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e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海,2023年11月16日......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
与汽车应用的需求增长速度相当。”
他补充道:“功率场效应管推动这些应用的需求增长,除了更广为人知的汽车应用外,还包括太阳能逆变器和热泵等绿色能源应用、工业控制、电源,以及无线园艺工具等充电家用电器。功率场效应管......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
直流电机的三相六臂全桥驱动电路
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式,采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动,使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路,成功运行了BEV电机(2023-02-16)
逆变器拖载台架测试,成功测试了其 2.2mΩ 650V 半桥功率模块,该模块由 4 个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成,采用......
蓝箭电子创业板IPO获受理 募资6亿元投建半导体封测项目(2021-12-02)
体封装测试生产线扩产建设项目拟投资购买先进生产、检测设备等,打造全新的自动化生产线,进一步完善 DFN 系列、SOT系列等封装技术,开展如功率场效应管、功率 IC 等具有高技术附加值半导体产品的生产。
据悉,半导......
电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
器为三相桥式变换器,所述三相桥式变换器的交流端用以连接电网或驱动电机,所述三相桥式变换器的直流端并联有母线电容。所述SiC开关管为SiC功率场效应管。所述过流保护单元包括:串联......
广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心通过认定(2024-05-03)
通过验证的深圳研究中心,主要负责产品的设计验证、参数测试、可靠性验证、系统分析、失效分析等。
目前,美浦森半导体的产品包括中大功率场效应管(低压到高压全系列产品,Trench MOS/SGT MOS/Super......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压,四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中,Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道),Q4~Q6为IRFR1205(N 沟道......
助力SiC功率半导体国产化替代,美浦森和泰克携手产业链合作共赢(2023-08-31)
应对市场需求改善产品性能,同时也帮客户快速验证自研驱动电路,加速应用端解决方案落地。
美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super Junction MOSFET......
助力SiC功率半导体国产化替代,美浦森和泰克携手产业链合作共赢(2023-09-01 09:25)
也帮客户快速验证自研驱动电路,加速应用端解决方案落地。美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super Junction MOSFET......
美浦森宣布完成近亿元A轮融资,资金将用于SiC器件产品线、IGBT等新产品研发(2022-03-17)
,是一家专业功率半导体元器件设计公司,是国内最早开始硅/碳化硅产品系列研发及销售的公司。美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
.场效应管输出部分:大功率场效应管内部在源极和漏极之间反向并联有二极管,接成H桥使用时,相当于输出端已经并联了消除电压尖峰用的四个二极管,因此这里就没有外接二极管。输出端并联一个小电容(out1和......
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标,现已按照功率级别划分(2022-12-19)
转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)发布了氮化镓功率场效应管(FET)的最新可靠性指标。可靠性采用失效率(FIT)来衡量,这种......
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标,现已按照功率级别划分(2022-12-19 09:43)
转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)发布了氮化镓功率场效应管(FET)的最新可靠性指标。可靠性采用失效率(FIT)来衡量,这种......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
防反接电路
由场效应管制作工艺决定了,场效应管的导通电阻比较小,是现在很常用的开关器件,特别是在大功率的场合。
以TO-252封装的IRFR1205为例,其主要参数如下:
Vdss=55V
Id......
防反接常用单元电路,收藏了(2024-10-26 11:31:16)
防接反电路。
由场效应管制作工艺决定了,场效应管的导通电阻比较小。是现在很常用的开关器件,特别是在大功率的场合。以TO-252封装的IRFR1205为例......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路,成功运行了BEV电机(2023-02-16)
个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成,采用三相桥配置。
VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system
因此,VisIC......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路,成功运行了BEV电机(2023-02-16 10:37)
个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成,采用三相桥配置。
VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system
因此,VisIC......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路,成功运行了BEV电机(2023-02-16)
块由 4 个8mΩ 氮化镓功率场效应管并联组成,采用三相桥配置。
VisIC Technologies 3-phase prototype inverter system
因此,VisIC......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
又具有普通晶体三极管不能比拟的优秀特性,在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管,目前的大规模和超大规模集成电路中,已经广泛的采用场效应管。
8、输入阻抗高,驱动功率小:由于......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
不同的电平信号的MCU怎么通信?(2024-10-22 16:01:50)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。下图是MOS管实......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件......
