资讯
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管防反接电路......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
。
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N沟道增强型场效应管防接反电路......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式，采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动，使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电路......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
以实现不同VDD（芯片工作电压）的MCU之间进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放，适合那些倾心于电子管音色，因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似，频率特性好，音色......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
脚”指令时，锁存器的输出状态Q=1（Q端为0），而使下方场效应管截止，引脚的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构
1个数据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
器的输出状态Q=1（Q端为0），而使下方场效应管截止，引脚的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构
1个数据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
1个场效应管......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
器的输出状态Q=1（Q端为0），而使下方场效应管截止，引脚的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构
1个数据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
1个场效应管......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
的状态经下方的三态缓冲器BUF2进入内部总线。
P1口位电路结构1个数据输出锁存器。2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。1个场效应管（FET）和1个片内上拉电阻组成。
P1口工作原理——只用......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
为射极输出器）和以基极为公共端的共基放大电路。它们的组成原则和分析方法相同，这里不再赘述。
2、场效应管放大电路
场效应管通过栅-源之......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中，主要考虑以下几点：
功能：电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
中，已经广泛的采用场效应管。
6、在开关电源电路中，大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点
1.输入阻抗高，驱动功率小
由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
~ P3：内置上拉电阻的双向I/O口，各端口缓冲器可接收、输出4个TTL门电路。
P0 ~ P3做输入端时必须将P0 ~ P3口先置1。使内部场效应管截止，从而不影响输入电平。
P0 ~ P3均可......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
V2截止，通过P0口的外接上拉电阻，可使P0口输出高电平1。
2. P1
2.1 构成
1个输出锁存器
2个三态输入缓冲器
输出驱动电路
2.2 做输入端口
此时Q=0，非Q=1，场效应管......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻
大
，热稳定性
好......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要： 在场效应管关断后让LED的负极电压升高，使得LED关闭。当场效应管导通时，LED的负极电压被拉低，使得LED发光。PWM调节方式使得驱动电路......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
功率部分的地和测控部分的地隔离分开，两个地通过0欧姆电阻点连接，可以减少因压降或噪声导致的测量噪声干扰。
负载晶体管与电流检测
该部分电路负责硬件恒定电流控制，利用运算放大器LM358的负反馈控制场效应管......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1，让Q=1，场效应管截止，P2口输......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用，不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻，与场效应管共同组成输出驱动电路。因此，P1口作为输出时，不需要再外接上拉电阻，而当P1口作为输入口使用时，仍然需要先向锁存器写“1......
电工应学字母含义、符号，接线图(2024-10-12 00:23:50)
电流以及电线的载流量来选择合适的电线。
通常可以参考电线载流量表来选择电线规格。
8、电子元器件功能作用-电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海，2023年11月16日......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管;一、电压的测量1、直流电压的测量，如电池、随身听电源等。首先将黑表笔插进“com”孔，红表笔插进“V Ω ”。把旋......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;
中国上海，2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
以单片机C8051F020为核心通用性强的多台电机控制平台设计(2024-01-11)
单片机输出信号均经光耦隔离。单片机输出信号为3. 3 V TTL电平，这对电机来说驱动力不够，因此采用场效应管经功率放大电路后，用来驱动电机。本系统步进电动机的驱动采用了单电压驱动方式，这种驱动电路......
电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
器为三相桥式变换器，所述三相桥式变换器的交流端用以连接电网或驱动电机，所述三相桥式变换器的直流端并联有母线电容。所述SiC开关管为SiC功率场效应管。所述过流保护单元包括：串联......
软启动和变频启动的区别(2023-09-05)
是又6个场效应管组成的电路，在控制电路精准的控制之下，使六个场效应管轮流导通，在单位时间内，管子导通的次数越多，那么输出的电压和频率就越高，因此这个主电路是数字控制电路......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器，将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合，获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms，1 kHz......
基于C8051F的镍氢电池管理系统设计参考(2024-01-18)
管5551关断，高边NPN三极管5551被上拉电阻拉高，三极管导通，场效应管门级变为高电平，场效应管导通;在每一个PWM周期中，重复以上过程。
2）实时电压检测电路
针对煤矿产品的特点，镍氢......
直流无刷直流电机结构及数学模型简析(2024-08-12)
序进行通电换相。若让电机反转，则可以按倒过来的次序通电。如图11所示，为无刷直流电机逆变电路。
图11中，Q1到Q6均为功率场效应管。打开Q1与Q4并使得其他场效应管为截止态，此时电流流过POWER......
REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用(2024-04-22)
升压电路(防反接)+控制电路（推挽式）
在DC-DC升压电路中，选用MOSFET作为开关器件，场效应管所需承受的最大电压约为20-30V左右，选型时MOS管的最大耐受电压应留有余量一般会选择40V以上......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
它的输入电阻(Ω)很大。
（2）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（3）由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
2.工作原理
场效应管的开关电路和三极管的开关电路......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？;
SMT分立器件包括各种分立半导体器件，有二极管、晶体管、场效应管，也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
典型......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
示波器电流探头测量直流电流大小正确的使用方式(2023-07-21)
较差。
二是只把霍尔元件当作检测磁场有无的工具，这样就摆脱了霍尔元件输出精度对测量精度的影响（严格点：offset偏移误差消除不了，只能定期做0点校准），
注意运放驱动的是图腾柱扩流电路，扩流电路......
驱动氮化镓（GaN）场效应管和逻辑电平 MOSFET。器件可应用于激光雷达、飞行时间、面部识别和使用低侧驱动器的电源转换器等领域。SGM48521 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许依据场效应管......
伺服系统构成及其工作原理(2024-06-03)
%以上。IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，用于......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
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;深圳市汇聚电子有限公司;;本公司经营范围:集成电路IC,光藕,霍尔元件,场效应管,可控硅
;结型场效应管 浙江时代电子市场铮锋电子商行;;经销集成电路、单片机、二三极管、LED发光管、场效应管、IGBT、铝电解电容、CBB电容、CL电容、低高压瓷片电容、电阻等阻容器件。（78L系列
;深圳创科电子;;代理全系列贴片（SMD）、直插（DIP）、二、三极管、场效应管、可控硅、肖特基、LDO降压IC、稳压电路、光藕、IC集成电路等系列产品