葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

资讯

产品失效率的提高，许多学者参与到分析的研究中。经过大量研究分析和仿真，学者总结出：由于电流的作用，导致导线中的金属原子与电子通过摩擦产生位移现象所引发的失效是电子产品失效模式的主要因素之一。电迁移......
面附近。之前研究者普遍认为，空间电荷层对离子迁移的影响只由锂离子的浓度决定：锂离子浓度高则有利于离子迁移，锂离子浓度低则不利于离子迁移。为了透彻理解空间电荷层对离子传输的实际影响，需要......
介绍了他如何看待更高电压带来的挑战，讲解了在高压环境中由ECM（电化学迁移）、漏电流引起的损坏机制发生的更加频繁，而更高压也会引起的新难题，如AMP（阳极迁移现象）。他还分享了在60V以内......
了在高压环境中由ECM（电化学迁移）、漏电流引起的损坏机制发生的更加频繁，而更高压也会引起的新难题，如AMP（阳极迁移现象）。他还分享了在60V以内电压范围内业内有丰富的知识经验支持，到了400V......
流引起的损坏机制发生的更加频繁，而更高压也会引起新的难题，如AMP（阳极迁移现象）。 6月6日，ZESTRON 总部的Helmut Schweigart博士在受邀参加的IPC“可靠性之路”系列讲座之《高压-电动汽车电子......
高压也会引起新的难题，如AMP（阳极迁移现象）。本文引用地址：6月6日，ZESTRON 总部的Helmut Schweigart博士在受邀参加的IPC“可靠性之路”系列讲座之《高压-电动汽车电子......
： Lchannel：沟道长度， Wchannel：沟道宽度， COX：栅氧电容， μn,channel：沟道电子迁移率 从上式可以看出，沟道电阻和沟道电子迁移率（μn,channel）成反......
等方面有着明显优势。这些优势得益于材料的诸多特性，如更宽的带隙、高临界场强、更高的电子迁移率。基于这类材料的功率器件，导通电阻能做到很小，并能够工作在更高的电压下——相比之下，传统......
-阻转异构体的OFET器件性能受其薄膜热退火温度的影响巨大，这源于热作用下Syn-阻转异构体向Anti-阻转异构体的单向转化。伴随着Syn-NDI转化为Anti-NDI，其OFET器件的电子迁移......
理工学院研究人员首次取得重要科学进展，于实验中发现立方砷化硼晶体为电子、电洞提供高载流子迁移率，扩大该材料于商业领域的潜在用途，比如提高CPU速度。 硅、砷化镓等材料具有良好的电子迁移率，但电洞迁移......
特性产生重大影响。 据介绍，立方砷化硼对电子和空穴也有很高的迁移率，该材料有一个非常好的带隙，这一特性赋予了它作为半导体材料的巨大潜力。众所周知，已经成熟商用的硅材料具有良好的电子迁移率，但其空穴迁移......
导通电阻测试标准形成委员会草案 2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草的团体标准T/CASAS 34—202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》、T/CASAS 35......
设备。 研究论文通讯作者、麻省理工学院的贾加迪什·穆德拉指出，他们通过分子束外延过程制造出了这款薄膜半导体。该过程需要精确控制分子束，逐个原子地构建材料，这样获得的材料瑕疵最小最少，从而实现更高的电子迁移......
能进行电路板之间的接合 能 注释※1 离子迁移：由于在高湿度环境下施加恒定电压而导致树脂材料上形成的金属布线图案布线等发生短路的现象。※2 NSI/AAMI EC12：由美......
金属卤化物钙钛矿在可穿戴FPD和图像传感器应用中的性能;金属卤化物钙钛矿（MHP）具有低温溶液可加工性、机械柔性和优异的光电性能，是下一代柔性光电探测器（FPD）的理想材料。然而，多晶金属卤化物钙钛矿中的缺陷和离子迁移......
浸银不具备化学镀镍/浸金所有的好的物理强度。 优点：浸银焊接面可焊性良好，共面性很好，同时又不像OSP那样存在导电障碍，但是作为接触面（如按键面）时，其强度没有金好。 缺点：浸银有一个重要的问题就是银的电子迁移......
率，进而有大的电流密度，这是器件获得大的功率输出密度的关键所在。这也是GaN材料最明显优势所在。 可以看到，表格中GaN的电子迁移率并不高，为什么称之为高电子迁移率晶体管呢？原因在于GaN......
硅产品特点 碳化硅(SiC)具有宽禁带(Si的3倍)、高热导率(Si的3.3倍)、高的临界击穿电场(Si的10倍)、高饱和电子迁移率(Si的2.5倍)以及高健合能等优点，这就......
为了让电场分布更加均匀，他们都使用了场板的设计。不同之处在于氮化镓是化合物半导体外延，通过异质结形成高电子迁移率的二维电子气沟道（2DEG）。而硅LDMOS是在硅外延层上进行掺杂形成P-N结。 2、氮化......
