共源共栅电流镜

“超共源共栅”  超共源共栅解决方案的一个好处在于，电流监测变得简单了。借助用隔离元件构建的单个 Si-MOSFET，我们通常能以 1:1000 的感测比例监测电流状况。去饱...

全桥功率开关电路。 2.6 基准电路 本文所设计的带隙电压基准源结构如图10 所示，主要由核心电路与启动电路两部分组成。 图10 基准电路 核心电路中M1~M12 一起构成共源共栅电流镜来提供直流偏置，运放op1 采用两级共源共栅...

每单位面积的导通电阻更低。 图2，SiC MOSFET与用于共源共栅电路SiC JFET的截面比较 JFET在功率电路中应用较少使用的一个原因是它作为一种常开型器件，需要负电压才能完全关断。通过使用共源共栅结构，可以...

RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品; 【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换...

RECOM推出栅极驱动 DC/DC 系列产品扩展; 【导读】非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换...

ZVS技术的革新者，凭借其独特的设计和材料科学的进步，为电力电子行业带来了前所未有的变革。 图2. SiC MOSFET与用于共源共栅电路SiC JFET的截面比较 与平面SiC MOSFET对比...

测试共源共栅氮化镓 FET;Cascode GaN 动态测试面临的挑战　　Cascode GaN 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为...

器件将对上述提到的优势进行近乎完美的诠释，帮助矿机电源应对越来越高的用电要求，让“挖矿”更加高效节能。 基于独特共源共栅电路配置的SiC FET 在众多的SiC器件中，SiC FET通常会被认为是一种接近理想的开关方案，通过采用共源共栅...

电源和太阳能等应用。 Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅...

全新 SiC FET 系列的推出彰显了我们致力于为动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。” 这些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅...

第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单...

全新 SiC FET 系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。”这些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅...

引用地址： 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅...

器和牵引驱动，以及电信/服务器电源、变速电机驱动和太阳能光伏（PV）逆变器等等都至关重要。 UnitedSiC高性能 FET 基于独特的共源共栅配置，其中高性能 SiC 快速 JFET 与共源共栅优化的 Si...

SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅...

5x6 HV 和 2SPAK封装。这些产品预计在 2022 年下半年量产。 此外，G-FET 系列还推出一个新的共源共栅 GaN 晶体管 SGT250R65ALCS，采用 PQFN 5x6封装...

：差分读取放大器; PCM访问时序图，2个等待状态（WS） 图3所示是读出放大器（SA）。位线读取电压由NMOS共源共栅晶体管控制：存储单元读电流和基准电流流过共源共栅，最后注入比较网（refcp1和...

简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性...

收购的 UnitedSiC 带来的新型碳化硅先进共源共栅技术。这款小尺寸解决方案集成了五个构建模块（DC/SC、LDO、MCU、栅极驱动器和放大器）和外部电源开关，共同构成带外部 SiC FET 的三...

型 FET 在电源系统中是有问题的，因为在给系统通电之前，必须对氮化镓耗尽型 FET 施加负偏压。 解决这个问题的一个方法是将低压硅 FET 与耗尽型 GaN FET 组合在一个共源共栅放大电路配置中（图...

维持丰富的设计裕量和电路稳健性。这些器件利用独到的共源共栅 SiC FET 技术，其中，处于常开状态的 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装，产生处于常闭状态的 SiC FET，这些器件提供出色的 RDS...

（on）为7 mΩ，另外三款电压额定值为1200V，RDS（on）分别为9和16 mΩ。所有器件都采用通用型TO247封装。 这些新型SiC FET整合高性能第三代SiC JFET和共源共栅...

得到了实际的量产验证。 德州仪器的 GaN 采用了直驱的常开型 dMode，与采用 Cascode（共源共栅）架构的 dMode 相比，德州仪器的直驱型 GaN 完全没有反向恢复二极管，因此...

