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35亿元,山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示,2月26日,吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。 据悉,菏泽市牡丹区砷化镓半导体......
麻省理工学院、美国加州理工学院、北京大学、中国科学技术大学、上海交通大学、厦门大学等境内外知名研究所及高校向公司采购半导体材料产品用于教学及学术研究。 北京通美表示,此次募投项目砷化镓半导体材料项目将使公司......
集成电路(GaAs MMIC)的纯晶圆代工(Foundry)服务制造商之一,已建成国内第—条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线,目前已达到砷化镓2000片/月,氮化镓600片/月的......
第三代半导体项目遍地开花;近日,多个项目迎来最新进展。其中,重投天科项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。本文引用地址:总投资32.7亿元,重投天科项目在深圳宝安启用 据滨......
义运营,但将更名为Octric Semiconductors UK,管理内容大致相同。实施治理的工作已经开始,以确保适当的财务监督,这将是政府的一个新因素。英国国防大臣约翰·希利表示,这项战略投资将确保该工厂在未来能够生产砷化镓半导体以及更强大的半导体......
第三代半导体项目遍地开花;近日,多个第三代半导体项目迎来最新进展。其中,重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。 总投资32.7亿元,重投天科第三代半导体......
资已超过25亿,是国内首家提供6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路晶圆制造的芯片制造企业,已完成包括砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)及磷化铟(InP)在内的6大类......
方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单晶衬底生长技术的产业化公司......
项目迎来最新进展。其中,重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。 据滨海宝安消息,2月27日,第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用,其由深圳市重投天科半导体有限公司......
)。 砷化镓/氮化镓化合物半导体芯片制造流程示意图 化合物半导体射频器件产业存在整合元件制造商( IDM)和( 无晶圆设计公司+晶圆代工厂)两种商业模式。 传统的国际设计厂商都采用 IDM 形式......
芯片,以及车载雷达、卫星通讯等方面。 据公告披露,立昂东芯拥有自主知识产权的砷化镓半导体集成电路全套工艺制程技术所生产的产品已经通过多家客户认证,为下游两个以上客户批量化采购应用,达到......
国内首批!铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日,从顺义科创集团获悉,入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司......
镓半导体预计2023年底完成扩产计划,将建成氧化镓完整产业线;据北京顺义消息, 8月1日,顺义科创集团与北京铭镓半导体有限公司(以下简称“铭镓半导体”)签订承租合同,将腾退的989平方米老厂房变身为氧化镓......
着Transphorm在技术开发方面再次获得政府合同 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是一家全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体公司,在核心技术和产量上均领先业界。公司......
百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工,进入试生产阶段;据盘锦高新技术产业开发区消息,目前,辽宁百思特达半导体科技有限公司(以下简称“百思特达”)的氮化镓半导体芯片项目已经进入产品试生产阶段。 消息......
这家企业突破一专业领域芯片研制及试产;据南光谷消息,9月28日,位于大桥智能制造产业园的武汉鑫威源电子科技有限公司(以下简称“鑫威源”)在高性能氮化镓半导体激光器芯片方面取得重大技术突破,同时氮化镓半导体......
18亿元!三安光电成立半导体公司;据天眼查信息,近日,重庆三安半导体有限责任公司(以下简称“重庆三安半导体”)成立,注册资本18亿元,经营范围包含半导体器件专用设备制造;电子专用材料制造;电子......
镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破;据北京顺义消息,北京铭镓半导体有限公司(以下简称“铭镓半导体”)在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破,已领......
损耗和冷却需求的减少意味着能耗的降低。功率半导体公司英飞凌正在投资氮化镓技术,并于去年年底完成了对氮化镓系统公司的收购。英飞凌认为,如果运营商将硅电源转换为基于氮化镓的电源装置,数据......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成,将增加10条氮化镓外延生产线;据盘锦日报报道,5月9日,盘锦高新技术产业开发区的氮化镓半导体芯片项目现场,工程施工人员正在接通水电气,辽宁百思特达半导体科技有限公司......
了一份股份认购协议,并成为氮化镓公司新一轮融资的战略投资者。氮化镓公司募集到的融资,将用于加速氮化镓技术在汽车、消费者、工业和企业市场的开发和应用。 资料显示,氮化镓公司是一家领先的功率半导体公司,从事第三代半导体氮化镓......
华为再次投资半导体企业,这次瞄准它;华为将又一次出手投资半导体企业,这次瞄准的是一家砷化镓及磷化铟衬底生产商。 12月10日,云南临沧鑫圆锗业股份有限公司(以下简称“云南锗业”)公告披露,公司董事会同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司......
知名氮化镓半导体公司BelGaN宣告破产!上百名员工面临失业; 8月27日消息,欧洲知名氮化镓(GaN)代工厂BelGaN近日宣布已申请破产,440名员工面临失业。 BelGaN位于......
(激光雷达芯片)等,光通信芯片也是公司的一个品类,公司近期会发布该领域新产品。 今年8月,长光华芯与苏州高新区建立苏州半导体激光创新研究院,该研究院拥有3英寸磷化铟和6英寸砷化镓......
于2021年5月,专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料。 稍早之前,镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。该公司是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体......
材料。 稍早之前,镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。该公司是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产......
续加大研发投入,确保产品市场竞争优势,同时推崇合作共赢,助力全球氮化镓产业繁荣发展。 (来源:) 作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司,目前英诺赛科已经发展成为全球功率半导体革命的领导者,亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司......
现金流短缺,半导体生产商BelGaN申请破产;据布鲁塞尔时报(The Brussels Times)报道,主要生产硅和氮化镓半导体芯片的BelGaN公司申请了破产保护。 BelGaN团队......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破!;近期,北京铭镓半导体有限公司(以下简称:铭镓半导体)使用导模法成功制备了高质量4英寸(001)主面氧化镓(β-Ga2O3)单晶,完成了4英寸氧化镓......
