资讯
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。
北京通美：规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产
招股说明书显示，北京通美此次拟募集资金11.67亿元，扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓半导体材料......
上海、山西、辽宁、湖南...国内再添一批第三代半导体项目(2021-08-12)
上海、山西、辽宁、湖南...国内再添一批第三代半导体项目;当前，随着新能源汽车、5G基站等行业的兴起，以碳化硅和氮化镓为主的第三代半导体材料成为了半导体产业新的发展趋势，国内各地的第三代半导体......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动;随着第三代半导体锋芒毕露，第二代半导体材料砷化镓隐隐暗淡，但凭借耐热、抗辐射、发光效率等优良特性在微电子与光电领域被寄予厚望。近期，市场传来新动态：英国......
第三代半导体项目遍地开花(2024-03-04)
第三代半导体项目遍地开花;近日，多个项目迎来最新进展。其中，重投天科项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。本文引用地址：总投资32.7亿元，重投天科项目在深圳宝安启用
据滨......
第三代半导体项目遍地开花(2024-03-04)
第三代半导体项目遍地开花;近日，多个第三代半导体项目迎来最新进展。其中，重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。
总投资32.7亿元，重投天科第三代半导体......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
单晶制备较难实现，我国大尺寸氧化镓半导体材料的产出仅限于高校或者实验室，距离真正规模化、商业化量产还需要一定时间。
在资本青睐、科研人员重视下，氧化镓正逐渐成为半导体......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工(2024-02-29)
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。
据悉，菏泽市牡丹区砷化镓半导体......
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破(2024-06-06)
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破;据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
科技关联方供应有保障
资料显示，鑫耀半导体成立于2013年，是云南锗业旗下控股子公司，主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片（衬底）、磷化铟晶片（衬底）的研发和生产，产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器（VCSEL......
总投资60亿元的先进化合物半导体项目落户江苏宜兴(2022-03-16)
及元器件项目总投资60亿元。
项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
60亿元德融科技先进化合物半导体材料及元器件项目落户宜兴(2022-03-15)
正式落户宜兴经济技术开发区。
据悉，该项目总投资60亿元，项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
晶圆衬底技术突破，并且将进行多次重复性实验，从很大程度上解决了氧化镓晶体生长的相关技术难题。”北京铭镓半导体有限公司成立于2020年，专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓单晶、外延......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
众所周知，第一代半导体材料代表是硅，主要解决数据运算、存储的问题；第二代半导体材料以砷化镓为代表，它被应用到于光纤通讯，主要解决数据传输的问题；而第三代半导体......
除了功率和射频，化合物半导体还有哪些发展契机？(2021-03-29)
领域“半导体照明”和“第三代半导体材料”重点专项。目前国内已形成完整的LED产业链，LED产能稳居世界前列。
LED衬底主要包括蓝宝石衬底(Al2O3)和砷化镓衬底(GaAs)，蓝宝......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
及其功率器件产业化的高新企业，专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓的高质量单晶与外延衬底、高灵敏度日盲紫外探测器件和高频大功率器件等产业化高新技术的研发。
目前，铭镓半导体已实现量产2英寸氧化镓衬底材料，突破4英寸......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。
北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓方面的研发进展也频传捷报。
北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展;立方砷化硼是一种媲美金刚石的超高热导率半导体，自2018年以来受到广泛关注，更被称为可能是最好的半导体材料，但一直不确定是否商用化。直到最近，麻省......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
是目前在投融资市场较为活跃的四家公司——
北京镓族科技是国内入局比较早的一家公司，注册成立于2017年年底，是国内首家、国际第二家专业从事氧化镓半导体材料开发及应用产业化的高科技公司，是北......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
说不具备大尺寸主面（001）晶相氧化镓晶体的生长工艺，氧化镓市场应用端推动过程将极为困难。
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氧化镓是“何方神圣”？
氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶为基础材料......
华为再次投资半导体企业，这次瞄准它(2020-12-11)
华为再次投资半导体企业，这次瞄准它;华为将又一次出手投资半导体企业，这次瞄准的是一家砷化镓及磷化铟衬底生产商。
12月10日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司（以下简称“云南锗业”）公告披露，公司董事会同意控股子公司云南鑫耀半导体材料......
