资讯
俄罗斯要建 10 台超级计算机，还要自研光刻机?(2023-10-11)
得堡彼得大帝理工大学(SPbPU
)的专家表示，已经开发了两套用于生产微电子纳米结构的装置，解决俄罗斯在微电子领域的技术主权问题已成为可能。
据悉，第一台用于无掩模纳米光刻的设备用于在基板上获得图像，而不......
新技术加持，国产光刻机有望获得新突破(2016-12-12)
扫描的办法就可以得到超越衍射极限的光学成像。
遵循这个思路，华中科技大学国家光电实验室的甘棕松教授在国外攻读博士学位期间，采用类似方法在光刻制造技术上取得进展，成功突破光学衍射极限，首次在世界范围内实现了创记录的单线9纳米......
成本几十万元，俄罗斯自研光刻机又突破了？(2023-10-11)
制程也一直在向前，未来当纳米数突破1nm，又有哪种光刻技术胜出，也未可知。
从俄罗斯方面来看，虽然有些新闻看似有点"可笑"，但面对卡脖子，他们没有停止，这种精神值得褒奖。光刻机本来就是全世界的成果结晶，如果......
纳米压印光刻，能让国产绕过 ASML 吗(2023-03-20)
.https://www.researching.cn/ ArticlePdf / m00018/2020/49/9/20201035.pdf
[12] 中国光学：Nanophotonics | 纳米光刻技术......
俄罗斯正在开发可替代光刻机的芯片制造工具？(2023-10-10)
于蚀刻生产无掩模芯片，这将有助于俄罗斯在微电子领域技术领域获得主动权。
该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和等离子体化学蚀刻的设备，其中一种工具的成本为500万卢布（约36.7万元人民币），另一......
成本几十万，俄罗斯也要自研“光刻机”？(2023-10-10)
使“解决俄罗斯在微电子领域的技术主权问题”成为可能。引用大学代表的话写道——该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和硅等离子体化学蚀刻的设备。
第一种安装用于在基板上获得图像，而不使用特殊的掩模。据开......
俄罗斯正在开发可替代光刻机的芯片制造工具(2023-10-10)
领域获得主动权。本文引用地址：该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和等离子体化学蚀刻的设备，其中一种工具的成本为500万卢布（约36.7万元人民币），另一种工具的成本未知。
开发人员介绍，传统光刻技术......
一场“国产光刻机”的奇葩说(2022-12-29)
装备项目组经过近7年艰苦攻关，突破了多项关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10......
台积电前研发副总林本坚：美国试图限制中国进步是徒劳的(2023-10-30)
台积电前研发副总林本坚：美国试图限制中国进步是徒劳的;10月30日消息，据外媒报道，近日“浸没式光刻之父”、晶圆代工大厂台积电前研发副总林本坚(Burn J. Lin)在接受采访时罕见地表示，美国无法阻止中国大陆公司在先进制程芯片技术方面取得......
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%(2023-12-06)
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%;
【导读】近日据半导体业界透露，三星的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业......
探索前沿技术 推动产业发展，东方晶源受邀参加第七届国际先进光刻技术研讨会(2023-10-30)
制造一体化良率提升解决方案HPOTM由俞宗强博士在2014年创建东方晶源伊始首次提出。经过近十年的不懈努力，该理念已在电子束图像系统(SEM)、计算光刻(OPC)和布局布线技术(P&R)等核心技术取得实际突破......
刘明院士之问：芯片靠尺寸微缩还能走多远?(2021-09-16)
才能一直发展下去，让其他新技术和新材料弥补自己的不足。
器件结构也在一代一代地更新、发展。面对更高密度和更小尺寸的器件，光刻技术正在不断创新，EUV技术正在进一步演化。刘明指出，在7纳米......
俄罗斯媒体：中国在微芯片竞争中逐渐赶上(2023-08-08)
机仍将落后于最先进的同类产品，但由于外国供应商的限制越来越大，中国人在该领域的快速进步可以说是适逢其时。
2022年10月7日，美国政府发布半导体出口管制新规，美国对中国的制裁是在中国半导体行业取得突破......
10nm后，DRAM有这些发展方向(2023-06-13)
池涉及在服务器平台上绑定多个 CXL 内存块以形成池，并允许主机根据需要从块中分配内存。这种方法最大限度地提高了效率并降低了运营成本。
美光将通过 EUV 光刻技术......
Kinaltek宣布纳米硅技术取得突破 可使电池负极的比容量提高数倍(2022-11-29)
Kinaltek宣布纳米硅技术取得突破 可使电池负极的比容量提高数倍;作为一家创新公司，Kinaltek专注于生产金属合金粉末的颠覆性技术。据外媒报道，最近该公司宣布，其专利技术KINSIL™（在低温下直接生产硅纳米......
