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了从排放二氧化碳的化石燃料向“Electrify Our World”的转型。纳微估计，到2050年，氮化镓每年可减少多达26亿吨的二氧化碳排放量。   纳微的联合创始人兼首席执行官Gene Sheridan评论......
在这些领域不会消失。 下面列出GaN的几个突出优点： 1.有源相控阵(AESA)雷达和电子战(EW)系统：这些是碳化硅衬底氮化镓（或者是金刚石衬底）晶体管或者单片微波集成电路（MMIC）的关......
一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。因此，我们的氮化镓......
晶圆的实物展示引起了行业的重点关注。 凭借更好的器件良率和一致性，以更少更高的规格实现全场景需求和优势成本覆盖，兼顾高性能和低成本的方式推动氮化镓器件全面普及，以实现誉鸿锦“用氮化镓半导体改变每个人的生活”的产......
模MIMO每个基站需要更多PA单元。与LDMOS相比，3GHz频率以上更高的PAE和宽带能力对氮化镓来说是一个发展机会。到2028年，基于氮化镓的电信基础设施设备市场将占总市场的近45......
电感的影响 使用氮化镓器件的优势 3) 激光雷达专用eToF GaN集成电路(EPC21601/EPC21603)有什么优势啊？ 降低CSI(共源级电感)值到数个pH 用一个器件替代几个器件 提高......
行设备搬入仪式，进入量产准备阶段。同年11月通线试产，短短几个月时间，项目进展快速，于近日宣布开启大规模量产。 项目预计2021年实现产能可达6000片/月，全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓......
49mΩ。 接下来几个月内，意法半导体还将推出新款PowerGaN产品，即车规器件，以及更多的功率封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。 氮化镓......
这一营收目标将在未来2~3年内实现，届时将着手建设晶圆厂。 Kumar进一步解释道，该公司涉足各种技术，包括高端硅芯片以及中低端碳化硅和氮化镓芯片。因此，随着时间的推移，公司计划建立三个不同的晶圆厂，每个......
白皮书介绍了 normally-off d-mode 氮化镓平台的几个关键优势，包括： •性能更高：优越的 TCR (~25%)，更低的动态与静态导通电阻比 (~25%)，从而......
-off d-mode 氮化镓平台的几个关键优势，包括： 性能更高：优越的 TCR (~25%)，更低的动态与静态导通电阻比 (~25%)，从而降低损耗，获得......
-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上 (物理层面) 削弱了诸多氮化镓自身的性能优势。要点 白皮书介绍了 normally-off d-mode 氮化镓平台的几个关键优势，包括：1.性能更高：优越......
-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上 (物理层面) 削弱了诸多氮化镓自身的性能优势。 要点 白皮书介绍了 normally-off d-mode 氮化镓平台的几个关键优势，包括： 性能......
自身的性能优势。 要点 白皮书介绍了 normally-off d-mode 氮化镓平台的几个关键优势，包括： 1.性能更高：优越的 TCR (~25%)，更低的动态与静态导通电阻比 (~25%)，从而降低损耗，获得......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定;今年3月，一场收购案迅速登上氮化镓（GaN）领域头条，因为主角是多年蝉联全球功率半导体市场占有率第一的英飞凌。几个月过去，这场......
Transphorm获得National Security Technology Accelerator价值1500万美元的合同;ECLIPSE项目旨在建立先进氮化镓外延片材料的生产和供应机制；标志......
到效率以及材料尺寸和重量优势，每个出货的纳微氮化镓功率芯片相比硅可以节省大约 4 公斤的二氧化碳。总体而言，到 2050 年GaN 有望解决每年 2.6 Gton 的二氧化碳排放量减少问题。 关于纳微半导体 纳微......
氮化镓器件让您实现具成本效益的电动自行车、无人机和机器人;基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统，其续航里程更长、精度更高、扭矩更大，而且......
人和暖通空调系统）在研客户项目翻番增长。 移动消费电子领域 尽管全球消费者市场疲软，但在中国和韩国，小米、OPPO、三星等十几个主流型号的增长显著，纳微基于氮化镓......
氮化镓取代碳化硅？PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样;“为氮化镓技术树立新标杆（New Benchmark）”，一向保守的Power Integrations（PI）罕见......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定;今年3月，一场收购案迅速登上（GaN）领域头条，因为主角是多年蝉联全球功率半导体市场占有率第一的。几个月过去，这场收购案迎来了结局。本文......
氮化镓器件让您实现具成本效益的电动自行车、无人机和机器人; 宜普电源转换公司(EPC) 宣布推出 EPC9193，它是使用 EPC2619 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器，具有......
Efficient Energy Technology(EET)的SolMate® 选用EPC氮化镓器件，使效率倍增和延长了产品使用寿命; Efficient Energy Technology......
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氮化镓器件让您实现具成本效益的电动自行车、无人机和机器人;基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统，其续航里程更长、精度更高、扭矩更大，而且......
功率半导体双生子：氮化镓与碳化硅相爱相杀，谁能独大？; 【导读】根据韩国媒体 BusinessKorea 报导，三星电子即将进军氮化镓 （GaN）市场，目的......
德州仪器进军中压氮化镓，进一步替代传统硅基市场;近日，德州仪器推出了全新的100V氮化镓——LMG2100和LMG3100系列产品，补充了公司在100V左右中压市场的空白。借助新一代氮化镓，以及......