激励核心技术团队 立昂微1元转让立昂东芯9%股权(2021-02-09)
芯片，以及车载雷达、卫星通讯等方面。
据公告披露，立昂东芯拥有自主知识产权的砷化镓半导体集成电路全套工艺制程技术所生产的产品已经通过多家客户认证，为下游两个以上客户批量化采购应用，达到......
华人科学家发现立方砷化硼，或是迄今“最佳”半导体材料(2022-07-25)
华人科学家发现立方砷化硼，或是迄今“最佳”半导体材料;日前，来自美国麻省理工学院、休斯顿大学和其它机构的科研团队，发现了迄今为止最佳半导体材料。该材料名为立方砷化硼，它既......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~;
据业内消息，本周西安一高校半导体研究团队宣布在半导体材料研究上取得突破!
该研究成功在 8 英寸硅片中制备出高质量的氧化镓......
总投资超100亿，多个化合物半导体项目签约浙江台州(2021-07-29)
端制造业和顶尖人才领衔项目签约，总投资额达227亿元，其中包括锗硅、砷化镓第三代半导体和化合物半导体衬底片制造两个半导体项目，两大项目合计投资达105亿元。
锗硅、砷化镓第三代半导体项目
项目......
抢占竞争制高点？国内氧化镓功率器件研发取得重要进展(2022-08-31)
器件的最高值。
氧化镓（β-Ga2O3）是超宽禁带半导体的典型代表，禁带宽度高达（~4.8 eV），临界击穿场强高达（~8 MV/cm），是研制高耐压、大功率和高效节能半导体器件的理想半导体材料......
苏州半导体激光创新研究院、中科院苏州纳米所“氮化镓激光器联合实验室”揭牌成立(2022-11-30)
州长光华芯正式揭牌成立。
消息称，氮化镓激光器联合实验室依托研究院与纳米所双方各自在光电器件、半导体材料、微纳加工等领域具备较强的竞争优势，以氮化镓激光器的前沿物理基础和技术研究为牵引，合作......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
晶圆的日本公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料......
又一家氮化镓企业被合并，10年内营收提升至15亿(2022-08-10)
一步加快管理资源的集中和灵活投资以及全球生产和开发等工作。
2015年住友化学在收购日立金属的半导体材料业务后成立了Sciox。以GaN（氮化镓）和GaAs（砷化镓）为中心开展化合物半导体业务，为电子和光学设备提供客户所需的高品质衬底和外延片。
住友......
电子新材料产业园项目封顶，将新建20余条第三代半导体材料应用等生产线(2023-08-15)
产业园项目是市、区重点项目，总占地面积88亩，计划建设10万平方米生产厂房及技术研发大楼等辅助设施，新建20余条第三代半导体材料应用、封装测试等生产线。主要生产半导体氮化镓、碳化硅、砷化镓......
自力更生！韩国研发出替代氮化镓的新材料(2020-03-09)
产品和高频设备的核心设备。
公开资料显示，氮化镓是第三代半导体材料的代表之一，具备易散热，体积小，损耗小，功率大等诸多优点，被业内寄予厚望。可被应用于光电、功率和射频等多个领域，同时能满足高功率密度、低能耗、高频......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料，半导体器件的工作范围和适用场景不断拓展，为信息社会的发展提供有力支撑。
半导体代表性材料......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗(2024-04-10)
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗;我们都知道，半导体材料对5G、人工智能、物联网等新兴电子信息产业有着举足轻重的作用。其中，有一种叫的半导体材料，以它制成的，还有着更强大和广阔的应用。本文......
最新回应！事关“芯片新粮食”出口管制(2023-07-04)
在第二次世界大战期间就被认为是一种战略性和关键金属，目前镓的世界总储量约23万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的80%-85%。其中：
被列入出口管制中的砷化镓作为第二代半导体材料的代表，在高频、高速......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！;氧化镓凭借其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料，近年来热度不断上涨，频频传出各类利好消息。
9月12日，据杭......
山西新政：走出一条具有山西特色的半导体及集成电路产业发展之路(2021-06-22)
光电产业园、晋城光机电产业园等半导体产业集聚区，培育了一批骨干企业，在砷化镓、碳化硅等化合物半导体材料，碳化硅单晶生长炉等半导体装备，短波红外探测器、深紫外LED、LED照明及显示模组等半导体......