应用材料芯片布线技术取得突破 逻辑微缩可进入3nm及以下技术节点(2021-06-18)
应用材料芯片布线技术取得突破 逻辑微缩可进入3nm及以下技术节点;6月17日，应用材料公司宣布推出一种全新的先进逻辑芯片布线工艺技术，可微缩到3纳米及以下技术节点。
据应用材料介绍，其开......
英伟达、台积电、ASML、新思科技官宣合作，剑指计算光刻技术(2023-03-27)
英伟达、台积电、ASML、新思科技官宣合作，剑指计算光刻技术;国际电子商情27日讯 在近日召开的GTC大会上，英伟达宣布推出一项将加速计算引入计算光刻技术领域的突破性成果。这是......
重振芯片制造，欧、日为何青睐2纳米?(2021-04-02)
许正是日本与欧洲在高调进军半导体先进制造之际，力求在2nm上取得突破的原因之一。
全面进入GAA时代?
2纳米在技术上革新同样非常关键。根据国际器件和系统路线图(IRDS)的规划，在2021～2022年以......
清华大学科研团队新成果：有望为EUV光刻光源提供新技术路线(2021-02-26)
成电路芯片制造中最复杂和关键的工艺步骤。光刻机的曝光分辨率与波长直接相关，半个多世纪以来，光刻机光源的波长不断缩小，芯片工业界公认的新一代主流光刻技术是采用波长为13.5纳米光源的EUV（极紫外光源）光刻......
EUV光刻新突破，是不是真的？(2023-09-18)
得考虑实用性，能做4nm但是产量慢，那没啥意义呀，有工程师表示，俗话说，不看广告，看疗效。现在还说不好，只能等过段时间再说。
在自媒体，我们每天都在突破光刻技术，每天都让世界为之颤抖。我们......
俄罗斯：2024年将制造350nm光刻机(2023-11-06)
俄罗斯：2024年将制造350nm光刻机;根据俄罗斯媒体报道指出，俄罗斯本身正在研发生产芯片的光刻机。其工业和贸易部副部长Vasily Shpak在接受媒体访问时指出，2024年将开始生产350纳米光刻......
EUV光刻机争夺战打响，国产光刻技术难题有何解？(2021-01-29)
康指出，高性能光刻技术对中国企业来说成本高昂，但是其战略意义不容忽视。中国要推进完整的光刻工业体系的发展，只能采取从低到高的策略，比如193nm深紫外ArF干式光刻机、浸没式光刻机，以及周边设备材料等，EUV......
中国台湾地区半导体产业强化布局EUV技术，引发韩国三星警戒(2021-09-04)
中国台湾地区半导体产业强化布局EUV技术，引发韩国三星警戒;相较韩国半导体产业最早开始采用EUV光刻技术，相关产业存储器与晶圆代工时程相对落后。但韩国媒体《Business Korea》报导，近期中国......
美光计划部署纳米印刷技术，降低 DRAM 芯片生产成本(2024-03-05)
出密集存储器阵列外围的虚假结构（dummy structures）。
美光公司表示由于光学系统本身性质，这些 DRAM 层的图案很难用光学光刻技术进行印刷，而纳米打印方式可以用更精细的方式打印出来，且鉴于纳米印刷技术应用成本是沉浸式光刻技术......
ASML正计划搬离荷兰？向外扩张转移业务成为最优解(2024-03-14)
行业向更高级别的芯片制程转型，EUV技术显现出的短板和局限性逐渐暴露，这也迫使行业重新审视未来技术发展的路径与方向。
其他的光刻技术陆续出现，像BEUV技术、X射线光刻技术、NIL纳米压印技术等。尤其NIL技术，已经不再是实验室技术......
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国(2023-11-07)
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国;
11月6日消息，据彭博社报道，佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10......
ASML登上全球半导体曝光设备龙头，两个转折点都与台积电有关(2021-11-19)
提高精准度。但相对研发困难度也会增加。台积电表示，光源还可以继续用193纳米，但换个介质试试，不再以空气当介质。于是ASML尝试以水为介质，光源通过水会产生折射，使193纳米光源实际效果可能比157......
中科院中紫外光刻设备研制成功，国产光刻机有望突破(2017-04-14)
中科院中紫外光刻设备研制成功，国产光刻机有望突破;
来源：内容来自 中科院网站 ，谢谢。
近日，一种新型的中紫外直接光刻机由中国科学院光电技术......
国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清(2023-09-20)
国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清;近期，一则“7纳米光刻机实现国产化”消息在业界刷屏，消息指出清华大学EUV项目实现了光刻机国产化，并表示该项目已在雄安新区落地。
对此，9月18日中国......
