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科技关联方供应有保障 资料显示,鑫耀半导体成立于2013年,是云南锗业旗下控股子公司,主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片(衬底)、磷化铟晶片(衬底)的研发和生产,产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL......
万片4英寸砷化镓晶片和年产100万片6英寸砷化镓晶片的生产线,达产后预计可实现年销售收入8亿元。 值得一提的是,近两个月来,多个化合物半导体项目签约落户椒江。除了最新签约的这几个项目之外,今年6月......
圆代工龙头稳懋就是最大的受益者。 稳懋:全球最大的砷化镓晶圆代工龙头 稳懋成立于1999年10月,是亚洲首座以六吋晶圆生产砷化镓微波通讯晶片的晶圆制造商,自2010年为全球最大砷化镓晶圆代工厂。 公司主要从事砷化镓......
行业现状来看,大多集中于LED用的低端砷化镓材料,而集成电路和功率器件用的大直径半绝缘砷化镓材料仍有少数国际大公司掌握,国内所用的4-6英寸半绝缘砷化镓晶片大部分依赖进口。国内的半绝缘砷化镓材料,在常......
34亿!华芯珠海砷化镓晶圆生产基地项目竣工;1月9日,据珠海建安消息,由珠海建安承建的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目近日通过竣工验收。 据悉,由华芯微电子主导的格创·华芯砷化镓晶......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目完成竣工验收;据珠海建安消息,近日,格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目顺利通过竣工验收。 消息称,格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目总投资33.87亿元,被认......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机;据珠海高新区消息,8月3日上午,格创·华芯半导体园区落成暨设备进机仪式举行。 格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元,是格......
广东省重点项目:华芯微电子第一片6寸晶圆成功下线; 11月19日消息,据珠海高新区公众号,近日珠海华芯微电子有限公司首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通,并成功生产出第一片6寸2um砷化镓HBT晶圆......
圆衬底技术突破,并且进行了多次重复性实验,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单晶衬底生长技术的产业化公司。 1 4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破 据晶片测试分析,其结......
35亿元,山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示,2月26日,吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。 据悉,菏泽市牡丹区砷化镓......
,国内两条芯片生产线传来新进展:广东华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通;陕西芯业时代8英寸......
造出中红外超级反射镜,研究团队结合传统薄膜涂层技术与新型半导体材料和方法,开发出一种新涂层工艺。为此,他们先研制出直径为25毫米的硅基板,然后让高反射半导体晶体结构在10厘米的砷化镓晶片上生长,接着......
国内首批!铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日,从顺义科创集团获悉,入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓......
更小的器件尺寸。 在制造方面,氮化镓(GaN)晶体可以在各种衬底上生长,包括蓝宝石、碳化硅(SiC)和硅(Si)。在硅上生长氮化镓外延层(GaN-on-Si)可以使用现有的硅半导体设备,而且可采用低成本、大直径的硅晶片......
体块单晶以及晶圆,目前已经成功制备直径2英寸(50.8mm)的氧化镓晶圆。 国际首创!浙大开发新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆 浙江大学杭州国际科创中心介绍称,使用......
前完成洁净室正压送风节点。该项目建设内容为6英寸砷化镓晶圆代工、年产13.5亿颗射频滤波器。 封面图片来源:拍信网......
范围包括:半导体材料销售;货物及技术进出口业务;半导体生产(限分公司经营)等。 云南锗业官网介绍称,鑫耀半导体立志于成为质量稳定产品可靠的III-V族半导体衬底生产企业,目前负责在云南国家锗材料基地建成一条年产砷化镓抛光晶片......
不超过1.5 W /毫米),现在一个非常简单的器件就可以有高达 图4:Cree的碳化硅HEMT可提供比硅和砷化镓晶体管更大的功率密度和更宽的带宽。带宽的系列范围从10 Mhz通过18Ghz......