功率半导体，未来怎么卷(2023-09-06)
以锗和硅为代表；第二代以20世纪80年代和90年代相继产业化的砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表；第三代以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表；第四代则是在2005年以后逐渐被重视的4eV以上的超宽禁带半导体材料......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技(2022-08-11)
国际一流品牌。氮矽科技主要研发基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的芯片，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供，并通过国内首款独立研发与制作的GaN Power......
存储器产业最新营收出炉；两会热议半导体等领域；全球或添一座12英寸硅晶圆厂(2024-03-11)
项目迎来最新进展。其中，重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。
据滨海宝安消息，2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用，其由深圳市重投天科半导体......
铭镓半导体预计2023年底完成扩产计划，将建成氧化镓完整产业线(2022-08-04)
产业集约、集聚、集群发展。
据介绍，铭镓半导体成立于2020年，是专业从事超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化的高科技公司。腾退的989平方米的厂房将用于扩大氧化镓加工线及洁净室。预计扩大后2英寸氧化镓......
Coherent拟扩建全球首个6英寸磷化铟生产线(2024-12-13)
-V族化合物半导体射频微电子和光电子器件，生产用于战斗机等军事技术的砷化镓半导体。
Coherent首席执行官Jim Anderson表示：“剥离Newton Aycliffe工厂......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料开始崭露头脚。GaAs、InP等材料适用于制作高速、高频......
解读射频前端，5G的必争之地(2016-12-26)
化合物半导体射频性能优异。 硅单晶材料是制作普通集成电路芯片的主要原料，但受限于材料特性，很难适用于高频/高压/大电流芯片应用。化合物半导体材料因其优良的器件特性广泛适用于射频器件。常见的化合物半导体包括三五族化合物半导体和四族化合物半导体......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
资料显示，成立于2022年9月，目前坐落于杭州市萧山区机器人小镇，是一家专注于宽禁带半导体材料（氧化镓等第四代半导体）研发、生产和销售的科技型企业。
镓仁半导体产品包括不同尺寸、晶向和电阻率的氧化镓......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
杂的块状单晶。
具体而言，氧化镓是一种多变的半导体材料，它有六种不同的晶相，其中最稳定的是β相。β相氧化镓可以通过熔融法生长出大尺寸的单晶衬底，这对......
基站还能“扫盲”？不过这个“盲”指的是“信号盲区”(2023-01-17)
手机出货量数千万不可同日而语，因此它的库存芯片仍能维持着自家基站业务的运作。
另一部分芯片如电源管理芯片则是自主研发，替代了美国Analog
Devices等企业的芯片，这些模拟芯片颇为先进，采用了第三代半导体材料砷化镓......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争;然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料——氧化镓（Ga2O3），并将其视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
传统的Si等半导体材料逐步接近物理极限，氧化镓作为新一代功率半导体材料，其禁带宽带大、击穿场强高，有望在未来功率器件领域发挥重要的作用。
另外，氧化镓半导体材料能够采用熔体法生长，未来......
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底(2024-09-13)
显示，镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术，突破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底材料......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
电力电子器件、特种高可靠器件、砷化镓集成电路、光电集成电路、微波混合封装集成电路、微波模块和小整机、半导体材料、半导体封装和半导体工艺设备。产业公司的产品包括：微波介质陶瓷与器件（DR）、PTC正温
;天津市环欧半导体材料有限公司;;天津市环欧半导体材料技术有限公司是从事半导体材料硅单晶、硅片的生产企业。拥有40余年的生产历史和专业经验，形成了以直拉硅单晶、区熔硅单晶、直拉硅片、区熔
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;浙江博杰电子;;浙江博杰电子有限公司是专业从事磁敏、光电、新型元器件研究、开发、生产和销售的高新技术企业。 浙江博杰电子有限公司是由浙江建杰控股集团有限公司和中科院半导体研究所共同组建。公司以中科院半导体
;峨眉半导体材料研究所;;
;有研半导体材料股份有限公司;;成立于1999年3月12日，是北京有色金属研究总院独家发起，以募集方式设立的股份有限公司。公司前身是半导体材料国家工程研究中心。公司于 1999年3月19日在
;城大科技有限公司;;主营半导体材料、开发工具、烧录工具
期主要从事外延片生产及芯片封装，装配外延片生产线（MOCVD）20条，芯片生产线12条，芯片封装生产线14条，共投资7亿元；第三期是在第一期和第二期的基础上，根据企业发展的需要，生产半导体照明材料，装配砷化镓、氮化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