190元，总市值114亿元。 据招股书信息显示，预计芯导科技公开募集资金用于投资发展项目，包括高性能分立功率器件开发和升级、高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化、硅基氮化镓高电子迁移......
32kB的SRAM，这为开发者提供了充足的内存资源，存储大量代码和数据，满足各种应用需求。其64个引脚的LQFP封装设计使其兼容H5-2MB系列管脚，让开发者能够轻松替换和迁移现有项目。同时，该评......
导率(Si的3.3倍)、高的临界击穿电场(Si的10倍)、高饱和电子迁移率(Si的2.5倍)以及高健合能等优点，这就使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的......
管的工作原理为在闸极施予一固定电压，使信道形成，电流即可通过。在数位电路中，藉由电流通过与否，便可代表逻辑的1或0。 过去信道的材料主要为硅，然而硅的电子迁移率（Electron Mobility）已不......
。 资料显示，万年晶半导体是省内首家蓝宝石基功率器件研发、生产和销售公司，主营第三代半导体高电子迁移率晶体管芯片，可广泛应用于数据中心、储能、汽车电子等领域。 封面图片来源：拍信网......
半导体中载流子的传输能力是影响有机半导体器件性能的一个至关重要的因素。衡量有机半导体材料载流子传输能力的主要参数是载流子迁移率u, 它直接反映了载流子在电场作用下的运动能力, 因此载流子迁移率的测量是有机半导体材料与器件研究中的重要内容。 我公......
HMC-C582数据手册和产品信息;HMC-C582是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率(pHEMT)功率放大器，封装在微型密封模块中并集成可更换SMA连接......
HMC1132PM5E数据手册和产品信息;HMC1132PM5E 是一款四级、砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)功率放大器。该器......
得碳化硅芯片在高温环境下具有更好的稳定性和耐受性。与此同时，其热导率也相对较高，可以快速将热量传导出去，保持芯片的正常工作温度。 碳化硅芯片的高温稳定性可提供更宽广的工作温度范围。传统硅芯片在高温下容易发生电子迁移......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能; 【导读】意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移......
-VGSth）的平方成正比。 其中k为一个常数 W-沟道宽度,µn-电子迁移率,Cox–栅氧化层电容,L–沟道长度 对系统进行短路保护设计必须考虑DIBL的影响。例如，我们......
隙分别为 3.4 eV 和 3.3 eV，高出约三倍。这意味着两者都能支持更高的电压和更高的频率。 GaN 更高的电子迁移率使之更适合于高性能、高频率应用。GaN 功率FET 实现......
显著减小栅介质层的量子隧穿的效应，从而降低栅极漏电流及其引起的功耗。但是利用HK介质材料代替SiON也会引起很多问题，例如导致多晶硅栅耗尽效应形成高阻栅，HK介质材料与多晶硅的界面会形成界面失配现象降低载流子迁移率，HK介质材料还会造成费米能级的钉扎现象......
HMC7229-DIE数据手册和产品信息;HMC7229CHIPS是一款集成温度补偿片内功率检波器的四级、砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、1 W......
，展现了该键合技术在热导、热应力控制及可靠性方面的明显优势。  为实现高可靠性、大功率密度的GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）的系统小型化，将GaN集成在金刚石基底上的GaN......
科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石。 据悉，传统的氧化铝材料通常呈现无序结构，这种无序会导致其在极薄层面上的绝缘性能大幅下降。 而蓝宝石的单晶结构则为其带来了更高的电子迁移......
已非常成熟。LTPS有高电子迁移率，能提供较快开关速度和更高分辨率，满足高端手机的显示需求。但高电子迁移率也导致LTPS漏电流较大，无法支持低频动态刷新调节，导致整体功耗较大。 TrendForce集邦......
厂商相继开发低温多晶硅LTPS(Low Temperature Poly-silicon)背板技术，如今已非常成熟。LTPS有高电子迁移率，能提供较快开关速度和更高分辨率，满足高端手机的显示需求。但高电子迁移......
选址应避开明显的硫污染； 6）爬行腐蚀、离子迁移枝晶及 CAF 等的异同马里兰大学较早研究了翼型引脚器件上的爬行腐蚀，并对腐蚀机理进行了初步的探讨。与离子迁移枝晶、CAF 类似，爬行腐蚀也是一个传质的过程，但三......
声、耐高温、抗辐照等集成电路领域。砷化镓具有更高电子迁移率、低能耗、抗高温、抗辐射、高发光效率等诸多优势，应用场景非常广泛。砷化镓经过多年的发展，工艺不断成熟，应用领域越来越多，从LED、MiniLED......
宣布推出GTH2e-2425300P ISM CW放大器，这是一款2.4-2.5 GHz、300W的预匹配离散型GaN on SiC高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility......
意法半导体宣布量产氮化镓器件PowerGaN;8月3日，意法半导体官微宣布，公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）器件。 据介......
试图通过新一代材料解决上述问题。 据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。 在最新研究中，大阪公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了高电子迁移......