季获利有望比前几季亮眼,带动营运稳定发展。 联颖成立于2010年,为联电新投资事业群的一员,提供6英寸砷化镓晶圆代工服务,生产CMOS制程的二极管、MOSFET以及滤波器等,终端产品可应用于手机无线通讯、无线......
半导体材料项目、以及补充流动资金。 据披露,砷化镓半导体材料项目分为砷化镓(晶体)半导体材料项目和砷化镓晶片)半导体材料项目两个子项目,产品主要为2、3、4、5、6、8英寸砷化镓......
海关商品编号:2853904030、3818009003、3825690003)。 5.砷化镓(包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态)(参考海关商品编号:2853909026......
第三代半导体项目遍地开花;近日,多个项目迎来最新进展。其中,重投天科项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。本文引用地址:总投资32.7亿元,重投天科项目在深圳宝安启用 据滨......
也要兼顾成本。而若想要在成本上取得优势,就必须选择一个正确的芯片供应商,从而布局供应链战略。 砷化镓晶圆厂 砷化镓......
第四季营收恐进一步滑落。 而在应用领域较窄的砷化镓晶圆厂方面,产能利用率却早已滑落至冰点,早在今年5月,集微网就曾在《PA成去库存“重灾区”,持续扩产之下,砷化镓代工产能已供过于求》一文......
方面的研发进展也频传捷报。 北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单......
第三代半导体项目遍地开花;近日,多个第三代半导体项目迎来最新进展。其中,重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。 总投资32.7亿元,重投......
”。 部分公司影响稍大 根据公告显示,我国决定对镓、锗相关物项实施出口管制,并从今年8月1日起正式实施。据了解,镓相关物项包括金属镓(单质)、氧化镓、氮化镓、磷化镓砷化镓等,而锗相关物项包括金属锗、磷锗......
代工厂与 IDM 厂产值统计( 单位:百万美元) 2015 年全球砷化镓晶圆代工竞争格局 国家意志驱动,国内产业链崛起 (1)内需拉动集成电路产业整体发展 集成......
通信事业部,包括该公司在加州的砷化镓晶圆制造厂 ·2002年,收购Conexant位于墨西哥的封测厂 ·2008年,收购飞思卡尔的PA业务 ·2011年,收购SiGe Semiconductor的PA业务......
会回到In-House制造厂生产VCSEL,对于台系砷化镓晶圆厂来说,较无优势。 Sony与苹果多年合作,也与英系IQE等磊芯片业者关系良好,不过,台厂在化合物磊芯片市占率也节节攀升,能够与IQE分庭......
家指出,大尺寸低缺陷氧化镓单晶的制备方法以及高表面质量氧化镓晶片的超精密加工技术是实现氧化镓半导体器件工业应用的主要瓶颈。虽然氧化镓应用前景已经被多领域广泛看好,但未来氧化镓材料需要在高质量、低缺陷、大尺......
情况下,产率应该达到99.999%。 他还认为,苹果需要培育几乎整条供应链,在源头上需要解决8英寸蓝宝石和砷化镓晶圆供应问题。 此外......
等已经成功导入三安产品;包含广和通在内24家潜在客户已进入产品验证阶段,将于近期转为正式客户。 三安集成表示,公司始终将自己定位在垂直整合的大规模制造平台,有能力为客户提供滤波器器件、砷化镓晶......
单晶衬底项目进行签约。该项目占地1500平方米,总投资1.2亿元,投产后年产值在5亿元以上。 纳安半导体从事氮化镓晶片研究和产业化研发工作已有10余年,掌握了先进生产技术的整套工艺,并处......
体块单晶以及晶圆,目前已成功制备直径2英寸(50.8 mm)的氧化镓晶圆。 浙大杭州科创中心消息显示,使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势,一是使用这种方法生长出的氧化镓晶......
南锗业官网介绍,鑫耀半导体立志于成为质量稳定产品可靠的III-V族半导体衬底生产企业,目前负责在云南国家锗材料基地建成一条年产砷化镓抛光晶片 30万片4英寸(或12万片6英寸)的单晶材料生产线以及一条年产5......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗;我们都知道,半导体材料对5G、人工智能、物联网等新兴电子信息产业有着举足轻重的作用。其中,有一种叫的半导体材料,以它制成的,还有着更强大和广阔的应用。本文......