详解:8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管(FET)。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通反相器的输出,同时使“与门”开启......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
结构图
电子负载采用3.7V锂电池供电,在使用时就不需要单独准备辅助电源或从被测电源取电,这将大大方便用户使用。
系统结构框图
硬件设计
负载晶体管与电流检测
该模块采用两根IRFP250场效应管......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
放大管采用双极型FET场效应管,此线路每声道为4对,并联使用,降低输出阻尼系数。此线路输出功率为50W,欣赏大动态音乐足够。每声道为4对时,如果配对比较困难,可采用2对,配对误差要求在3%以内。各管......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
~ P3:内置上拉电阻的双向I/O口,各端口缓冲器可接收、输出4个TTL门电路。
P0 ~ P3做输入端时必须将P0 ~ P3口先置1。使内部场效应管截止,从而不影响输入电平。
P0 ~ P3均可......
什么是SMT分立器件?有哪些类型?内部结构是怎样的?(2024-10-28 11:57:14)
几种尺寸结构,产品有小功率管、大功率管、场效应管和高频管几个系列;其中SOT-23是通用的SMT晶体管,SOT-23有3条翼形引脚,外形与内部结构如图4所示......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
总线送来的信号无法通过与门;另一方面控制电子开关,让电子开关与锁存器的 端接通,此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号,内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器,并从Q和非Q端输出,如果D端输入1,则非Q端输出0,该0使场效应管......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道!(2024-10-20 21:14:56)
三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法。
八、场效应管......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管(2022-05-16)
、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。
全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路,最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的......
51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边,标号为P0.x 引脚的图标,也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位,即在P0 口有......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
10分贝)中(约15~20分贝)频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级,低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路。
八、场效应管......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要: 在场效应管关断后让LED的负极电压升高,使得LED关闭。当场效应管导通时,LED的负极电压被拉低,使得LED发光。PWM调节......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1,让Q=1,场效应管截止,P2口输......
助力SiC功率半导体国产化替代 美浦森和泰克携手产业链合作共赢(2023-08-31)
检测和试产阶段快速评估器件,更快应对市场需求改善产品性能,同时也帮客户快速验证自研驱动电路,加速应用端解决方案落地。
美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET......
助力SiC功率半导体国产化替代 美浦森和泰克携手产业链合作共赢(2023-08-31)
应对市场需求改善产品性能,同时也帮客户快速验证自研驱动电路,加速应用端解决方案落地。
美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super......
Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用,不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻,与场效应管共同组成输出驱动电路。因此,P1口作为输出时,不需要再外接上拉电阻,而当P1口作为输入口使用时,仍然需要先向锁存器写“1......
直流无刷直流电机结构及数学模型简析(2024-08-12)
序进行通电换相。若让电机反转,则可以按倒过来的次序通电。如图11所示,为无刷直流电机逆变电路。
图11中,Q1到Q6均为功率场效应管。打开Q1与Q4并使得其他场效应管为截止态,此时电流流过POWER......
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;一有限公司电子科技;;主要经营, 一. 场效应管,P-MOSFET.N-MOSFET,功率场效应管 厂家:.FAIRCHILD,IR,VISHAY,AO,CEM,ANPEC APEC APM
;汕头市荣发电子有限公司;;主营:中功率场效应 快恢复 肖特基 高压管 配对管等三极管
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BCD,韩国SEMIHOW,分销PI,ST部分产品:电源管理IC,功率场效应管,肖特基二极管,电压基准,LED白光驱动IC,数码产品ESD用TVS二极管,同步整流IC,LED电源模块
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;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼,欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应管