资讯
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型。
根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。
因此......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
极管一样，既可以用来放大电路，也可以当作开关使用。
MOS管可分为耗尽型和增强型，每种类型又分为P沟道和N沟道。
增强型MOS管，栅极与衬底之间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，耗尽型，栅极......
AD7293数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:09)
个引脚名称或引脚的单个功能表示；例如ALERT1即表示仅与此功能相关。
产品聚焦
四个独立的闭环漏极电流控制器。 内置监控、时序和报警功能。 与耗尽型和增强型功率放大器兼容。
应用......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
按导电方式也可将MOS管分为耗尽型与增强型，如下图所示：
二、产品应用及特点
低压MOS管的器件主要应用于家电领域，如：榨汁机、果汁杯、暖奶瓶、打蛋器、吸尘器等。
产品特点：成熟的Trench设计......
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命(2024-06-26 17:08)
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命;长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型 （D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们倾向于使用增强型......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-17 15:33)
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET;非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用Littelfuse公司......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-17 15:33)
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET;非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用Littelfuse公司......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET;非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用
Littelfuse宣布......
Littelfuse推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-13)
Littelfuse推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET;
【导读】芝加哥2023年10月2日讯-- Littelfuse公司......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道(2023-10-17)
兴宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。本文引用地址：与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装去掉了中间引脚。 这将......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
MOS管结构原理：以N-MOS为例，a：P型半导体做衬底;b：上边扩散两个N型区，c：覆盖SiO2绝缘层;在N区上腐蚀两个孔，然后金属化的方法在绝缘层和两个孔内做成三个电极：G(栅极)、D(漏极......
X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案(2024-05-21)
高压EPI技术解决方案，基于低掩模数5V单栅极核心模块，支持-40°C至175°C的宽温度范围，并提供一系列可选的器件和模块——包括高增益双极器件、标准和高电容密度MIM电容器、多阈值（Vt）选项、肖特基二极管和耗尽型......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型
上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可，因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。
解释3：增强型
相对于耗尽型，增强型......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
P，这个电场阻止了后面的电子继续过来填补空穴，因为这时 P 型区的负空间电荷是排斥电子的。电子和空穴的结合会越来越慢，最后达到平衡，相当于载流子耗尽了，所以空间电荷区也叫耗尽层。这时 PN 结整......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型;对于......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-10-30)
用此模式，必须将VNEGFB引脚短接至地以禁用负电压发生器的反馈控制。对于增强型放大器（正栅极电压），VNEGFB和VGATEFB引脚都必须接地。
结语
耗尽型GaAs放大器因其宽带宽和高动态范围而广泛用于RF......
年产新增1万片氮化镓外延片，晶湛半导体项目获新进展(2022-08-02)
半导体是一家提供GaN外延解决方案的专业外延代工商。在电力电子方面，主要提供各种不同尺寸硅晶圆上GaN HEMT外延片，广泛涵盖了200V, 650V, 1200V甚至更高压的应用场景，并能提供耗尽型（D-mode......
GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期(2024-06-17)
在最终的应用中充分发挥出其技术优势，选择合适的技术路线也很重要。具体来讲，也就是增强型（E-mode）和耗尽型（D-mode）这两条技术路线的选择。
GaN晶体......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-11-13)
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案;摘要
假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
氧化镓场效应晶体管
增强型晶体管具有误开启自保护功能，且仅需要单电源供电，因此在功率应用中通常选用增强型器件。但由于氧化镓P型掺杂技术缺失，场效应晶体管一般为耗尽型器件，增强型......
蔚来资本增持晶湛半导体，氮化镓前景广阔(2023-09-01)
涵盖了200V, 650V, 1200V甚至更高压的应用场景，并能提供耗尽型（D-mode）与增强型（E-mode）两种外延结构。
资料显示，氮化镓因具备宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等优势，可以......