资额近18亿元。其中,包括国联万众二期、晶格领域二期、特思迪半导体二期、铭镓半导体扩产项目等6个产业项目。 资料显示,国联万众成立于2015年,由中国电子科技集团公司第十三研究所控股,主营业务为第三代半导体氮化镓......
Technix成立一家合资企业,开发碳化硅和氮化镓半导体,该计划正在等待母公司SK公司批准。资料显示,SK Siltron是韩国唯一一家半导体硅晶圆制造商,目前,其在韩国、美国生产SiC晶圆,也在开发GaN晶圆......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线投产;据北部之窗消息,3月22日,飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线举行投产仪式。这意味着国内首条氮化镓半导体......
亚太地区销售。Kenny和他带领的亚洲团队为Transphorm在电源适配器、数据中心、算力电源和可再生能源等领域开发了大量客户。Kenny此前曾在全球半导体公司科锐(现为Wolfspeed)和国际整流器公司(被英......
化镓激光芯片终于实现国产,氮化镓正在向快充以外的市场进军; 【导读】8月26日,安徽格恩半导体有限公司氮化镓激光芯片产品发布会圆满举行。本次格恩半导体共发布了十多款令人期待的氮化镓......
拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机;据珠海高新区消息,8月3日上午,格创·华芯半导体园区落成暨设备进机仪式举行。 格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元,是格力集团为华芯半导体......
科技关联方供应有保障 资料显示,鑫耀半导体成立于2013年,是云南锗业旗下控股子公司,主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片(衬底)、磷化铟晶片(衬底)的研发和生产,产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL......
技术官兼联合创始人Umesh Mishra表示: “我们是领先的功率半导体公司,展示并兑现了GaN的承诺。Transphorm的专业知识为市场带来性能卓越的氮化镓器件,这些器件时时刻刻在功率密度、性能......
防、航天和高技术研究具有重要意义。 1.半导体照明(LED) LED行业属于技术推动的成长行业,核心技术为氮化镓(GaN)/砷化镓(GaAs)/碳化硅(SiC)等化合物半导体的MOCVD外延......
端制造业和顶尖人才领衔项目签约,总投资额达227亿元,其中包括锗硅、砷化镓第三代半导体和化合物半导体衬底片制造两个半导体项目,两大项目合计投资达105亿元。 锗硅、砷化镓第三代半导体项目 项目由广州东方南粤基金管理有限公司与中国二冶集团有限公司......
多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创......
材料及元器件项目总投资60亿元。 项目建成后,将应用以砷化镓为主,包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料,开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器,以及......
或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技;  氮化镓(GaN)属于第三代半导体,又被称为宽禁带半导体,和第一代的硅(Si)以及第二代的砷化镓(GaAs)等前辈相比,其在......
光探测器、太赫兹器件、量子运算器件、高性能功率器件和高频器件等,努力打造世界一流的化合物半导体研发制造综合体。 消息显示,截至目前,德融科技已在宜兴建设总投资20亿元的柔性薄膜砷化镓太阳电池项目。江苏宜兴德融科技有限公司......
式天线系统和一些微波链路:砷化镓MMIC在这些市场的优势是射频功率低,TriQuint 半导体T2G4005528-FS(图1)是GaN竞争的典型代表,这种碳化硅衬底的氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)工作......
知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司......
管解决方案。这些功率器件符合AEC-Q101标准,可承受175°C的高温,并已批量生产。 Transphorm首席技术官兼联合创始人Umesh Mishra表示: “我们是领先的功率半导体公司......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产; “我宣布,飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产。”3月22日,市长张壮在广西飓芯科技投产仪式上宣布。这意味着,国内首条氮化镓半导体......
相位式激光测距;双异质砷化镓半导体激光器,可用于红外测距;红宝石、钕玻璃等固体激光器,则可用于脉冲式激光测距。 激光测距仪由于激光的单色性好、方向性强等特点,加上电子线路半导体化集成化,与光电测距仪相比,不仅......

相关企业

;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始,在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓(GaAs
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
;浙江博杰电子;;浙江博杰电子有限公司是专业从事磁敏、光电、新型元器件研究、开发、生产和销售的高新技术企业。 浙江博杰电子有限公司是由浙江建杰控股集团有限公司和中科院半导体研究所共同组建。公司以中科院半导体
上硅晶体管(EGAN®)。这些产品的应用,包括服务器,笔记本电脑,笔记本电脑,手机,基站,平板显示器和D类放大器具有更大的比最好的硅功率MOSFET器件性能多次。成立于2007年11月,EPC是一个在台湾的分包制造的无晶圆厂半导体公司
电力电子器件、特种高可靠器件、砷化镓集成电路、光电集成电路、微波混合封装集成电路、微波模块和小整机、半导体材料、半导体封装和半导体工艺设备。产业公司的产品包括:微波介质陶瓷与器件(DR)、PTC正温
期主要从事外延片生产及芯片封装,装配外延片生产线(MOCVD)20条,芯片生产线12条,芯片封装生产线14条,共投资7亿元;第三期是在第一期和第二期的基础上,根据企业发展的需要,生产半导体照明材料,装配砷化镓、氮化镓
;浙江华泰半导体公司;;
;赛普拉斯半导体公司;;
务范围包括:磁敏、光电、新型元器件、传感器的研发和销售。 公司引进了国际先进的半导体技术,匹配全套芯片和后道封装生产设备,以完善的配套设施和优良的生产环境,致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓
;比亚迪电子公司;;半导体公司