资讯
数据中心爆发 国产DDR IP前景广阔(2022-12-20)
率有望超过CPU,成为排名第一的IP品类,而未来接口IP市场增量将主要来自与数据中心关联度较高的PCIe IP、DDR IP以及以太网/D2D......
Synopsys发布DesignWare DDR4存储器接口IP(2012-09-26)
Synopsys发布DesignWare DDR4存储器接口IP;亮点:
·Synopsys扩展了其业界领先的DesignWare® DDR存储器接口知识产权(IP)系列,以使其亦可支持DDR4......
应用笔记|STM32MP1 系列 MPU 的 DDR 配置(2023-08-17)
器(DDRCTRL)、PHY 接口(DDRPHYC)和 SDRAM 模式寄存器的多个参数以及设置完成 DDRSS 配置。
根据 DDR 类型、DDR 大小、DRAM 拓扑、运行时间频率和 SDRAM 器件......
基于RK3328平台的4K码流仪方案设计与实现(2023-08-01)
负责整个码流仪的控制和多媒体解码,RK3328 CPU 为4 核Cortex-A53 CPU,配置2 GB DDR3,32 GB EMMC, 具备USB2.0*1 和USB3.0*1 接口, 兼容......
基于RK3328平台的4K码流仪方案设计与实现(2024-07-08)
USB2.0*1 和USB3.0*1 接口, 兼容RJ45 接口和板载WIFI 模块,PCB 采用四层板双面贴设计。采用HDMI2.0 HUBLT86104UX 级联方案用来实现10 路HDMI2.0......
基于Hi3559的8K智能摄像机硬件设计与实现(2024-07-11)
值大于 2.2 µH,饱和电流大于 3 A。Hi3559 内核电压 0.8 V,IO 电压 18 V,DDR4 接口电压 1.2 V, LPDDR4 接口电压 1.2 V。内核电源方面,DDR 电源和 IO......
详解基于VLT的新型DRAM(2017-01-01)
。
图2:典型的DRAM架构和层级
一个完整的LPDDR4内存芯片包括两个高层级单元:内存数组和DDR接口。有些部份的操作会影响到内存数组;另一部份则会影响接口。DDR接口......
17路UART和4路CAN FD,新唐MA35D1核心板512M DDR配置发布!(2024-11-07)
容量达 512 MB,集成了较大DDR内存,方便进行数据处理和硬件设计。MA35D1系列提供多组高性能的通讯接口,如千兆以太网、SDIO3.0、高速 USB 2.0、CAN-FD 等。MA35D1系列......
芯动科技高性能计算“三件套”IP解决方案行业领先,满足新一代SoC带宽需求(2022-10-08)
耕高性能高可靠IP的最新成果,具有3大显著优势:一是性能高端,不管DDR、Serdes还是Chiplet,芯动的性能都是全球领先的,接口覆盖最全的;二是高端工艺验证,高端10nm/8nm/7nm......
芯动科技高性能计算“三件套”IP解决方案行业领先,满足新一代SoC带宽需求(2022-09-27)
耕高性能高可靠IP的最新成果,具有3大显著优势:一是性能高端,不管DDR、Serdes还是Chiplet,芯动的性能都是全球领先的,接口覆盖最全的;二是高端工艺验证,高端10nm/8nm/7nm......
17路UART和4路CAN FD,新唐MA35D1核心板512M DDR配置发布!(2024-11-08 10:31)
SDRAM,最大容量达 512 MB,集成了较大DDR内存,方便进行数据处理和硬件设计。MA35D1系列提供多组高性能的通讯接口,如千兆以太网、SDIO3.0、高速 USB 2.0、CAN-FD 等......
用于微型处理器单元的高度集成电源管理集成电路(2024-05-06)
主机处理器通过I²C和IO接口进行控制。STPMIC1稳压器旨在为应用处理器以及外部系统外设(如:DDR、Flash存储器和其他系统设备)供电。本文引用地址:升压转换器最多可为3个USB端口供电(两个500......
四大高端IP接口市场增长迅猛:2021-2026年复合增长率高达75%(2022-12-07)
)。
2021-2026年D2D 设计启动 IP 2021-2026 年收入 Top4 高端接口 IP
由前 4 大接口 IP(PCIe、DDR、以太网和 D2D)组成......