能华半导体技术研讨会圆满落幕，行业专家齐聚一堂共话未来(2024-06-18)
显示，能华半导体于2010年成立，是国内领先的专注于第三代半导体GaN的高新技术企业，核心团队汇聚了从外延到器件设计、制造工艺，封装和测试到应用模块等各个环节的科技创新型资深专家，是全球为数不多同时掌握增强型......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
良好的热导率加上更高的热耐受力共同提升了器件的使用寿命和可靠性。
GaN器件优越的性能也其器件结构有极大的关系。目前，产业化的GaN器件在走的两种路线是P-GaN方式的增强型器件和共源共栅两种结构，两种结构市场上声音不同，大家......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南
氮化......
氮化镓取代碳化硅？PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样(2024-11-12 09:47)
次刷新氮化镓的耐压记录，阎金光解释了PI拥有的专利技术。和硅MOSFET一样，氮化镓也分为耗尽型（D-MODE）和增强型（E-MODE）两种，天然情况下氮化镓是常通也就是耗尽型，主要原因是GaN晶体与AlGaN......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
模式。增强模式 FET 是常闭的，因此必须在栅极上施加相对于漏极/源极的正电压，以使 FET 导通。耗尽型 FET 是常开的，因此必须施加相对于漏极/源极的负栅极电压来关断 FET。耗尽型......
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩(2023-10-10)
的功率GaN FET有两个主流方向：增强型（E-Mode，单芯片常关器件）和耗尽型（D-Mode，双芯片常关器件）。目前E-Mode栅极有稳定性和漏电流的问题，而驱动双芯片常关（或者说共源共栅配置）的D......
第三代半导体13项标准获得新进展！(2024-07-29)
用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品。
T/CASAS 35—202X《用于......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
从摩尔定律的微缩中了解到的那样，High-K介电质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。
需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最大区别在于其它单芯片氮化镓集成电路会有增强模式或耗尽......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最大区别在于其它单芯片氮化镓集成电路会有增强模式或耗尽......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
,门一样的存在，和基极的作用差不多>其中P型衬底一般与栅极g相连。
21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用(开启电压Vt)，耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用下，就有......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
的英文名称是gate,门一样的存在，和基极的作用差不多>其中P型衬底一般与栅极g相连。
21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用（开启电压Vt），耗尽型FET则不......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
P型衬底一般与栅极g相连。
21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用（开启电压Vt），耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
增强型FET必须依靠栅源电压Vgs......
CEA、Soitec、格芯和意法半导体共推下一代 FD-SOI技术发展规划(2022-04-25)
公司计划联合制定行业的下一代 FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)技术发展规划。半导体器件和 FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有战略价值。FD-SOI 能够......
电气电工丰富自己知识储备，老师傅也不教的东西？(2024-11-25 19:10:01)
同的电路应用场景中，比如一些需要反相控制或者特定电源极性配合的电路中发挥作用。
2、温度变送器电流型和电压型区别......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
N沟道增强型MOS，只要VGS>VGSth，mos管DS之间就会出现反型层（即mos管已经导通，并在DS间形成了一条通道，该通道形成是因为栅极电压VGS的增大，将电子吸引至耗尽层形成），然后......
Akamai推出Shield NS53，扩展混合DNS基础架构安全防护能力(2024-04-15)
Akamai推出Shield NS53，扩展混合DNS基础架构安全防护能力;Akamai Shield NS53 保护本地和混合 DNS 基础架构免受资源耗尽型攻击的侵扰
2024年 4月15日......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
硅栅可以作为遮蔽层，所以离子只会注入多晶硅栅两侧，所以源漏扩散区与多晶硅栅是自对准的；第三个优点是可以通过掺杂N型和P型杂质来改变其功函数，从而调节器件的阈值电压。因为MOS器件......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作开发下一代电车应用GaN技术(2022-10-27 10:05)
的第二代最低导通电阻D3GaN（直接驱动耗尽型模式）平台，该功率模块将提供开创性的功率密度和性能，已被某主流一级汽车制造商的下一代逆变器样品采用。除了上述合作发展，两家......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化......
