资讯

不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大,所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5、场效应管在源极未与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大,而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,b 值将......

不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......

不同的电平信号的MCU怎么通信?(2024-10-22 16:01:50)
数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大,所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5、场效应管在源极未与衬底连在一起时,源极和漏极可以......

使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
栅极过压击穿。一般的场效应管栅极的耐压是18V或20V,直接加上24V电压将会击穿,因此这个稳压二极管不能用普通的二极管代替,但是可以用2千欧的电阻代替,同样能得到12V的分压。3......

用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该......

介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该......

指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选......

Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
采用了级联结构并优化了器件相关参数,Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制,应用设计大为简化;使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。
新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔,减少......

4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点:一旦接反需要更换保险丝,操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点:输入端无论怎样接,电路都可以正常工作。
缺点:存在两个二极管的压降,适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......

防反接常用单元电路,收藏了(2024-10-26 11:31:16)
,其主要参数如下:Vdss=55V,Id=44A,Rds=0.027欧姆;可以看到其导通电阻只有27毫欧。
下图就是一个用N沟道场效应管......

分享:直流电防接反电路的总结!(2024-12-17 20:30:32)
要参数如下:Vdss=55V,Id=44A,Rds=0.027欧姆;可以看到,其导通电阻只有27毫欧。
下图是一个用N沟道场效应管......

简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......

8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通......

关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管(FET)。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出:“控制”信号为1,硬件......

详解:8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管(FET)。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出:“控制”信号为1,硬件自动使转接开关MUX打向上面,接通反相器的输出,同时使“与门”开启......

【51单片机】I/O口(2024-07-26)
方面控制电子开关,让电子开关与锁存器的 Q’ 端接通,此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号,内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器,并从Q和 Q’ 端输出,如果D端输入1,则 Q’ 端输出0,该0使场效应管V2......

e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海,2023年11月16日......

8051单片机基本操作(2024-01-15)
总线送来的信号无法通过与门;另一方面控制电子开关,让电子开关与锁存器的 端接通,此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号,内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器,并从Q和非Q端输出,如果D端输入1,则非Q端输出0,该0使场效应管......

e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......

e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;
中国上海,2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝(Toshiba)产品......

e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列,满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用,包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......

600平米大屏打造FIBA世界杯场馆标杆!LED官方供应商洲明为赛事助威!(2023-08-30)
体育场馆的数字化和智能化升级,专业的高清LED显示屏已成为体育场馆中比赛信息显示和比赛实况播放的重要设施。LED围栏屏不仅可以代替场馆内的围墙护栏,而且可展播更多内容,充分满足赛事信息和商业广告提供的显示需求。
赛场......

STM32控制的电子负载(2022-12-08)
功率部分的地和测控部分的地隔离分开,两个地通过0欧姆电阻点连接,可以减少因压降或噪声导致的测量噪声干扰。
负载晶体管与电流检测
该部分电路负责硬件恒定电流控制,利用运算放大器LM358的负反馈控制场效应管......

全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
的驱动比较复杂,故使用如下的电路, 使在场效应管关断后让LED的负极电压升高,使得LED关闭。当场效应管导通时,LED的负极电压被拉低,使得LED发光。PWM调节方式使得驱动电路更简单,降低了制造成本,并可以......

8051单片机的GPIO(2024-07-25)
3.1 构成
1个输出锁存器、1个转换开关MUX、2个三态输入缓冲器、输出驱动电路、1个反相器。
3.2 做输入端口
此时同样需要先通过内部总线向锁存器写1,让Q=1,场效应管截止,P2口输......

什么是晶体管呢? 世界需要更好的晶体管吗?(2022-12-15)
什么是晶体管呢? 世界需要更好的晶体管吗?;
泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号......

重庆万国造出自研自产 IGBT 元件,预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide......

美浦森宣布完成近亿元A轮融资,资金将用于SiC器件产品线、IGBT等新产品研发(2022-03-17)
,是一家专业功率半导体元器件设计公司,是国内最早开始硅/碳化硅产品系列研发及销售的公司。美浦森产品包括高中低压功率场效应管全系列产品(Trench MOSFET/SGT MOSFET/ Super......

电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
动方式更简单。因此,用SiC功率场效应管代替传统的场效应管,可以提高车载充电器的充电速率,降低控制难度和成本。具体地,电流检测单元10实时检测车载充电器DC/DC变换器50的输出端电流,并输......

亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
批量订单是针对新能源汽车和工业级的碳化硅管MOS管、IGBT管;另一部分是消费品市场通用的MOS管场效应管、二极管三极管、霍尔元件等产品。宋仕强和萨科微团队也加快了“国产化”的进度,热销型号可以替换TI德州仪器、ON安森......

纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放,适合那些倾心于电子管音色,因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似,频率特性好,音色......

为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
/O口使用,不需要多路转换电路MUX。其输出级电路内部有上拉电阻,与场效应管共同组成输出驱动电路。因此,P1口作为输出时,不需要再外接上拉电阻,而当P1口作为输入口使用时,仍然需要先向锁存器写“1......

吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal......

H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路,它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......

【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
,它们被广泛用于各种应用:如生物研究,即时诊断,环境应用,以及食品安全。
生物场效应管将生物响应转换为分析物,并将其转换为可以使用直流I-V技术轻松测量的电信号。输出......

无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
直流电机的三相六臂全桥驱动电路
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式,采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动,使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......

51单片机GPIO结构框图与工作原理(2023-08-09)
端口由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个非门、一个与非门及场效应管驱动电路构成。再看图的最右边,标号为P0.x 引脚的图标,也就是说P0.x 引脚可以是P0.0 到P0.7 的任何一位,即在P0 口有......

什么是H桥?介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
,下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路,此电......

介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥,另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥,
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成,桥臂上的4个场效应管......

揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道!(2024-10-20 21:14:56)
是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活......

igbt在电动汽车上的作用(2023-09-28)
igbt在电动汽车上的作用; igbt在电动汽车上的作用
IGBT是一种由控制电路控制、是否导电的半导体;由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成......

12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......

12W场效应管音频放大器电路图(2024-04-19)
12W场效应管音频放大器电路图;这是一款8Ω负载下的12W小型功率放大器,将NE5534集成技术与晶体管作为V-MOSFET输出级相结合,获得出色的音质。输入灵敏度最大为 3V rms,1 kHz......

基于C8051F的镍氢电池管理系统设计参考(2024-01-18)
占空比可调的PWM信号,控制NPN三极管5551的通断,最终实现对场效应管通断的控制,达到电流控制的目的。同时CPU实时检测当前电流值,并根据实时电流值闭环调节PWM信号的占空比,从而......

双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide......

30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
表示。
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱,就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的,这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点,所以也称之为场效应管。
3、MOS管的特性
上述MOS管的工作原理中可以......

OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平......

什么是SMT分立器件?有哪些类型?内部结构是怎样的?(2024-10-28 11:57:14)
什么是SMT分立器件?有哪些类型?内部结构是怎样的?;
SMT分立器件包括各种分立半导体器件,有二极管、晶体管、场效应管,也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
典型......

科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。如图1-1-1......
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;杭州松茂电子有限公司;;二、三极管、场效应管、IGBT管、肖特基、可控硅、集成电路、轴流风机、云母片、矽胶片、整流桥堆
;结型场效应管 浙江时代电子市场铮锋电子商行;;经销集成电路、单片机、二三极管、LED发光管、场效应管、IGBT、铝电解电容、CBB电容、CL电容、低高压瓷片电容、电阻等阻容器件。(78L系列