Toppan Photomask与EV Group达成合作(2022-09-20)
Toppan Photomask与EV Group达成合作;加快推进纳米压印光刻技术在光电制造领域的应用两家市场领导者开展推广和技术合作，通过结合各自优势，提供纳米压印光刻技术开发工具包，并实......
美光出货全球最先进的1β技术节点DRAM(2022-11-02)
节能。在高达3200 Mbps的双倍频率层上添加eDVFSC，可改善节能控制，从而基于独特的终端用户模式实现更低功耗。
美光通过先进的光刻技术和纳米级制造工艺挑战物理定律
美光领先业界的1β节点......
佳能押注“纳米压印”技术：降低先进工艺生产成本，加速追赶 ASML(2023-12-27)
社长御手洗富士夫近日表示，纳米压印光刻技术的问世，为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。
佳能半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米压印光刻是指将带有半导体电路图案的掩模压印在晶圆上，只需......
叶甜春：中国集成电路又一个黄金十年正在到来(2023-09-27)
体系，建立了完整的产业链，产业竞争力大幅提升，与国际先进水平的差距大大缩小。在产品设计方面，技术能力大幅提高，CPU、FPGA、通信SoC等取得突破。在制造工艺方面，技术取得长足进步，工艺提升多代，已具......
挑战ASML ？佳能推出纳米压印技术(2023-10-13)
降低将近四成制造成本和九成电量。
目前唯一可靠的制造5纳米及以下芯片的方法（EUV机器）因为贸易制裁禁止进入中国。而日本公司的技术则完全省略了光刻过程，而是直接将所需的电路图案压印到硅片上。由于其创新性，它不......
(2023.3.20)半导体周要闻-莫大康(2023-03-20)
再努力出货，供应客户是长江存储（复购）、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩，每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。
现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%，基本......
(2023.3.20)半导体周要闻－莫大康(2023-03-22)
再努力出货，供应客户是长江存储（复购）、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩，每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。
现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%，基本......
国产光刻机获重大突破，ASML如何应对？(2023-10-19)
改变，但中国芯片制造迅速发展，ASML表示愿意支持并提供技术与设备，甚至EUV光刻机。
然而，当中国取得EUV光刻机突破时，ASML急了，担心破坏全球产业链。20多年过去，中国已量产90nm光刻机，交付......
三星重新赢回苹果A系列芯片订单，台积电面临新挑战(2017-07-19)
是如何保证足够高的良品率，为此三星特别提出了环绕栅极场效应晶体管(GAA FET)技术，将用在7nm、5nm工艺上。
另外，EUV极紫外光刻技术一旦取得突破并成熟，三星也会立即使用，但从目前的情况看，7nm上的......
ASML再次改口！国家迅速回应，外媒：荷兰将光刻机事情闹大了(2023-10-08)
直接影响到ASML公司光刻机的研发和制造。这一技术依赖的情况为ASML公司带来了一定的风险。
我国光刻机技术的突破
相比于对华出口光刻机受限，我国光刻机技术取得了重大突破。中微公司自主研发的光刻机，产能......
年产1100吨光刻材料，这个光刻胶项目即将投产(2021-03-23)
大UBC大学等高校科研机构合作建设了光刻材料研发实验室，成功研发出世界最先进的193纳米光刻胶单体并实现规模化生产，成为中国唯一的高端光刻胶单体材料研发和规模化生产企业。
此外，为助......
“争议”摩尔定律，英特尔反驳英伟达“结束论”(2023-03-28)
格在28日的讲话中提到，英特尔正在推进制造工艺的进步，例如采用新的光刻技术和RibbonFET架构，这能够让公司在每个芯片上继续塞进更多的晶体管，即使它们变得足够小，小到可以用埃(0.1纳米)单位......
EUV、NIL等下一代光刻专利数量上，台积电远超三星电子(2023-01-28)
NIL（纳米压印）和 DSA（引导自组装）等替代技术方面，佳能拥有的NIL光刻技术专利数量为913件，台积电拥有145项，三星电子为70项专利；但在DSA光刻......
直言光刻胶国产替代仍空白，中芯国际相关负责人遭怼“算老几”...(2021-08-03)
程工艺可满足 65nm-90nm 光刻需求，该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。
此外，实现技术突破的还有彤程新材、上海新阳、徐州博康、晶瑞股份等等。
中国内资光刻胶公司当前产品突破及未来规划情况梳理
随着中国半导体光刻胶逐步突破技术......
冲刺先进制程，台积电今年资本开支暴增六成(2021-01-15)
收达到全季晶圆销售金额的62%。
为持续冲刺先进制程，今年资本支出资本支出预计会达到250亿-280亿美元，增幅达六成，为历年最大手笔。根据计划，今年资本支出将有八成用在先进制程，包括七纳米、五纳米与三纳米，一成......