公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了GaN高电子迁移率晶体管。为了进一步提高金刚石的导热性，研究人员在GaN和金刚石之间加入了一层3C-SiC（立方碳化硅）层。这一技术显著降低了界面的热阻，从而提高了散热效率。 封面图片来源：拍信网......
汽车dsc是什么意思?有什么用途及功能;　　汽车dsc是什么意思？　 　   汽车上：DSC动态稳定控制系统性能类似德国博世公司的ESP（电子稳定系统）可在汽车高速运动时，提供良好的操控性，防止车辆发生甩尾或者漂移现象......
货量超 100 万个 GaNFast 电源 IC，总出货量超 1300 万个，场失效为零。 2021年，台积电通过了第一代650V增强型GaN高电子迁移率晶体管（E-HEMT）的改进版本，进入......
在电气可靠性要求高的电气装置上应用最多。 银粉价格高，相对密度大、易沉淀，在潮湿环境中有迁移现象，但在导电胶配制中，银粉仍是一种较理想和应用最多的导电粒子。 银粉的制备方法有电解法（电化......
款能带隙材质，在电子迁移率远远高于硅，输出电容也大大小于硅，致使其可工作在更以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。本文引用地址： ►场景应用图 ►产品实体图 ►方案方块图 ►核心......
尖晶石稳定层和硫掺杂机制示意图。（图片来源：中科院） 然而，在电池反应过程中，由于应力积累和晶格氧损失，富锂锰基材料中会出现一些微裂纹。过渡金属离子迁移会导致材料相变和其他有害的副反应，影响电池的性能。如何......
物半导体是指由两种或两种以上不同元素的原子组成的半导体材料，与传统的硅（Si）半导体相比，化合物半导体通常具有更高的电子迁移率、更宽的能带隙以及更好的热稳定性和辐射耐受性等特性，适用于对高速度、高频率、高温环境和高效率有特殊要求的应用场合。化合......
率来达到增大驱动电流。 芯片制造商在10nm或者7nm工艺时沟道材料必须要作改变。在一段时间中曾认为首选是在PMOS中采用Ge,以及NMOS中采用InGaAs材料。因为Ge的电子迁移率可达3,900cm平方/Vs，而相......

相关企业

深圳市宝安区沙井协和机电销售部
速特殊凸轮曲线间歇驱动完美，定位精准，绝无滑动偏移现象，不会产生累积公差。 ☆ HRC60°研磨精密，滚动磨擦、磨耗少。 HRC合金材质结构钢强，精度高，寿命长。连续运转最低寿命可达10,000小时（5年
深圳市协和传动器材有限公司
360°曲线完美零背隙。　　具加速特殊凸轮曲线间歇驱动完美，定位精准，绝无滑动偏移现象，不会产生累积公差。 　　☆ HRC60°研磨精密，滚动磨擦、磨耗少。　　HRC合金材质结构钢强，精度高，寿命
深圳市福田区金利电子经营部
;深圳市福田区金利电子经营部;;抵制炒货现象，以真诚服务客户。
上海锐驰通科技有限公司
产品有关工艺和知识传输给客户。 目前公司代理的产品分为：可靠性测试/先进生产/焊接系列/过程控制与检测/温度控制与检测/可编程电源 可靠性测试产品包括：METRONELEC离子污染测试仪,CAF/离子迁移
东莞市航辉电子有限公司
;东莞市航辉电子有限公司;;东莞航辉电子有限公司 作为浙江兴格电子有限公司的全资子公司，东莞市航辉电子有限公司2012年4月份正式成立，它是在深圳迁移到东莞塘厦而成立； 主要
溧阳市上兴填料厂
;溧阳市上兴填料厂;;填料塔内的壁流、沟流及返混等流体流动非理想现象是化学工作者公认的事实，其中壁流现象是严重损害传质与分离效率的因素。目前在世界范围内，规整填料得到大规模推广与应用。但无
永泰色母粒厂
;永泰色母粒厂;;本厂专业生产:新产品无迁移特白、亮白、乳白、无钙透明白、磁白、亮黑、黑、涂兰、深兰、果绿、深绿、橘黄、黄、红等多种颜色。分散均匀、着色力高、质量稳定、遮盖力强不变色，符合
深圳烽颢科技有限公司
维护服务、DLP搬迁移装服务、DLP改造升级服务；提供各大品牌的液晶拼接屏维修维护服务、液晶拼接搬迁移装服务、液晶拼接屏改造升级服务。 烽颢科技为您提供液晶拼接屏及DLP拼接屏的安装服务。 烽颢
深圳市世纪天源仪器有限公司
循环试验箱等。 日本HIRAYAMA高加速寿命试验设备：HAST高加速寿命试验箱，PCT高压蒸煮试验箱。 日本J-RAS：离子迁移试验装置及导通电阻可靠性评估装置。 我们的经营理念：专业，优质，双赢
朝富科技股份有限公司
;朝富科技股份有限公司;;1993 年创建晁昕有限公司，从连接器组装。 1995 年公司迁移树林县，导入自动化生产。 2001 年扩大经营项目，投入FPC手机连接器业务与生产 2002 年广