资讯
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用，不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻，与场效应管共同组成输出驱动电路。因此，P1口作为输出时，不需要再外接上拉电阻，而当P1口作为输入口使用时，仍然需要先向锁存器写“1......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
平时关闭。 补充阅读：MOS管驱动电路设计细节。正转 场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。 正因为这个特点，在连接好上图电路后，控制臂1置高电平（U=VCC）、控制臂2置低......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
：
MOS管驱动电路设计细节
。
正转
场效应管是电压控制型元件，栅极......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦，需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
V2截止，通过P0口的外接上拉电阻，可使P0口输出高电平1。
2. P1
2.1 构成
1个输出锁存器
2个三态输入缓冲器
输出驱动电路
2.2 做输入端口
此时Q=0，非Q=1，场效应管......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
截止，通过P0口的外接上拉电阻，可使P0口输出高电平1。
2. P1
1个输出锁存器2个三态输入缓冲器输出驱动电路
2.1 输入功能
此时Q=0，非Q=1，场效应管导通，通过P1口的......
2019年全国大学生物联网设计竞赛成都收官，西北大学荣获TI创新奖(2019-8-27)
充电小车主要采用MSP432P401R LaunchPad作为核心控制器，其强大的性能确保了各种复杂工作的流畅完成，同时还能够保持极低的功耗。在无线发射部分则使用单片机计算输出最佳频率和占空比的方波信号，通过高速场效应管驱动......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
强说起当初入局半导体江湖，激情犹在，目光依然坚定。
发展：扎实基础，维护拓展市场
萨科微的碳化硅场效应管刚销售的时候，产品型号只有8个，包括4个型号碳化硅MOS管和4个型号的碳化硅二极管，应用在新能源汽车的电机驱动......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要： 在场效应管关断后让LED的负极电压升高，使得LED关闭。当场效应管导通时，LED的负极电压被拉低，使得LED发光。PWM调节方式使得驱动......
51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边，标号为P0.x 引脚的图标，也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位，即在P0 口有......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1，让Q=1，场效应管截止，P2口输......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
又具有普通晶体三极管不能比拟的优秀特性，在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管，目前的大规模和超大规模集成电路中，已经广泛的采用场效应管。
8、输入阻抗高，驱动功率小：由于......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管（FET）。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通反相器的输出，同时使“与门”开启......
MCS-51单片机指令系统（4）(2022-12-12)
脚上反映真实的输入信号，必须要 设法先让该引脚内部的场效应管截止才行，否则当场效应管导通时，P1口引 脚上将永远为低电平，无法正确反映外设的输入信号。让场效应管截止，就是用指令给P1口的相应位送一个“１”电平，这就......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海，2023年11月16日......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
用指针万用表检测场效应管的方法;用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
介绍用指针万用表检测场效应管的方法; 用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测
１、用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;
中国上海，2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中，主要考虑以下几点：
功能：电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
于小电流电路。
04
N沟道增强型场效应管......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
都可以正常工作。
缺点：
存在两个二极管的压降。适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
电路
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式，采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动，使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
1000次的累加。
散热风扇控制部分原理图
散热风扇控制电路实际上就是一个低侧Buck降压电路，单片机产生的PWM驱动场效应管，通过调节PWM的占空比，可以调节风扇两端的电压值，从而控制风扇的转速。风扇......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
的大规模和超大规模集成电路中，已经广泛的采用场效应管。
6、在开关电源电路中，大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点
1.输入阻抗高，驱动功率小
由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
、28 A大电流脉冲激光二极管驱动电路板（EPC9144）。在飞行时间（ToF）系统，对侦测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应......
igbt在电动汽车上的作用(2023-09-28)
igbt在电动汽车上的作用; igbt在电动汽车上的作用
IGBT是一种由控制电路控制、是否导电的半导体；由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有（Metal-Oxide......
美浦森宣布完成近亿元A轮融资，资金将用于SiC器件产品线、IGBT等新产品研发(2022-03-17)
，是一家专业功率半导体元器件设计公司，是国内最早开始硅/碳化硅产品系列研发及销售的公司。美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
和Brattain在1947年的一次场效应管发明尝试中，意外发明了电接触双极晶体管(BJT)。
两年后，同样来自贝尔实验室的Shockley用少......
电工应学字母含义、符号，接线图(2024-10-12 00:23:50)
电流以及电线的载流量来选择合适的电线。
通常可以参考电线载流量表来选择电线规格。
8、电子元器件功能作用-电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
就要寻求新的突破
点
。
02
MOS管如何呢？
MOS管，又称为绝缘栅场效应管......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
伺服系统构成及其工作原理(2024-06-03)
%以上。IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，用于功率驱动......
软启动和变频启动的区别(2023-09-05)
主电路是又6个场效应管组成的电路，在控制电路精准的控制之下，使六个场效应管轮流导通，在单位时间内，管子导通的次数越多，那么输出的电压和频率就越高，因此......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。
新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少......
详解80C51单片机的四种I/O口(2023-06-09)
际应用中通常作为地址/数据复用总线。
在访问外部存储器时，P0口才是真正的双向口。
当P0口输出地址/数据信息时，此时控制信号线为高电平，模拟开关将地址/数据线与场效应管VT2接通，同时与门输出有效，输出结果由地址/数据......
氮化镓（GaN）场效应管和逻辑电平 MOSFET。器件可应用于激光雷达、飞行时间、面部识别和使用低侧驱动器的电源转换器等领域。SGM48521 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许依据场效应管......
电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
器为三相桥式变换器，所述三相桥式变换器的交流端用以连接电网或驱动电机，所述三相桥式变换器的直流端并联有母线电容。所述SiC开关管为SiC功率场效应管。所述过流保护单元包括：串联......
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焊机的工作原理: 电源供给：和场效应管作逆变开关的焊机一样，焊机电源由市电供给，经整流、滤波后供给逆变器。 逆变：由于IGBT的工作电流大，可采用半桥逆变的形式，以IGBT作为开关，其开通与关闭由驱动
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;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。
子西门康IGBT、日立电容/快速熔断器、IR晶闸管、IXYS晶闸管、快 恢复二极管、IGBT驱动器、场效应模块、固态继电器、进口大容量螺栓式/平板式晶闸管/GTO/IGBT 主要用于工控、医疗、通信、消防、铁路
;深圳世玮科技有限公司;;公司主营产品：二三极管，SOP-8,DIP-8,高频管，模块等。 三极管封装：<> 场效应管，稳压管，IGBT系列，高压管。 场效应管：如IRF540,IRF640
;深圳市五湖舟科技有限公司;;深圳市五湖舟科技有限公司―专业供应原装正品 IR（国际整流器公司）、ON（安森美）、Fairchild（仙童） 系列：场效应管MOSFET，IGBT，电源驱动IC，快恢
;杭州中岛电子元器件商店;;三极管、场效应管、固态继电器、仪用风机、可编程控制器、变频器、DC-DC电源模块、可控硅、整流桥、场效应模块、GTR、IGBT、IPM等功率模块、变频器配件、维修各种变频器
;深圳市福田区源芯高科电子商行;;深圳市源芯高科电子专业供应原装正品 TOS（东芝）、IR（国际整流器公司）、ON（安森美）、Fairchild（仙童）系列：场效应管MOSFET，IGBT，电源驱动