新型纳米腔重新定义光子极限，为量子光学新应用打开大门(2024-02-07)
新型纳米腔重新定义光子极限，为量子光学新应用打开大门;一个由欧洲和以色列物理学家组成的团队在量子纳米光子学领域取得重大突破。他们引入了一种新型的极化子腔，并重新定义了光子限制的极限。6日发表在《自然......
商务部部长会见ASML全球总裁，都说了啥？(2023-03-29)
在10纳米左右，可以比传统的光刻技术实现更高的分辨率和更复杂的芯片结构，但技术难度大、价格昂贵。DUV的电磁辐射波长200~400纳米之间，可以实现较高的分辨率和较低的成本，但是DUV技术......
佳能押注“纳米压印”技术，价格比 ASML EUV 光刻机“少一位数”(2023-11-06)
，并计划将新型芯片制造设备的价格定在阿斯麦最好光刻机的很小一部分，从而在光刻机领域取得进展。
纳米压印技术是极紫外光刻（EUV）技术的低成本替代品。佳能首席执行官御手洗富士夫 (Fujio......
上海新阳：KrF（248nm）厚膜光刻胶通过客户认证并取得第一笔订单(2021-07-01)
第一笔订单。
公告指出，KrF（248nm）厚膜光刻胶产品的开发和产业化是公司第三大核心技术——光刻技术的重要方向之一，本次产品认证的通过及订单的取得，标志着“KrF（248nm） 厚膜光刻......
三星遭重大打击，7nm骁龙芯片情归台积电(2017-06-13)
三星要等EUV光刻技术更加成熟，才会有进一步的进展。
报导中进一步指出，台积电虽然在16纳米FinFET的技术上吃过亏，不过在10纳米、7纳米制程上依旧野心勃勃。而且，预计2017年上半年将使用10......
清华大学宣布脑机接口技术重大突破!(2024-02-01)
清华大学宣布脑机接口技术重大突破!;
1月31日消息，日前，宣武医院与清华大学团队共同宣布：技术取得重大突破。
据“首都医科大学宣武医院”、“清华大学”公众号介绍，首都......
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范围的招商、推广、服务工作。 奥因公司是专业从事纳米光催化材料及其应用技术、系列产品的研发、生产及营销，集产、学、研为一体的高新技术企业。 公司突破传统研究思路，坚持自主创新，研究出采用逐步推进的化学修饰法使纳米光
;哈尔滨绿安仕环保科技有限公司;;哈尔滨绿安仕环保科技有限公司,绿安仕环保. 哈尔滨绿安仕环保科技有限公司,绿安仕环保. 公司代理进口优质的日本纳米光触媒系列产品，将日本经过多年研究研制成功的纳米技术和环境技术
;上海方晟光电科技有限公司;;上海方晟光电科技有限公司是一家专业从事纳米光学技术开发的高科技公司。其产品应用于汽车仪表、医疗器械、广告超薄灯箱、会展展示、居家装潢、婚纱影楼等行业。s
司全体员工的顽强拼搏与艰苦专研下，于2010年在核心技术取得了重大突破。生产薄膜的微多孔径规格精密到 20~50 nm纳米，并可依照需求控制孔径大小，精密度达20nm 纳米。这一成果达到世界高端纳米薄膜的指标。令业
科技喜获中央电视台办公大楼项目电机订单 西门子自动化与驱动集团加强对中国市场的长期承诺 1LG0的给HVAC行业 注入新的活力 祝贺1LG0产品取得突破 1LG0系列电机服务表格下载 西门子自动化与驱动集团新服务热线开通 2007年西门子参展展会预告
;杭州金科科技有限公司;;本公司是一家集科研开发、生产、销售于一体的股份制专业CNC 数控雕铣机生产厂家。在精密数控雕铣机设计生产、机械加工、模具制造雕刻技术以及CAD/ CAE/ CAM等方面的研制上取得了突破
摄像机、深水测温仪、水位仪等高科技产品。我公司致力于井下电视的研究已达八年之久，井下电视成像测井技术取得突飞猛进，独特的设计理念，高清视频，视频图像采集，防水，耐高压，远距离传输等，已取得了各项专利。经过
屏设计及安装
LED全彩显示屏像素如何控制及提高
全彩显示屏专用LED的使用
放眼看高端LED显示屏技术取得突破
全彩LED显示屏专用LED品质
显示屏设计及安装
LED全彩显示屏像素如何控制及提高
全彩显示屏专用LED的使用
放眼看高端LED显示屏技术取得突破
全彩LED显示屏专用LED品质
;北京清葆室内空气净化有限公司;;北京清葆室内空气净化公司是一家从事室内空气检测，装修污染治理，室内空气净化，空气净化产品研发销售公司，应用纳米光催化和氧离子高新技术彻底清除室内装修空气污染,写字