孜孜不倦地大力发展雷达技术，现在虽不能说遥遥领先，但也是拥有了世界一流的雷达技术，加之“白菜价”的氮化镓原材料，就不难理解为什么如今有源相控阵雷达已经在我国遍地开花了。 虽然......
件受到全面保护，并在5 mm x 5 mm尺寸的微型封装中，提供OCP、UVLO、OVP、OTP、每个周期电流限制和PGOOD。 ●   EPC2204是一款100 V的氮化镓......
尺寸的微型封装中，提供OCP、UVLO、OVP、OTP、每个周期电流限制和PGOOD。 ●   EPC2204是一款100 V的氮化镓场效应晶体管，具有6 mOhm 最大导通电阻、5.7 nC QG......
半导体产品的全球领先企业Transphorm发布了《Normally-off D-mode 氮化镓晶体管的根本优势》的最新白皮书。其中，介绍了normally-off D-mode GaN平台的几个关键优势，包括......
禁带可用于制造大功率的紫外光源。 在超宽禁带半导体中，氮化铝镓（氮化铝和氮化镓的合金材料）、氧化镓、金刚石是较有代表性的几个方向。 与氧化镓、金刚石等禁带宽度相对固定的材料不同，氮化......
Transphorm发布两款应用于两轮和三轮电动车电池充电器的参考设计; 【导读】2023 年 12月 21 日－全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc......
于硅的解决方案转向使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 材料的功率半导体技术，从而在创新方面迈出下一步。他们寻求用于电动汽车 (EV) 的功率密度更高、效率更高的电路。 碳化硅和氮化镓......
900V蓝宝石基氮化镓晶圆的实物展示引起了行业的重点关注。凭借更好的器件良率和一致性，以更少更高的规格实现全场景需求和优势成本覆盖，兼顾高性能和低成本的方式推动氮化镓器件全面普及，以实现誉鸿锦“用氮化镓半导体改变每个......
晶圆的实物展示引起了行业的重点关注。凭借更好的器件良率和一致性，以更少更高的规格实现全场景需求和优势成本覆盖，兼顾高性能和低成本的方式推动氮化镓器件全面普及，以实现誉鸿锦“用氮化镓半导体改变每个人的生活”的产......
意法半导体宣布量产氮化镓器件PowerGaN;8月3日，意法半导体官微宣布，公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）器件。 据介......
Transphorm发布两款应用于两轮和三轮电动车电池充电器的参考设计;新设计工具有助于加速两轮电动车市场的产品设计，并帮助系统工程师充分利用SuperGaN FET的优势全球领先的氮化镓（GaN......
上的芯片生产在技术上更先进，效率更高，因为更大的晶圆直径每个晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。 目前基于氮化镓的功率半导体在工业、汽车和消费、计算......
半导体技术的提升，除了进一步榨取在制造工艺上最后一点“剩余价值”外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入......
实验内部可能达到8eV，而且这还不是它的边界。也就是说，在禁带宽度方面，氮化镓与氧化镓的距离有好几个马拉松。2017年时，美国空军研究实验室还展示了1千兆赫时，脉冲射频功率输出密度超过每毫米500毫瓦的情况，最大......
钛金规范。 移动消费电子领域，尽管全球消费者市场疲软，但在中国和韩国，小米、OPPO、三星等十几个主流型号的增长显著，纳微基于氮化镓的充电器已经在系统成本上和硅基充电器实现持平。 在研......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南 氮化镓......
将近二位数的年复合成长率(GAGR)迅速成长；同时，氮化镓(GaN)将逐渐取代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，成为市场主流技术。 拜电信基站升级、小型基地台逐渐普及所赐，RF功率......
凌科技股份有限公司 高压（HV）氮化镓（GaN）晶体管的快速开关能力给 PCB 的布......
全新MASTERGAN1，让GaN晶体管更具说服力和直观性;前不久意法半导体发布了全新MASTERGAN1产品，它同时集成了半桥驱动器和两个增强模式氮化镓（GaN）晶体管， 类似的竞争产品仅仅只包含单个氮化镓......
设计人员打破性能界限，了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。一份普通MOSFET数据手册中有超过100个参数，但在每个项目中，通常只有几个参数是重要的。  然而，随着应用的改变，重要参数也会发生变化。在......
纳斯达克上市之后，纳微半导体有哪些重点布局？;2021年10月20日，纳微半导体（Navitas Semiconductor）在纳斯达克上市，股票代码NVTS。作为全球首家以氮化镓功率芯片（GaN......
GaN材料成本直降90%，“挤掉”SiC提上日程？;作为宽禁带半导体家族中的一员，氮化镓(GaN)功率器件近两年获得了比之前更高的关注度，正逐渐成为第三代半导体材料中最耀眼的一颗新星。 根据Yole......
Transphorm发布两款应用于两轮和三轮电动车电池充电器的参考设计;2023 年 12月 21 日－全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 , Inc.（纳斯达克股票代码TGAN）宣布......

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兆龙； 【氮化镓】： 英诺赛科、GaN systems； 【单片机】： GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。
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度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过
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;江苏苏州谷邦（等离子氮化）表面技术有限公司;;谷邦公司拥有多台国内最先进的金属表面离子渗氮设备-真空＊辉光＊脉冲-等离子氮化炉（可承载直径2000mm氮化工件），炉内气压、气体气氛、温度