智原推出HiSpeedKitTM-HS平台提供高速接口IP系统验证(2024-10-31 11:17)
Cortex® A53处理器及智原自有的DDR 4 PHY、PCIe Gen 4 PHY和Gigabit以太网络PHY等高速接口IP,除了确保这些接口物理层PHY IP测试芯片通过系统验证之外,还可......
16位2.7Gsps DAC 提供 80dB 无杂散动态范围(2015-05-12)
节为低至 10mA 或高达 60mA 以适合应用情况。数据通过一个并行 LVDS 接口端口传送到 LTC2000A,当使用 675MHz 双倍数据速率 (DDR) 数据时钟时,传输速率高达 1.35Gsps......
FLASH、DDR和eMMC高速PCB布线布线设计规范(2024-11-11 14:18:47)
FLASH、DDR和eMMC高速PCB布线布线设计规范;
PCB设计13——FLASH和DDR高速PCB布线布线设计规范
链接......
米尔基于STM32MP135开发板裸机开发应用笔记,MCU友好过渡MPU(2024-03-29)
程源码编译完后,开发板需要连接ST-Link进行调试,并且将拨码开关拨到工程模式1-4:1000,用到的接口是J7,由于出厂时没有将引脚焊接,需要用户自行焊接,接线方式如下图:
1.4. 调试工程
● 在......
米尔基于STM32MP135开发板裸机开发应用笔记,MCU友好过渡MPU(2024-03-28)
-Link进行调试,并且将拨码开关拨到工程模式1-4:1000,用到的接口是J7,由于出厂时没有将引脚焊接,需要用户自行焊接,接线方式如下图:
调试工程
在2.3中编译完后,接下......
米尔基于STM32MP135开发板裸机开发应用笔记,MCU友好过渡MPU(2024-03-29)
将拨码开关拨到工程模式1-4:1000,用到的接口是J7,由于出厂时没有将引脚焊接,需要用户自行焊接,接线方式如下图:
1.4. 调试工程
• 在2.3中编译完后,接下......
DDR之频率(2024-03-05)
DDR之频率;大家好,我是蜗牛兄。本文引用地址:本文主要介绍DDR常用的三种频率,以及梳理频率是怎样提升的。可能这篇文章对于电路设计用处不大,但多了解一点总是没坏处的。
图1 文章框图
通过......
ST官方基于米尔STM32MP135开发板培训课程(一)(2023-07-28)
极高的性价比;支持2个千兆以太网接口、 2个CAN FD接口、 2个 USB2.0接口、8个UART接口;标准配置支持256M Nand Flash/256M DDR和4GB eMMC/512M DDR两种;核心......
Microchip推出用于数据中心计算的新型CXL智能存储控制器,助力现代CPU优化应用工作负载(2022-08-03)
中心应用工作负载需要未来的存储器产品能够提供与今天基于并行DDR的存储产品相同的高性能带宽、低延迟和可靠性。CXL平台是近年来最大的行业颠覆性技术之一,为CPU带来了新的标准串行接口,可将存储器扩展到并行DDR接口之外,为数......
Microchip推出用于数据中心计算的新型CXL智能存储控制器,助力现代CPU优化应用工作负载(2022-08-03)
中心应用工作负载需要未来的存储器产品能够提供与今天基于并行DDR的存储产品相同的高性能带宽、低延迟和可靠性。CXL平台是近年来最大的行业颠覆性技术之一,为CPU带来了新的标准串行接口,可将存储器扩展到并行DDR接口之外,为数......
赛普拉斯推出了16-Mbit非易失性静态随机访问存储器nvSRAM系列(2012-09-12)
了我们整体非易失性解决方案的广度和灵活性。”
ONFI NAND 接口 nvSRAM 支持 ONFI 3.0 NV-DDR 接口 (100MHz) 和 ONFI 3.0 NV-DDR2 接口......
基于UVC协议的4K智能摄像头(2024-07-11)
基于UVC协议的4K智能摄像头;摘要:本文设计了一款基于UVC协议的4K智能摄像头,主控采用瑞芯微RV1126,传感器采用思特威 SC8238。摄像头通过USB接口直连电视,实现4K高清呈现。支持......
ST官方基于米尔STM32MP135开发板培训课程(一)(2023-07-28)
极高的性价比;支持2个千兆以太网接口、 2个CAN FD接口、 2个 USB2.0接口、8个UART接口;标准配置支持256M Nand Flash/256M DDR和4GB eMMC/512M DDR两种;核心......