、Si 和 SiC MOSFET 以及 GaN 共源共栅 HEMT 单元对各种栅极驱动电压的要求。例如，产品型号为 R12C2T25/R 的模块可在 9-18 VDC 输入电压下工作，并可编程为 +18...

FET 利用 Qorvo 独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 Si MOSFET...

FET整合高性能第三代SiC JFET和共源共栅（cascode）优化的Si MOSFET，这种电路配置能够以常见的封装形式创建一种快速、高效的器件，但仍然可以用与Si IGBT、Si MOSFET...

的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发挥宽禁带开关技术的高效率优势和 Si MOSFET 简化的门级驱动的优势。 现在...

器电源等应用。 贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包...

器电源等应用。 贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包...

器电源等应用。 贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包...

扰。 上图是电流型DAC上下相反的东西。 由于是共源共栅电流源，不容易受输出 电压的影响，可高精度化。 ...

半桥，它使用 35mohm，1200V 堆叠式共源共栅开关。开关波形表明，此类器件支持非常快、非常清晰的开关，可以用作本文中所述的所有电路选项的构建块。 图 8：集成驱动器和 FET 级，例如...

镓产品的全球领先企业 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭...

管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上 (物理层面) 削弱...

还提供了开尔文连接以实现可靠的高速转换。这些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发...

镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭...

还提供了开尔文连接以实现可靠的高速转换。 这些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 独特的 Cascode 电路结构（即共源共栅），将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一个器件内部，以发...

的功率GaN FET有两个主流方向：增强型（E-Mode，单芯片常关器件）和耗尽型（D-Mode，双芯片常关器件）。目前E-Mode栅极有稳定性和漏电流的问题，而驱动双芯片常关（或者说共源共栅配置）的D...

。 应用衬底驱动技术建立一些基本的模拟电路标准模块，通过举例来说明衬底驱动技术在模拟电路设计中的使用。 1 简单和增强型衬底驱动电流镜 简单的衬底驱动电流镜结构即本文提出的低电压电流镜...

保持充足的设计裕度和电路鲁棒性。 UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。这两者结合起来就提供了宽禁带技术的全部优势——可实...

降低的精度，因为这取决于分流电阻。虽然现今的技术可实现高精度电流传感器，但却无法降低损耗。 东芝的新技术采用级联共源共栅，将低压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与GaN 场效应晶体管相连用于电流...

实现电压放大。 图6 基本共源放大电路 与晶体管放大电路的共射、共集、共基接法相对应，场效应管放大电路有共源、共漏、共栅接法，有电路输入电阻高、噪声系数低，抗辐...

良好的热导率加上更高的热耐受力共同提升了器件的使用寿命和可靠性。 GaN器件优越的性能也其器件结构有极大的关系。目前，产业化的GaN器件在走的两种路线是P-GaN方式的增强型器件和共源共栅两种结构，两种结构市场上声音不同，大家...

同之处在于它是一种耗尽型器件。也就是说，JFET属于常开器件，需要通过栅极偏置来抑制电流的流动。这给设计人员在考虑系统故障条件时带来了挑战。作为一种变通方法，可以使用包括串联低电压硅MOSFET的共源共栅...

SuperGaN® 技术是一种共源共栅（cascode）结构的常闭耗尽型（normally-off d-mode）氮化镓平台。该平台特点使得SuperGaN 具备了增强型（e-mode）氮化...

: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e...

: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e...

（：Ideal Power Inc.） 该原理图包括两个具有低 R DS(on) (< 3mΩ) 的共源共栅 MOSFET（Q1 和 Q2），可用作正常关断开关，类似于 IGBT。这些...

（增强型）氮化镓器件，D-mode结构，具备天然的常通特性。为了确保开关在未加信号时能够保持断开的安全状态，PI在D-mode器件下串联了一个小型MOSFET，形成级联结构。这一“共源共栅”架构让D...

引用地址：工作原理： 该电路采用多级功率放大原理，包括前置放大器、驱动器和使用 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驱动级是带有电流镜负载的差分放大器，功率放大采用 AB 类工作方式。与 BJT...