控制器的单一集成器件。这正......
人民币),营收目标做到“数十亿”。 罗姆开发出控制氮化镓功率半导体的新技术,有望年内供应样品 近日,罗姆官方消息显示,其开发出用于GaN半导体的高速控制IC,能够减少电源封装面积86%,可把通过集成电路......
) 基于氮化镓器件的激光雷达解决方案 是什么? 飞行时间(ToF)激光雷达的应用案例 驱动设计与控制 杂散电感的影响 使用氮化镓器件的优势 3) 激光雷达专用eToF GaN集成电路(EPC21601......
公司”),注册资本为5亿元人民币,专项负责推进、实施所投资项目。 据介绍,微波射频集成电路芯片项目总投资约43亿元人民币,其中设备投资36.05亿。建成后,年产36万片6英寸砷化镓/氮化镓微波射频集成电路......
稳健性 本文引用地址:2023 年 12 月 28 日 — 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商, Inc.(Nasdaq:TGAN)与适配器USB-C PD控制器集成电路......
满足100瓦功率级设计的性能和散热要求。 Transphorm业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示:“基于氮化镓的集成电路可以简化设计,这个......
配器 ,为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)与适配器USB-C PD控制器集成电路......
中瓷电子:博威第三代半导体功率器件产业化项目建成投用;11月27日,中瓷电子在投资者互动平台表示,公司子公司博威集成电路扩建工程第三代半导体功率器件产业化项目已建成并投入使用,项目主要产品为氮化镓......
功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节,且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目,发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路,较使用硅基器件而言更高效,更轻巧且成本更低。 宜普......
功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节,且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目,发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路,较使用硅基器件而言更高效,更轻巧且成本更低。宜普......
芯片封装产能。 另据天眼查信息,合肥仙芈智造科技有限公司成立于2021年12月,注册资本为500万人民币,经营范围包括集成电路制造;集成电路芯片及产品制造;集成电路设计;集成电路芯片设计及服务;集成电路销售;集成电路......
布局第三代半导体!晶方科技旗下基金拟斥1000万美金投资以色列GaN公司;8月9日,晶方科技公告披露,旗下苏州晶方集成电路产业投资基金合伙企业(有限合伙)(以下简称“晶方产业基金”)拟出资1000......
成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路,较使用硅基器件而言更高效,更轻巧且成本更低。 宜普公司位于美国加利福尼亚州的埃尔塞贡多(El Segundo),将氮化镓......
速度,驱动二极管、VCSEL或LED,而且具有小尺寸、低能量及低成本等优势。 由于氮化镓场效应晶体管及集成电路提供大电流脉冲、超窄脉宽及小尺寸,所以可以实现不昂贵并且高性能的激光雷达系统。窄脉......
、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路,最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的......
者:John Glaser博士► 低压GaN FET在并联和瞬态工作时的实验研究行业会议 IS16.42024年2月28日星期三下午2:45演讲者:Marco Palma► eGaN 集成电路......
氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约;据西电广州第三代半导体创新中心消息显示,近日,在广东-新加坡合作理事会第十三次会议上,西安电子科技大学广州研究院与新加坡IC Carrier......
氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约;据西电广州第三代半导体创新中心消息显示,近日,在广东-新加坡合作理事会第十三次会议上,西安电子科技大学广州研究院与新加坡IC Carrier......
多家上市公司上榜!两部门印发2022年度重点产品、工艺“一条龙”名单;《通知》显示,与半导体产业相关的重点方向包括轨道交通高性能控制芯片、半导体刻蚀气、4-6英寸氮化镓微波毫米波器件以及集成电路......
Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件;该SiP系列现已增至三款器件,均使用了Transphorm的SuperGaN,为支持新一代适配器和充电器拓展了功率等级全球领先的氮化镓......
半导体供应商Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.(伟诠电子,TWSE:2436)今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓......
元投资GaN器件设计公司VisIC 2月8日,晶方科技发布公告称,已与以色列VisIC Technologies Ltd.洽谈股权合作,并由苏州晶方贰号集成电路产业基金合伙企业(有限合伙)投资......