Transphorm最新技术白皮书:常闭耗尽型(D-Mode)与增强型(E-Mo(2023-10-19)
Transphorm最新技术白皮书:常闭耗尽型(D-Mode)与增强型(E-Mo;本文引用地址：
功率半导体产品的全球领先企业, Inc.近日发布了题为『Normally-off 晶体......
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
台湾地区化合物半导体产业迎来逆风，各大厂信心不减(2023-02-24)
货量超 100 万个 GaNFast 电源 IC，总出货量超 1300 万个，场失效为零。
2021年，台积电通过了第一代650V增强型GaN高电子迁移率晶体管（E-HEMT）的改进版本，进入......
SuperGaN使氮化镓产品更高效(2023-10-18)
SuperGaN® 技术是一种共源共栅（cascode）结构的常闭耗尽型（normally-off d-mode）氮化镓平台。该平台特点使得SuperGaN 具备了增强型（e-mode）氮化......
恩智浦发布i.MX RT600跨界微控制器系列(2020-03-03)
持四组 32x32 MAC。
多达4.5MB 片上 SRAM，支持关键指令和数据的“零等待”访问。
28nm FD-SIO （耗尽型绝缘硅）工艺，提供更低的工作电流和漏电流。
内置......
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突破性设计技术平台紧密合作，为客户提供新型高速MOSFETs（增强型和耗尽型VDMOS）和面向功率管理领域的新型BCD集成电路技术应用。其新型高速中低压MOSFETs具有行业中最佳Ron＊Qg 以及Ron＊Qgd 参数，特有
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
;泰兴市新宇通讯器材厂;;主要产品有:RSBA型通信电缆加强型热缩套管、RSBJ系列普通增强型热缩管、RSB系列普通型热缩套管、RSY系列圆管式热缩套管、光缆接头盒、光缆终端盒交接箱、分线盒、扣式
;美国乐泰中国销售有限公司;;LOCTITE380*乐泰380胶 增强型，可粘接金属，橡胶及塑料，优良的抗剥离、冲击及剪切强度。 LOCTITE401*乐泰401胶通用型，中粘度，用于惰性表面，粘接
;姜堰市曼森复合材料有限公司;;公司在与这些企业合作的过程中,不断地总结经验,成功开发了柔性网格布,增强型网格布,印字网格布,4000米大卷装网格布等系列产品
;深圳众众电子有限公司;;深圳市众众电子有限公司秉承二十年的工控模块研发、应用经验,自主研发、生产、销售基本型光电传感器，增强型光电传感器，智能型光电传感器，驱动器等自动化设备模块。 代理欧姆龙品牌系列
;深圳市宏晶科技有限公司;;宏晶科技公司是新一代增强型8051单片机，致力于满足中国市场需求的高性能的单片机技术，以极低的价格赢得了客户的长期信赖，目前，即将强势推出“1个时钟周期”的单片机，提升
;深圳市宏晶科技有限公司东莞办事处;;宏晶科技是新一代增强型8位单片微型计算机标准的制定者和领导厂商。致力于提供满足中国市场需求的高性能单片机技术，在业内处于领先地位，销售网络覆盖全国。
;南通博一机床有限公司;;南通博一机床有限公司（原南通远东锻压机床厂）是生产玻璃纤维机械及各类锻压机床的专业公司，成为国内外增强型玻纤砂轮网片工厂、磨料磨具、玻璃纤维企业的设备供应配套商。 一、四柱
;深圳市丰凡电子有限公司;;密的供应商合作关系和完善的后勤服务，使我们的客户能够掌握先机，加快满足市场需求，降低生产成本，和增强在市场中的竞争力。期待我们有长久且双赢的合作。