揭开AI幕后存储技术——HBM、GDDR...(2024-06-18)
AI模型需求的DDR、GDDR、HBM技术从幕后走向台前,并随着AI发展而不断推陈出新。
01
DDR不断沿袭,DDR6即将来临
DDR完整的应该称DDR SDRAM,英文......
单片机外扩专用SPI SRAM存储芯片(2024-07-09)
器件,一个并行接口的SRAM或SDRAM需要30~40个封装管脚,在一些方案中MCU可用于外扩SRAM的管脚数量有限,如果考虑SPI SRAM(串行SRAM)是一种不错的解决方案。 如果......
一文看懂码灵半导体CFW32C7UL系列产品应用(八):高端扫码设备应用(中)(2020-11-30)
看到手持扫描枪产品主要由外壳、镜头和内部核心电路板组成(对于移动式手持扫描枪可能还有电池等部件),其中核心电路板包含了DDR、Flash、电源管理芯片和主控芯片。从硬件组成上讲,扫描......
ST官方基于米尔STM32MP135开发板培训课程(一)(2023-07-28)
接口、 2个 USB2.0接口、8个UART接口;标准配置支持256M Nand Flash/256M DDR和4GB eMMC/512M DDR两种;采用邮票孔方式连接,尺寸为37mmx39mm......
减小红外热成像应用的尺寸、功耗和成本(2023-03-08)
用于利用 DDR 接口的片外存储。然而,鉴于热成像的低图像分辨率要求,片外存储器要求大大低于光学相机的要求。因此,高密度 DRAM 可能会矫枉过正并增加产品成本,而不会提供任何实际好处。DRAM 通常......
基于RK3588的云电脑系统设计与实现(2024-07-08)
,BT 采用HS-UART 接口,包含蓝牙V2.1/3.0/4.1/4.2,支持蓝牙5.0 系统。
硬件系统主要包括: 电源模块、时钟、复位、DDR、EMMC、Wi-Fi 电路、USB 接口、HDMI......
基于RK3588的云电脑系统设计与实现(2023-08-25)
。
硬件系统主要包括: 电源模块、时钟、复位、DDR、EMMC、Wi-Fi 电路、USB 接口、HDMI 接口、网口电路。其中电源模块、时钟、复位、DDR、EMMC保证系统正常运行;Wi-Fi 电路......
SPI协议详解(以ADS1118为例)(2024-06-19)
还是单发:
默认是单发
找了找就这个图出现的次数最多。
OK
扩展SPI还增加了SDR(Single Data Rate)和DDR(Double Data Rate)两种模式。在标准SPI 协议......
三星开始量产第8代V-NAND,存储密度高达1Tb(2022-11-08 12:00)
最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更......
三星开始量产第8代V-NAND,存储密度高达1Tb(2022-11-08)
最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更......
面对这颗“芯片产业上的皇冠”,中国还需努力(2023-07-21)
智能的蓬勃发展,DDR内存控制器(DDR5、LPDDR5、HBM)、PCIe、CXL和以太网/SerDes等协议开始大幅增长。
据IPnest预测,前4大接口IP(PCIe、DDR、以太网和D2D)预计在2022年至......
PIC64GX MPU 面向智能边缘计算应用(2024-10-20)
:Microchip Technology)
DDR 接口、外设和连接
DDR 内存控制器支持 DDR4-1333 或 LPDDR4-1333,每个 DDR 接口高达 32 GB。当配......
Rambus提升GDDR6带宽,以应对边缘计算挑战(2023-05-22 15:50)
一样不断打造新一代的产品,提高内存带宽以及接口带宽。实际上,根据Rambus 5月初刚刚公布的2023年一季度业绩公告,在内存接口芯片的推动下,季度产品收入达到 6380 万美元,同比增长 33%,总营收达到了1亿......
Rambus提升GDDR6带宽,以应对边缘计算挑战(2023-05-21)
一样不断打造新一代的产品,提高内存带宽以及接口带宽。实际上,根据Rambus 5月初刚刚公布的2023年一季度业绩公告,在内存接口芯片的推动下,季度产品收入达到 6380 万美元,同比增长 33%,总营......
打造异构计算新标杆!国数集联发布首款CXL混合资源池参考设计(2024-08-06)
主研发的CXL协议IP的先进特性,可实现CPU、GPU、DDR、SSD、FPGA等多类异构资源的系统性融合,为特定应用提供高效、灵活的加速平台。
国数集联CXL混合......