体应用市场从主要芯片掌握在少数供应商转变为主要芯片不再掌握在少数厂商。芯片供应链重整,不同的应用需要不同的芯片,芯片的需求成多元化。 华天科技募资51亿元扩产 1月19日,华天科技发布公告,拟定增募资不超过51亿元,用于集成电路......
内闪存价格趋势预测;海威华芯超100亿投资第三代半导体;40亿半导体项目首台设备进场 近日,江苏省无锡市江阴市华士镇举行江苏尊阳集成电路封测基地首期项目落成暨首台设备进厂典礼。 尊阳集成电路......
EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容;宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推......
而言,将培育以下重点工程: 集成电路基础材料优势提升工程 扩大氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)晶圆加工能力,提升4英寸6英寸碳化硅外延、8-12英寸硅外延材料品质,加快6英寸......
华芯一直专注于第二代、第三代化合物半导体的设计和制造,是国内率先提供六英吋砷化镓集成电路(GaAs MMIC)的纯晶圆代工服务的制造企业。而正威金控由正威控股集团有限公司)以下简称“正威集团”)持股比例为90%,中金......
场预计将稳步增长。   LED和集成电路为业务核心   三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售,以氮化镓、砷化镓、碳化硅、 磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC; 【导读】深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯......
级高功率光纤激光器关键技术及产业化》等项目则获得二等奖。 其中,《高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用》项目由西安电子科技大学,华为技术有限公司,中兴通讯股份有限公司,中国电子科技集团公司第十三研究所,厦门市三安集成电路......
》”)。 《通知》显示,与半导体产业相关的重点方向包括轨道交通高性能控制芯片、半导体刻蚀气、4-6英寸氮化镓微波毫米波器件以及集成电路用溅射靶材及高纯金属提纯技术等。 其中,轨道......
电机系统可以更小、更轻,其噪音更小、扭矩更大、续航里程更长和精度更高。” 宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路......
(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流-直流转换器、激光......
广东发布重磅规划:"十四五”打造我国集成电路产业发展第三极;8月9日,广东省人民政府发布通知,《广东省制造业高质量发展“十四五”规划》(粤府〔2021〕53号,以下简称“《规划》”)正式......
Power Integrations收购Odyssey Semiconducto;深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议,收购垂直氮化镓......

相关企业

anadigics;;;ANADIGICS成立于1985年,总部位于新泽西州华伦市。主要生产高性能砷化镓集成电路,为宽带和无线通讯市场设计生产射频IC。ANADIGICS公司生产的射频IC使通
电力电子器件、特种高可靠器件、砷化镓集成电路、光电集成电路、微波混合封装集成电路、微波模块和小整机、半导体材料、半导体封装和半导体工艺设备。产业公司的产品包括:微波介质陶瓷与器件(DR)、PTC正温
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓
;安特凌科技;;集成电路集成电路集成电路集成电路集成电路集成电路集成电路
;光谱电子;;集成电路集成电路集成电路集成电路集成电路
;南京锦懋电子有限公司营业部;;南京锦懋电子有限公司(南京源初科工贸有限公司)是陶瓷电路、陶瓷基片、DCB陶瓷覆铜电路氮化铝基片、薄膜集成电路、陶瓷厚膜电路、镜面陶瓷加工、陶瓷
介电常数和介质损耗,是新一代LED照明、大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件理想的散热和封装材料。公司已通过ISO9000质量认证。
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装,材料采用氮化镓(GaN),结构为电解出型,封装形式为直插型,型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号,形状有圆头,椭圆,草帽,钢盔,方形
;智恒(厦门)微电子有限公司;;Intelligent Micro System(IMS)是一家以专用集成电路为核心技术的智能传感器公司。公司成立以来,开发了多种传感器专用集成电路,包括光电传感器专用集成电路
;智恒厦门微电子有限公司;;IMS公司从事集成电路设计、电子元器件开发、进出口批发贸易。公司成立以来,开发了多种传感器专用集成电路,包括光电传感器专用集成电路,MEMS微机电加速度传感器专用集成电路