做强材料产业。发挥我省资源和能源优势,紧跟市场需求,引进技术领先的知名企业,发展大硅片晶圆等第一代半导体材料产业,聚焦低缺陷砷化镓晶体材料、高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料、氮化镓材料等第二/三代......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津;由北京、天津、河北三省市联合举办的2024京津冀产业链供应链大会于10月24日至25日在国家会展中心(天津)举办。 京津......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世!;9月11日,英飞凌宣布,公司已成功开发出全球首款12英寸(300mm)功率氮化镓(GaN)晶圆。 英飞凌表示,公司......
第三代半导体项目迎来最新进展。其中,重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。 据滨海宝安消息,2月27日,第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用,其由......
三菱电机投资Novel Crystal Technology,加速开发氧化镓功率半导体;加速研究开发性能卓越的功率半导体为实现低碳社会做出贡献三菱电机集团近日(2023年7月28日)宣布,已投资日本氧化镓晶......
射频器件行业将迎来新一轮行业大发展机遇。 PA 芯片领域: PA 芯片行业迎来接口标准化及砷化镓晶圆代工向国内转移两大红利,国内PA 厂商的产品研发及生产过程更加顺畅,预计在5G 时代国产替代率将大幅提高。目前......
射频器件行业将迎来新一轮行业大发展机遇。 PA 芯片领域: PA 芯片行业迎来接口标准化及砷化镓晶圆代工向国内转移两大红利,国内PA 厂商的产品研发及生产过程更加顺畅,预计在5G 时代国产替代率将大幅提高。目前......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓具备大禁带宽度(4.8eV)、高临界击穿场强(8MV/cm)和良好的导通特性,与碳化硅和氮化镓相比,氧化镓......
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。 项目建成后,将应用以砷化镓为主,包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料,开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器,以及......
正式落户宜兴经济技术开发区。 据悉,该项目总投资60亿元,项目建成后,将应用以砷化镓为主,包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料,开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器,以及......
五”期间,重点发展碳化硅、砷化镓、蓝宝石等材料,加快引进器件设计、制造、封装、测试、应用等产业链项目入晋落地,建成国家重要的半导体研发生产基地。 封面图片来源:拍信网......
众所周知,第一代半导体材料代表是硅,主要解决数据运算、存储的问题;第二代半导体材料以砷化镓为代表,它被应用到于光纤通讯,主要解决数据传输的问题;而第......
和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者,宜普电源转换公司(EPC)进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列,推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......

相关企业

;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始,在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓(GaAs
段各种脉冲功率合成器、分配器:一分八、八合一、一分四、四合一、一分二、二合一等产品。2、代理产品: 三菱功放模块;三菱场效应功率管;三菱MGF系列砷化镓晶体管; 东芝2SC,2SK系列大小功率三极管;霍尔
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作,为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营:微波、毫米波(砷化镓场效应管、砷化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
善的配套设施和优良的生产环境,致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等,其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
度四元晶粒(C系列)、金属基板倒装晶粒(MS)、氮化镓晶粒(AllnGaN)、覆晶晶粒(Flip chip); K*on:红外芯片(940nm)、高速红外芯片(850nm,875nm,880nm) 用过
期主要从事外延片生产及芯片封装,装配外延片生产线(MOCVD)20条,芯片生产线12条,芯片封装生产线14条,共投资7亿元;第三期是在第一期和第二期的基础上,根据企业发展的需要,生产半导体照明材料,装配砷化镓、氮化镓
Asahikasei SDC MELEXIS等。 经营品种有:电源管理IC,马达驱动IC,砷化镓霍尔元件,锑化铟霍尔元件,双极型霍尔IC,光电器件。 我们的产品广泛应用于微型电机、DC-FAN、开关