AI大模型浪潮下,别让HBM内存控制器拖后腿(2023-12-19 09:42)
宽内存),它已经成为目前首选的AI训练硬件。简单解释,HBM是将很多DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。打个比方来说,传统DDR是平房设计,HBM则是......
AI大模型浪潮下,别让HBM内存控制器拖后腿(2023-12-17)
经成为目前首选的AI训练硬件。
简单解释,HBM是将很多DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。打个比方来说,传统DDR是平房设计,HBM则是楼房设计,能够为GPU......
推动DDR5迭代,Rambus发布第三代6400MT/s DDR5 RCD(2023-03-02)
加了引脚数量。为了能更好地配合所增加的引脚数,与之配套的RCD在接口上做了一些调整,从DDR4中的33位SDR,调整到DDR5中的10位DDR双子通道的协议和方案。
考虑到架构和DRAM技术上的改变,DDR5的带......
ADV7344数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:17)
格式的复合(CVBS)、S视频(YC)和分量(YPrPb/RGB)模拟输出。
ADV7344具有一个30位像素输入端口,可采用多种方式进行配置。SDR接口支持标清视频格式,SDR和DDR接口......
揭秘特斯拉新版毫米波雷达内部结构原理(2023-05-11)
型号翻查是MT61M512M32KPA-14 AAT:C,容量为2GB,合计32GB。
GDDR (Graphics Double Data Rate)为显存的一种,GDDR是为了设计高端显卡而特别设计的高性能DDR存储器规格,其有......
打造异构计算新标杆!国数集联发布首款CXL混合资源池参考设计(2024-08-06)
PCIe AIC标准槽位,可灵活接入CPU、GPU、DDR、SSD、FPGA和各类加速卡,满足多样化的工作负载需求。该系统对外提供多达8个PCIe ASM接口,支持多达8台主机直连,实现......
打造异构计算新标杆!国数集联发布首款CXL混合资源池参考设计(2024-08-07 11:47)
PCIe AIC标准槽位,可灵活接入CPU、GPU、DDR、SSD、FPGA和各类加速卡,满足多样化的工作负载需求。该系统对外提供多达8个PCIe ASM接口,支持多达8台主机直连,实现......
集睿致远CEO王亚伦:高速接口的现在与未来(2023-11-03)
家年轻的公司,但他们精准把握住高速接口产业发展的风口,在DP、HDMI、USB、MIPI、LVDS、DDR、Ethernet、PCIE都有相应的布局,并在工控、显示、PC、消费......
ARM裸机开发:I.MX6U 启动方式(2024-09-02)
存放代码的设备、比如 SD/EMMC、NAND)中将代码拷贝出来复制到指定的 RAM 中, 一般是 DDR
2.3 BOOT ROM初始化内容
在内部 BOOT 模式下,芯片执行 BOOT ROM......
相关企业
非常荣幸能成为贵公司的专业电子元器件合作伙伴。 公司主要经营有: 韩国 SAMSUMG (ARM7、ARM9 ARM11核系列、SDRAM、DDR、FLASH等) ARM: S3C2410AL-20 S3C2440AL
-6(PHILIPS) HYNIX SDRAM DDR DDRII FLASH SAMSUNG SDRAM DDR DDRII FLASH
;优盛科技有限公司;;南亚SD 8x16原包装NT5SV8M16FS-75b 南亚DDR 8X16原包装NT5DS8M16FS-6K 南亚DDR 8X16原包装NT5DS8M16FS-5T 南亚
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过MCP封装技术达到高稳定性,高可靠性的大容量SRAM,FLASH, SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM、内存条(SRAM 内存条,FLASH内存条,SDRAM内存条,DDR
DDR 256MB(DDR333) 90元 现代 DDR 256MB(DDR400) 105元 现代 DDR 512MB(DDR400) 190元 现代 DDRII 256MB(DDR533)125元
;ddr;;
内存 现代 DDR 256MB(DDR333) 90元 现代 DDR 256MB(DDR400) 105元 现代 DDR 512MB(DDR400) 190元 现代 DDRII 256MB(DDR533
;洪日升;;ddr,霍尔元件,散热片
;深圳市鸿浩达电子有限公司;;内存芯片,DDR、FLASH